【技术实现步骤摘要】
本公开的实施方式涉及电子装置，更具体地，涉及一种半导体装置和该半导体装置的制造方法。
技术介绍
1、半导体装置的集成度主要由单位存储器单元所占据的面积决定。最近，随着用于在基板上以单层形成存储器单元的半导体装置的集成度的改进达到其极限，已提出了用于在基板上层叠存储器单元的三维半导体装置。此外，为了改进这种半导体装置的操作可靠性，已开发了各种结构和制造方法。
技术实现思路
1、在实施方式中，一种半导体装置的制造方法可包括以下步骤：形成包括交替地层叠的第一材料层和第二材料层的层叠物；在层叠物上形成包括第一阶梯结构的含无机材料的聚合物掩模；以及通过使用聚合物掩模作为蚀刻屏障蚀刻层叠物来在层叠物中形成第二阶梯结构。
2、在实施方式中，一种半导体装置的制造方法可包括以下步骤：形成层叠物；在层叠物上施加包括单体和无机纳米颗粒的抗蚀剂；利用包括倒目标结构的聚合物模具来按压抗蚀剂；通过使抗蚀剂中的单体和无机纳米颗粒聚合来形成包括第一目标结构的含无机材料的聚合物掩模；去除聚合物模具；以及蚀刻聚合物掩模和层叠物以在层叠物中形成第二目标结构，其中，第一目标结构被基本上再现以在层叠物中形成第二目标结构。
【技术保护点】
1.一种半导体装置的制造方法，该制造方法包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的制造方法，其中，形成所述聚合物掩模的步骤包括以下步骤：
3.根据权利要求2所述的制造方法，其中，使所述抗蚀剂固化的步骤包括以下步骤：
4.根据权利要求3所述的制造方法，其中，所述单体包括二季戊四醇五/六丙烯酸酯DPHA。
5.根据权利要求1所述的制造方法，其中，所述无机材料包括TiO2、Al2O3、ZrO2、Cr2O3、WO3、ZnO、SnO2和Fe2O3中的至少一种。
6.根据权利要求1所述的制造方法，其中，所述聚合物掩模包括蚀刻速率低于所述第一材料层和所述第二材料层的蚀刻速率的材料。
7.根据权利要求6所述的制造方法，其中，所述第一材料层各自包括氮化硅，所述第二材料层各自包括氧化硅，并且所述无机材料包括TiO2、Al2O3和ZrO2中的至少一种。
8.根据权利要求1所述的制造方法，其中，所述聚合物掩模包括金属。
9.根据权利要求1所述的制造方法，其中，当所述层叠物被蚀刻时，所述聚合物掩模被蚀刻，并且所述
10.根据权利要求1所述的制造方法，其中，所述第一阶梯结构的第一台阶高度和所述第二阶梯结构的第二台阶高度彼此相同。
11.根据权利要求1所述的制造方法，其中，所述第一阶梯结构的第一台阶高度和所述第二阶梯结构的第二台阶高度彼此不同。
12.根据权利要求1所述的制造方法，其中，所述第一阶梯结构的第一台阶高度和所述第二阶梯结构的第二台阶高度彼此相同或彼此不同，并且所述第一阶梯结构的第一宽度和所述第二阶梯结构的第二宽度彼此相同。
13.一种半导体装置的制造方法，该制造方法包括以下步骤：
14.根据权利要求13所述的制造方法，其中，所述层叠物包括交替地层叠的第一材料层和第二材料层，
15.根据权利要求13所述的制造方法，其中，所述聚合物掩模包括金属。
16.根据权利要求13所述的制造方法，其中，所述无机材料包括TiO2、Al2O3、ZrO2、Cr2O3、WO3、ZnO、SnO2和Fe2O3中的至少一种。
17.根据权利要求13所述的制造方法，其中，所述第一目标结构的第一高度和所述第二目标结构的第二高度彼此相同或彼此不同，并且所述第一目标结构的第一宽度和所述第二目标结构的第二宽度彼此相同。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体装置的制造方法，该制造方法包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的制造方法，其中，形成所述聚合物掩模的步骤包括以下步骤：
3.根据权利要求2所述的制造方法，其中，使所述抗蚀剂固化的步骤包括以下步骤：
4.根据权利要求3所述的制造方法，其中，所述单体包括二季戊四醇五/六丙烯酸酯dpha。
5.根据权利要求1所述的制造方法，其中，所述无机材料包括tio2、al2o3、zro2、cr2o3、wo3、zno、sno2和fe2o3中的至少一种。
6.根据权利要求1所述的制造方法，其中，所述聚合物掩模包括蚀刻速率低于所述第一材料层和所述第二材料层的蚀刻速率的材料。
7.根据权利要求6所述的制造方法，其中，所述第一材料层各自包括氮化硅，所述第二材料层各自包括氧化硅，并且所述无机材料包括tio2、al2o3和zro2中的至少一种。
8.根据权利要求1所述的制造方法，其中，所述聚合物掩模包括金属。
9.根据权利要求1所述的制造方法，其中，当所述层叠物被蚀刻时，所述聚合物掩模被蚀刻，并且所述第一阶梯结构被再现于所述层叠物中以形成所述第二阶梯结构。
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【专利技术属性】
技术研发人员：郑弼薰，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：
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