【技术实现步骤摘要】
本揭露是有关于一种微型发光二极管装置。
技术介绍
1、本节中的陈述仅提供与本揭露相关的背景信息，并不一定构成现有技术。
2、作为光源，发光二极管(light-emitting diode,led)具有许多优点，包括低能耗、长寿命、小尺寸和快速开关。因此，传统照明，例如白炽灯，逐渐被led灯取代。led的特性也适用于显示器上的应用。近年来，对使用微型发光元件，或者具体来说，微型发光二极管(micro led)的显示器的研究变得流行。由微型发光二极管制成的商业照明应用几乎触手可及。
3、氮化镓(gan)基(如ingan、algan)led已成为led照明的大部分。随着gan基led显示器逐渐成为显示器市场的主流，寻找更好的gan基led显示器性能成为重要课题，并开始受到显示器行业的关注。
技术实现思路
1、依据本揭露的一实施方式，一种微型发光二极管装置包含基板、微型发光二极管以及透明顶电极。微型发光二极管具有小于100微米的横向宽度。微型发光二极管设置于基板上，并包含p型gan层、n型iii氮化物层、n型掺杂aln层以及主动层。n型iii氮化物层在p型gan层上方。iii是指铝、镓和铟中的至少一者。n型掺杂aln层在n型iii氮化物层上方且与n型iii氮化物层接触，其中n型掺杂aln层的厚度大于10纳米。主动层在p型gan层与n型iii氮化物层之间。透明顶电极至少部分地覆盖并接触n型掺杂aln层。n型掺杂aln层的折射率小于n型iii氮化物层的折射率。p型gan
2、在本揭露的一个或多个实施方式中，n型掺杂aln层的厚度大于80纳米。
3、在本揭露的一个或多个实施方式中，n型iii氮化物层的厚度大于0.5微米。
4、在本揭露的一个或多个实施方式中，n型iii氮化物层的厚度大于主动层的厚度与p型gan层的厚度的总和。
5、在本揭露的一个或多个实施方式中，微型发光二极管装置进一步包含隔离层。隔离层在基板上且围绕微型发光二极管。隔离层相对于基板的高度等于或小于n型掺杂aln层的顶面相对于基板的高度。
6、在本揭露的一个或多个实施方式中，隔离层的折射率小于透明顶电极的折射率。
7、在本揭露的一个或多个实施方式中，微型发光二极管装置进一步包含介电层。介电层在隔离层与微型发光二极管的侧面之间。
8、在本揭露的一个或多个实施方式中，透明顶电极由透明导电氧化物制成。透明顶电极的折射率小于n型掺杂aln层的折射率。
9、在本揭露的一个或多个实施方式中，透明顶电极包含纳米金属线。透明顶电极进一步包含嵌入纳米金属线的封装材料。封装材料的折射率小于n型掺杂aln层的折射率。
10、在本揭露的一个或多个实施方式中，微型发光二极管装置进一步包含隔离层。隔离层在基板上并围绕微型发光二极管。隔离层相对于基板的高度大于n型掺杂aln层的顶面相对于基板的高度。
11、在本揭露的一个或多个实施方式中，隔离层的折射率小于透明顶电极的折射率。
12、在本揭露的一个或多个实施方式中，微型发光二极管装置进一步包含介电层。介电层在隔离层与微型发光二极管的侧面之间。
13、在本揭露的一个或多个实施方式中，微型发光二极管装置进一步包含封装层。封装层在透明顶电极上方且与透明顶电极接触。封装层的折射率小于透明顶电极的折射率。
14、在本揭露的一个或多个实施方式中，微型发光二极管装置进一步包含mgo层。mgo层覆盖并接触透明顶电极。mgo层的折射率小于透明顶电极的折射率。
15、在本揭露的一个或多个实施方式中，微型发光二极管装置进一步包含至少一个附加微型发光二极管以及隔离层。所述至少一个附加微型发光二极管设置于基板上。微型发光二极管与所述至少一个附加微型发光二极管之间的距离小于2毫米。隔离层在基板上且围绕微型发光二极管与所述至少一个附加微型发光二极管。
16、在本揭露的一个或多个实施方式中，微型发光二极管与所述至少一个附加微型发光二极管配置以分别发射不同波长的光。
17、在本揭露的一个或多个实施方式中，所述至少一个附加微型发光二极管的数量为二。不同波长的光包含红光、绿光和蓝光。
18、在本揭露的一个或多个实施方式中，所述至少一个附加微型发光二极管数量为三。不同波长的光包含红光、绿光、蓝光以及黄光。
19、以上所述仅是用以阐述本揭露所欲解决的问题、解决问题的技术手段、及其产生的功效等等，本揭露的具体细节将在下文的实施方式及相关附图中详细介绍。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种微型发光二极管装置，其特征在于，包含：
2.如权利要求1所述的微型发光二极管装置，其特征在于，该n型掺杂AlN层的该厚度大于80纳米。
3.如权利要求1所述的微型发光二极管装置，其特征在于，该n型III氮化物层的该厚度大于0.5微米。
4.如权利要求1所述的微型发光二极管装置，其特征在于，该n型III氮化物层的该厚度大于该主动层的该厚度与该p型GaN层的该厚度的该总和。
5.如权利要求1所述的微型发光二极管装置，其特征在于，进一步包含：
6.如权利要求5所述的微型发光二极管装置，其特征在于，该隔离层的折射率小于该透明顶电极的折射率。
7.如权利要求5所述的微型发光二极管装置，其特征在于，进一步包含：
8.如权利要求1所述的微型发光二极管装置，其特征在于，该透明顶电极由透明导电氧化物制成，且该透明顶电极的折射率小于该n型掺杂AlN层的该折射率。
9.如权利要求1所述的微型发光二极管装置，其特征在于，该透明顶电极包含纳米金属线，该透明顶电极进一步包含嵌入所述纳米金属线的封装材料，且
10.如权利要求1所述的微型发光二极管装置，其特征在于，进一步包含：
11.如权利要求10所述的微型发光二极管装置，其特征在于，该隔离层的折射率小于该透明顶电极的折射率。
12.如权利要求10所述的微型发光二极管装置，其特征在于，进一步包含：
13.如权利要求1所述的微型发光二极管装置，其特征在于，进一步包含：
14.如权利要求1所述的微型发光二极管装置，其特征在于，进一步包含：
15.如权利要求1所述的微型发光二极管装置，其特征在于，进一步包含：
16.如权利要求15所述的微型发光二极管装置，其特征在于，该微型发光二极管与所述至少一个附加微型发光二极管配置以分别发射不同波长的光。
17.如权利要求16所述的微型发光二极管装置，其特征在于，所述至少一个附加微型发光二极管的数量为二，且不同波长的所述光包含红光、绿光和蓝光。
18.如权利要求16所述的微型发光二极管装置，其特征在于，所述至少一个附加微型发光二极管数量为三，且不同波长的所述光包含红光、绿光、蓝光以及黄光。
...【技术特征摘要】
1.一种微型发光二极管装置，其特征在于，包含：
2.如权利要求1所述的微型发光二极管装置，其特征在于，该n型掺杂aln层的该厚度大于80纳米。
3.如权利要求1所述的微型发光二极管装置，其特征在于，该n型iii氮化物层的该厚度大于0.5微米。
4.如权利要求1所述的微型发光二极管装置，其特征在于，该n型iii氮化物层的该厚度大于该主动层的该厚度与该p型gan层的该厚度的该总和。
5.如权利要求1所述的微型发光二极管装置，其特征在于，进一步包含：
6.如权利要求5所述的微型发光二极管装置，其特征在于，该隔离层的折射率小于该透明顶电极的折射率。
7.如权利要求5所述的微型发光二极管装置，其特征在于，进一步包含：
8.如权利要求1所述的微型发光二极管装置，其特征在于，该透明顶电极由透明导电氧化物制成，且该透明顶电极的折射率小于该n型掺杂aln层的该折射率。
9.如权利要求1所述的微型发光二极管装置，其特征在于，该透明顶电极包含纳米金属线，该透明顶电极进一步包含嵌入所述纳米金属线的封装材料，且该封装材料的折射率小于该...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈立宜，李欣薇，
申请(专利权)人：美科米尚技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。