System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种光催化合成硫修饰石墨烯量子点的方法技术_技高网

一种光催化合成硫修饰石墨烯量子点的方法技术

技术编号:42730075 阅读:3 留言:0更新日期:2024-09-13 12:15
一种光催化合成硫修饰石墨烯量子点(S‑GQDs)的方法,主要利用紫外光照能使GQDs吸收能量后产生光生电子e‑和电子空穴h+,产生的电子空穴h+能将溶液中O2和H2O分子氧化成活性氧物质,随后与溶液中二甲基亚砜作用,逐渐将二甲基亚砜氧化成‑SOx与‑CH3O3S,并沉积于GQDs的表面,使GQDs表面具有含硫基团,从而合成S‑GQDs。该方法具有可控性强,光催化反应条件温和等优点。制备的S‑GQDs量子产率高、稳定性好、抗干扰性强,在光学传感和成像领域具有良好的应用前景。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种光催化合成硫修饰石墨烯量子点(s-gqds)的制备方法,主要以石墨烯量子点(gqds)为光催化反应前驱体、二甲基亚砜为硫源、紫外光照为主要反应条件,属于新材料制备领域。


技术介绍

1、石墨烯量子点(gqds)因具有毒性低、溶解性好、发光稳定、生物相容性高以及带隙可调等特点,现已广泛应用于传感分析(chem. eng. j., 2016, 300: 75-82)、生物成像(acs mater. lett., 2021, 3: 889-911)等领域。然而,由于gqds表面官能团单一、量子产率较低,限制了其在生物传感中的应用。硫修饰是优化gqds电子结构、提升gods量子效率的有效方法之一(j. mater. chem. a, 2015, 3: 11287-11293),也可丰富gods表面的官能团,拓展其应用。因此,对gods进行硫掺杂、修饰极为重要。然而,目前现有s-gqds合成方法的研究还存在操作复杂、反应耗时长等不足,而且已报道的合成方式都需要长时间的高温高压条件。因此,仍需开发一种高效、简便和环保的s-gqds合成方法。本专利技术基于光反应合成技术,首次提出了光催化掺杂、修饰gqds,实现s-gqds的简便、快速合成的方法。


技术实现思路

1、本专利技术的目的在于利用石墨烯量子点(gqds)为光催化反应前驱体、二甲基亚砜为硫源、紫外灯光照搅拌为主要反应条件的s-gqds光催化制备法。首先,以二甲基亚砜为基础,在紫外光照条件下,gqds吸收能量大于其带隙能的紫外光,然后价带上的电子跃迁进入导带,产生光生电子e-和电子空穴 h+。其中 h+能与溶液中o2和h2o分子作用,并将其氧化成活性氧物质ros,如1o2、∙oh、∙o2-等,随后二甲基亚砜与ros作用,逐渐氧化成-sox与-ch3o3s并沉积于gqds的表面,使gqds表面具有含硫基团,从而合成具有荧光特性的s-gqds。本专利技术的技术方案如下:

2、(1)在200 ℃油浴条件下,加热无水柠檬酸融化至橙红色。再将橙红色液体滴加到naoh溶液中,并伴随着剧烈搅拌。最后调节ph、透析,得到gqds水溶液。

3、(2)取制备好的gqds水溶液与二甲基亚砜混合在烧杯中,将其置于紫外光源下光照并搅拌,反应一段时间后得到s-gqds混合溶液。

4、(3)将反应后的s-gqds混合液进行透析处理,以除去未反应完的二甲基亚砜。

5、(4)透析后的溶液经旋转蒸发、冷冻干燥后得到s-gqds固体。

6、与现有技术相比,本专利技术具有如下优点:

7、光催化反应条件温和,可控性强;

8、反应时间较短;

9、荧光量子产率较高;

10、稳定性、抗干扰性较好,在高盐分、弱酸弱碱和水体常见离子的条件等下不会对s-gqds的荧光产生影响。

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【技术保护点】

1.一种光催化合成硫修饰石墨烯量子点(S-GQDs)的方法,其主要以石墨烯量子点(GQDs)为光催化反应前驱体、二甲基亚砜为硫源、通过紫外光照光敏合成S-GQDs,其特征在于按以下几个步骤进行:

2.按权利要求1所述的方法,其特征在于采用光敏修饰合成S-GQDs。

3.按权利要求1所述的方法,其特征在于采用二甲基亚砜为硫源。

4.按权利要求1所述的方法,其特征在于光源为紫外光。

5.按权利要求1所述的方法,其特征在于光照时间为30~90 min。

【技术特征摘要】

1.一种光催化合成硫修饰石墨烯量子点(s-gqds)的方法,其主要以石墨烯量子点(gqds)为光催化反应前驱体、二甲基亚砜为硫源、通过紫外光照光敏合成s-gqds,其特征在于按以下几个步骤进行:

2.按权利要求1所述的方法,其特征在于采用...

【专利技术属性】
技术研发人员:张信凤蔡东平石凯
申请(专利权)人:成都理工大学
类型:发明
国别省市:

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