System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 多级放大器和音频处理装置制造方法及图纸_技高网

多级放大器和音频处理装置制造方法及图纸

技术编号:42732697 阅读:1 留言:0更新日期:2024-09-18 13:29
本发明专利技术提供了一种多级放大器,其中,该多级放大器包括多个放大级和一个补偿电路。该补偿电路耦接到该多个放大级的其中一者的输出端,以及,该补偿电路包括第一辅助放大器、电容器、第二辅助放大器、第一电阻和第二电阻。该电容器耦接在该第一辅助放大器的输入端和输出端之间。该第二辅助放大器耦接到该第一辅助放大器。该第一电阻耦接在该第二辅助放大器的输入端和输出端之间。该第二电阻耦接在该第一辅助放大器的输出端和地电压之间。

【技术实现步骤摘要】

本公开实施例通常涉及放大技术,以及更具体地,涉及一种多级放大器。


技术介绍

1、为了抑制(damp)扬声器中无负载时可能发生的高频振荡,通常会在扬声器的音频放大器的输出节点上放置具有串联的电阻和电容器的佐贝尔网络(zobel network)。然而,如果针对低功率模式减小输出放大器级的偏置电流和环路增益,则音频放大器会因zobel网络而不稳定。


技术实现思路

1、因此,本专利技术的目的是提供一种多级放大器及相应的音频处理装置,其具有补偿电路,以在低频处提供零点(zero)来补偿由于zobel网络而产生的相位陷落(phase dip),以解决上述问题。

2、第一方面,本专利技术提供了一种多级放大器,该多级放大器包括多个放大级和补偿电路。该补偿电路耦接到该多个放大级的其中一个的输出端,且该补偿电路包括第一辅助放大器、电容器、第二辅助放大器、第一电阻和第二电阻。该电容器耦接在该第一辅助放大器的输入端和输出端之间。该第二辅助放大器耦接到该第一辅助放大器。该第一电阻耦接在该第二辅助放大器的输入端和输出端之间。该第二电阻耦接在该第一辅助放大器的输出端和地电压之间。

3、在一些实施例中,该第一辅助放大器的输入端耦接该第二辅助放大器的输入端,以及,该第二辅助放大器的输出端耦接到该多个放大级的该其中一者的该输出端。

4、在一些实施例中,该第一辅助放大器至少包括n型金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet)或p型mosfet。

5、在一些实施例中,该第二辅助放大器至少包括n型mosfet或p型mosfet。例如,在该第一辅助放大器由n型mosfet实现的情形中,该第二辅助放大器由p型mosfet实现。再例如,在该第一辅助放大器由p型mosfet实现的情形中,该第二辅助放大器由n型mosfet实现。

6、在一些实施例中,该多个放大级包括:第一放大级,被配置为接收输入信号以产生第一信号;第二放大级,被配置为接收该第一信号以产生第二信号;以及第三放大级;其中,该补偿电路根据该第二信号产生第三信号,其中,该第三信号被输入到该第三放大级。

7、在一些实施例中,该第一辅助放大器的输入端耦接该第二辅助放大器的输入端,该第二辅助放大器的输出端耦接到该第二放大级的输出端;以及,该补偿电路还包括:第三辅助放大器,被配置为接收该第二信号以产生该第三信号。

8、在一些实施例中,该多个放大级包括:第一放大级,被配置为接收输入信号以产生第一信号;第二放大级,被配置为接收该第一信号以产生第二信号;以及第三放大级,被配置为接收该第二信号以产生输出信号;其中,该补偿电路耦接到该第一放大级的输出端。

9、在一些实施例中,该第一辅助放大器的输入端耦接该第二辅助放大器的输入端,以及,该第二辅助放大器的输出端耦接到该第一放大级的输出端。

10、在一些实施例中,该多级放大器是音频放大器,被配置为接收音频信号。

11、第二方面,本专利技术提供了一种音频处理装置,包括如上所述的任一多级放大器。

12、本领域技术人员在阅读附图所示优选实施例的下述详细描述之后,可以毫无疑义地理解本专利技术的这些目的及其它目的。详细的描述将参考附图在下面的实施例中给出。

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种多级放大器,其中,该多级放大器包括多个放大级和补偿电路,该补偿电路耦接该多个放大级的其中一者的输出端,以及,该补偿电路包括:

2.如权利要求1所述的多级放大器,其中,该第一辅助放大器的输入端耦接该第二辅助放大器的输入端,以及,该第二辅助放大器的输出端耦接到该多个放大级的该其中一者的该输出端。

3.如权利要求1所述的多级放大器,其中,该第一辅助放大器至少包括N型金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET或P型MOSFET。

4.如权利要求3所述的多级放大器,其中,该第二辅助放大器至少包括N型MOSFET或P型MOSFET。

5.如权利要求1所述的多级放大器,其中,该多个放大级包括:

6.如权利要求5所述的多级放大器,其中,该第一辅助放大器的输入端耦接该第二辅助放大器的输入端,该第二辅助放大器的输出端耦接到该第二放大级的输出端;以及,该补偿电路还包括:

7.如权利要求1所述的多级放大器,其中,该多个放大级包括:

8.如权利要求7所述的多级放大器,其中,该第一辅助放大器的输入端耦接该第二辅助放大器的输入端,以及,该第二辅助放大器的输出端耦接到该第一放大级的输出端。

9.如权利要求1所述的多级放大器,其中,该多级放大器是音频放大器,被配置为接收音频信号。

10.一种音频处理装置,其中,该音频处理装置包括如权利要求1至9中任一项所述的多级放大器。

...

【技术特征摘要】

1.一种多级放大器,其中,该多级放大器包括多个放大级和补偿电路,该补偿电路耦接该多个放大级的其中一者的输出端,以及,该补偿电路包括:

2.如权利要求1所述的多级放大器,其中,该第一辅助放大器的输入端耦接该第二辅助放大器的输入端,以及,该第二辅助放大器的输出端耦接到该多个放大级的该其中一者的该输出端。

3.如权利要求1所述的多级放大器,其中,该第一辅助放大器至少包括n型金属氧化物半导体场效应晶体管mosfet或p型mosfet。

4.如权利要求3所述的多级放大器,其中,该第二辅助放大器至少包括n型mosfet或p型mosfet。

5.如权利要求1所述的多级放大器,其中,该多个放大级...

【专利技术属性】
技术研发人员:陈友信陈雅琪温松翰
申请(专利权)人:联发科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1