【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及无损检测，具体为一种材料缺陷深度定位方法。
技术介绍
1、现有的方法主要在常规的材料或可以满足检测条件的一些材料中缺陷的深度定位，但一些特殊材料或构件，这些方法都没有办法确定缺陷的深度，如奥氏体以及其他粗晶金属材料，非金属材料和复合材料等。对于射线检测来说，被检对象的材质除在检测参数上略有差异外，其他方面影响较小可以忽略不计。通过射线检测的应用，其内部缺陷的形状、大小和性质均可以直观获取。其深度信息无法通过无损检测的手段来获取，一般的金属材料内部缺陷可以通过超声波检测对其深度进行定位，但受制于材料本身的特性，超声波无法在部分材料中传播，无法获取缺陷的深度信息，一旦产品中存在不合格缺陷需进行返修时，将会对整个返修过程和产品质量造成影响，尤其是检测厚度超过100mm、200mm甚至300mm，没有相应的数据支撑，返修中只能采用分步去除或整个去除缺陷部位重新焊接等方式进行缺陷返修，返修周期、制造成本以及产品质量都会产生影响。或者一些特殊构造中如存在内部缺陷，其他常规的检测方法又无法准确的确定内部不合格缺陷的位置。
技术实现思路
1、本专利技术所要解决的技术问题是提供一种材料缺陷深度定位方法，用于对缺陷深度进行精准定位，方便后续返修。
2、本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是一种材料缺陷深度定位方法，包括如下步骤，
3、s1：在材料两侧分别设置发射源和底片，始终保证发射源发射的射线照射在底片的中心点上，底片与材料贴合；
4、s2：发射
5、s3：同步移动发射源和底片，直到缺陷的投影位置与底片的中心点重合，并记录此时发射源与底片的间距f；
6、s4：底片位置保持不变，将发射源平移，平移长度为l，发射源发送射线照射缺陷，记录缺陷在底片上的投影与底片中心点的距离s；
7、s5：计算得到缺陷在材料内的深度d；
8、s6：根据缺陷深度d，对材料缺陷进行挖除，填补。
9、进一步，所述发射源为9mev电子直线加速器或者x射线机。
10、进一步，在步骤s6中，挖除的深度比缺陷深度深3～5％。
11、进一步，在步骤s5中，缺陷在材料内的深度d的计算公式为：其中h为材料厚度。
12、进一步，在步骤s5中，根据发射源与底片的间距f、发射源平移长度l、缺陷在底片上的投影与底片中心点的距离s以及材料的厚度h，在autocad中建立1：1模型，得出材料内缺陷的深度d。
13、本专利技术的有益效果是：本方法可以结合标准对缺陷大小、性质的要求，对超过标准要求的不合格缺陷进行深度定位并有效返修，使其满足标准的要求从而获得合格的产品。尤其对于检测壁厚较大、返修难度高的特殊材料和特殊结构产品而言，可以在产品质量和标准规范的范围内做到相对的平衡，既可以保证产品的质量，又不会因为返修难度大影响制造周期和增加制造成本。
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1.一种材料缺陷深度定位方法，其特征在于：包括如下步骤，
2.如权利要求1所述的一种材料缺陷深度定位方法，其特征在于：所述发射源(2)为9MeV电子直线加速器或者X射线机。
3.如权利要求1所述的一种材料缺陷深度定位方法，其特征在于：在步骤S6中，挖除的深度比缺陷(4)深度深3～5％。
4.如权利要求1所述的一种材料缺陷深度定位方法，其特征在于：在步骤S5中，缺陷(4)在材料(1)内的深度d的计算公式为：其中H为材料(1)厚度。
5.如权利要求1所述的一种材料缺陷深度定位方法，其特征在于：在步骤S5中，根据发射源(2)与底片(3)的间距F、发射源(2)平移长度L、缺陷(4)在底片(3)上的投影与底片(3)中心点的距离S以及材料(1)的厚度H，在AUTOCAD中建立1：1模型，得出材料(1)内缺陷(4)的深度d。
【技术特征摘要】
1.一种材料缺陷深度定位方法，其特征在于：包括如下步骤，
2.如权利要求1所述的一种材料缺陷深度定位方法，其特征在于：所述发射源(2)为9mev电子直线加速器或者x射线机。
3.如权利要求1所述的一种材料缺陷深度定位方法，其特征在于：在步骤s6中，挖除的深度比缺陷(4)深度深3～5％。
4.如权利要求1所述的一种材料缺陷深度定位方法，其特征在于：...
【专利技术属性】
技术研发人员：王显军，杨蓥，沈扬，周澄，黄林，谢丁，田启龙，
申请(专利权)人：国机重装德阳检测技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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