【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体器件，涉及一种软恢复二极管及制作方法。
技术介绍
1、现代电力电子技术广泛使用igbt、功率mosfet等开关器件，对与之相配套使用的快恢复二极管提出更高的要求，不仅要求其反向阻断电压高、正向瞬态压降小、方向恢复时间短，还要求其具有软恢复的特性。传统快恢复二极管结构采用平面型的pin结构，在n型外延层上掺杂p型杂质，p型杂质在表面反型，与n型外延层形成pn结，此类结构的快恢复二极管主要是通过提高阴极的掺杂浓度以调整阴极的发射效率，进而调整二极管的软度，但是受限于材料的加工能力，使得软度的调整周期长、幅度小且不受控。
2、因此，如何提供一种软恢复二极管及制作方法，使得二极管的软度可控且调整幅度大，成为本领域技术人员亟待解决的技术问题。
技术实现思路
1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种软恢复二极管及制作方法，用于解决现有技术中的二极管的软度调整幅度小且不受控等问题。
2、为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种软恢复二极管的制作方法，包括以下步骤：
3、提供一衬底，所述衬底划分为有源区和环绕所述有源区的终端区，其中，所述衬底包括第一导电类型掺杂的阴极区和第一导电类型掺杂的漂移区，所述漂移区位于所述阴极区的上方，且所述漂移区的掺杂浓度小于所述阴极区的掺杂浓度；
4、于所述漂移区中形成第二导电类型掺杂的阳极区；
5、于所述阳极区中形成第一导电类型掺杂的短路区，且所述短路区位于所
6、于所述有源区上形成正面金属层，所述正面金属层分别与所述阳极区的上表面及所述短路区的上表面电连接；
7、于所述衬底的下表面形成背面金属层，所述背面金属层与所述阴极区电连接。
8、可选地，所述第一导电类型为n型，所述第二导电类型为p型。
9、可选地，所述短路区的数量为多个，多个所述短路区呈阵列排布于所述阳极区中。
10、可选地，所述短路区的形状包括长条状、圆形、正方形或六边形。
11、可选地，还包括以下步骤：
12、于所述终端区中形成第二导电类型掺杂的场限环，且所述场限环位于所述漂移区中，所述场限环围绕于所述阳极区的外侧；
13、于所述终端区上形成氧化层，其中，所述正面金属层还延伸至所述终端区上覆盖所述氧化层的上表面。
14、本专利技术还提供一种软恢复二极管，包括：
15、衬底，所述衬底划分为有源区和环绕所述有源区的终端区，其中，所述衬底包括第一导电类型掺杂的阴极区和第一导电类型掺杂的漂移区，所述漂移区位于所述阴极区的上方，且所述漂移区的掺杂浓度小于所述阴极区的掺杂浓度；
16、第二导电类型掺杂的阳极区，位于所述漂移区中；
17、第一导电类型掺杂的短路区，位于所述阳极区中，且所述短路区位于所述有源区中；
18、正面金属层，位于所述有源区上，所述正面金属层分别与所述阳极区的上表面及所述短路区的上表面电连接；
19、背面金属层，位于所述衬底的下表面，所述背面金属层与所述阴极区电连接。
20、可选地，所述第一导电类型为n型，所述第二导电类型为p型。
21、可选地，所述短路区的数量为多个，多个所述短路区呈阵列排布于所述阳极区中。
22、可选地，所述短路区的形状包括长条状、圆形、正方形和六边形。
23、可选地，还包括：
24、第二导电类型掺杂的场限环，所述场限环位于所述终端区中且位于所述漂移区中，所述场限环围绕于所述阳极区的外侧；
25、氧化层，位于所述终端区上，其中，所述正面金属层还延伸至所述终端区上覆盖所述氧化层的上表面。
26、如上所述，本专利技术的软恢复二极管及制作方法中，于阳极区中设置短路区，短路区/阳极区/阴极区构成eb短路的三极管，在正向导电时eb短接使得电流从bc结正常流通，反向关断时三极管全面开启状态会退出三极管的饱和状态，然后再按正常二极管的关断，通过配比三极管和二极管的占比面积实现二极管关断波形的可控，实现软度的调控。
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1.一种软恢复二极管的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的软恢复二极管的制作方法，其特征在于：所述第一导电类型为N型，所述第二导电类型为P型。
3.根据权利要求1所述的软恢复二极管的制作方法，其特征在于：所述短路区的数量为多个，多个所述短路区呈阵列排布于所述阳极区中。
4.根据权利要求3所述的软恢复二极管的制作方法，其特征在于：所述短路区的形状包括长条状、圆形、正方形或六边形。
5.根据权利要求1所述的软恢复二极管的制作方法，其特征在于，还包括以下步骤：
6.一种软恢复二极管，其特征在于，包括：
7.根据权利要求6所述的软恢复二极管，其特征在于：所述第一导电类型为N型，所述第二导电类型为P型。
8.根据权利要求6所述的软恢复二极管，其特征在于：所述短路区的数量为多个，多个所述短路区呈阵列排布于所述阳极区中。
9.根据权利要求8所述的软恢复二极管，其特征在于：所述短路区的形状包括长条状、圆形、正方形或六边形。
10.根据权利要求6所述的软恢复二极管，
...【技术特征摘要】
1.一种软恢复二极管的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的软恢复二极管的制作方法，其特征在于：所述第一导电类型为n型，所述第二导电类型为p型。
3.根据权利要求1所述的软恢复二极管的制作方法，其特征在于：所述短路区的数量为多个，多个所述短路区呈阵列排布于所述阳极区中。
4.根据权利要求3所述的软恢复二极管的制作方法，其特征在于：所述短路区的形状包括长条状、圆形、正方形或六边形。
5.根据权利要求1所述的软恢复二极管的制作方法，其特...
【专利技术属性】
技术研发人员：俞韬，陈勇臻，
申请(专利权)人：无锡华润华晶微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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