System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 电介质再现装置以及电介质记录再现装置制造方法及图纸_技高网

电介质再现装置以及电介质记录再现装置制造方法及图纸

技术编号:42727948 阅读:4 留言:0更新日期:2024-09-13 12:12
本发明专利技术提供能够提高再现速度的电介质再现装置以及电介质记录再现装置。检测单元(11)被设置为能够对由电介质材料构成的数据记录层(1)相对地扫描,检测与记录于数据记录层(1)的数据对应的各个位(1a)的极化状态。加热单元(12)被设置为能够在检测单元(11)检测极化状态期间将检测的位(1a)加热至规定的温度。再现单元(13)被设置为能够基于由检测单元(11)检测到的各个位(1a)的极化状态再现数据。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及电介质再现装置以及电介质记录再现装置


技术介绍

1、以往,作为高密度大容量且能够随机存取的信息记录再现装置,广泛利用使用了磁记录介质的硬盘驱动器。硬盘驱动器用于服务器、个人计算机、硬盘记录器等,为了进一步大容量化,要求记录密度的提高,但存在当记录密度接近1 tb/inch2时,记录信息会由于磁介质的热干扰而紊乱的问题。

2、因此,为了实现超过该极限的高密度的记录,开发了热辅助磁记录(hamr:heatassisted magnetic recording)装置(例如,参照专利文献1、非专利文献1至3)。热辅助磁记录装置构成为通过在将信息记录于磁介质的瞬间,用激光加热磁介质的记录部并施加磁场,从而将信息记录于该记录部。另外,由于在热辅助磁记录装置中,记录密度由激光的光斑的大小决定,为了实现1 tb/inch2以上的高记录密度,开发了利用能够产生数10 nm以下的微小的光斑的近场光的装置(例如,参照非专利文献4至9)。

3、然而,在使用了磁介质的磁记录装置中,无法摆脱如果缩小位尺寸则因交换相互作用而记录位的热稳定性会受损这一物理原理所导致的限制,即使使用了热辅助磁记录,磁记录的高密度化是存在极限的。因此,本案专利技术人们提议使用了电介质材料的电介质记录再现装置,其没有交换相互作用,且可以期待比磁记录更高密度化(例如,参照专利文献2、或非专利文献10)。电介质记录再现装置能够利用sndm(scanning nonlineardielectric microscopy:扫描型非线性介电常数显微镜)的技术,将信息记录于电介质材料并再现,例如,其具备:将数据记录于电介质材料的金属制的探针;生成与数据对应的记录信号的记录信号生成单元;在设置于由电介质材料构成的记录层背面的电极与探针之间施加记录信号的施加单元;产生交流电压信号的交流信号发生单元;在再现时,在设置于记录层背面的电极与探针之间施加交流电压信号的电压施加单元;根据电介质材料所记录的极化状态而振荡的振荡单元;对基于振荡单元的振荡信号进行解调的解调单元;以及基于由解调单元解调出的信号的相位信息来再现数据的数据再现单元。

4、为了实现高记录密度的电介质记录再现装置,本案专利技术人们进行为了将信息记录于电介质材料的基础研究,成功地在能够进行信息的记录的电介质材料(litao3单晶)的表面形成直径为2.8 nm的域点(例如,参照非专利文献11)。其大小相当于80 tb/inch2,可以期待数据记录的高密度化。另外,还确认了能够使用脉冲宽度为0.5 nsec的脉冲,在电介质材料(litao3单晶)的表面形成(极化反转)纳米域点(例如,参照非专利文献11)。这相当于2gbps的写入速度,可以期待高记录速度。

5、基于这些结果,本案专利技术人们实际地尝试制作电介质记录再现装置,利用sndm技术,进行将64×64位的实数据记录于电介质材料(litao3单晶)的实验后,记录的数据的位间隔为12.8 nm,得到了约4 tb/inch2的记录密度(例如,参照非专利文献12)。另外,尝试制作硬盘驱动器型的电介质记录再现装置,进行向圆盘状的电介质材料(litao3单晶)的表面的记录(写入)以及再现(读取)实验后,记录的数据的位的间隔为13.7 nm,得到了约3.4tb/inch2的记录密度。另一方面,再现速度为2 mbps,再现信号与噪声的sn比为8.96 db(例如,参照非专利文献13)。

6、此外,本案专利技术人们发现在提高铁电体的温度时,随着靠近居里点,非线性介电常数(ε333)急剧变大。因此,为了进一步提高再现速度,以制造能够得到即使在高速再现时也不被噪声掩埋那样大的再现信号的记录介质为目的,进行了对居里点进行控制并具有大的非线性介电常数(ε333)的铁电体材料的开发(例如,参照非专利文献14)。

7、另外,本案专利技术人们当对在表面形成有域点的litao3单晶的电介质材料进行热处理时,由于域点缩小,从而求出表示域点的直径的缩小率、温度与加热时间的关系的实验式,厚度为80 nm的litao3单晶的寿命(域点的直径从50 nm缩小至40 nm的时间)在80℃下为16年以上,这表示其十分实用(例如,参照非专利文献15)。

8、现有技术文献

9、专利文献

10、专利文献1:日本特开2002-133602号公报

11、专利文献2:日本特开2004-127489号公报

12、非专利文献

13、非专利文献1:akira kikitsu, et al., “a concept of exchange-coupledrecording medium for heat-assisted magnetic recording”, j. appl. phys., 2005,97, 10p701

14、非专利文献2:松本幸治,上村拓也,下川聪,《热辅助磁记录》,fujitsu,2007 01,58,1,p.85-89

15、非专利文献3:由泽刚,高桥伸幸,《热辅助磁记录介质的模拟技术》,富士时报,2009,vol.82,no.3,p.170-173

16、非专利文献4:t. matsumoto, et al., “highly efficient probe with awedge-shaped metallic plate for high density near-field optical recording”,2004, j. appl. phys., 2004, 95, p.3901-3906

17、非专利文献5:t. matsumoto, et al., “thermally assisted magneticrecording on a bit-patterned medium by using a near-field optical head with abeaked metallic plate”, appl. phys. lett., 2008, 93, 031108

18、非专利文献6:w. a. challener, et al., “hear-assisted magneticrecording by a near-field transducer with efficient optical energy transfer”,nature photonics, april 2009, vol.3, p.220-224

19、非专利文献7:barry c. stipe, et al., “magnetic recording at 1.5 pbm-2using an integrated plasmonic antenna”, nature photonics, july 2010, vol.4,p.484-488

20、非专利文献8:t. matsumoto, et al., “integrated head本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种电介质再现装置,用于再现记录于由电介质材料构成的数据记录层的数据,其特征在于,

2.根据权利要求1所述的电介质再现装置,其特征在于,

3.根据权利要求1或2所述的电介质再现装置,其特征在于,

4.根据权利要求1或2所述的电介质再现装置,其特征在于,

5.根据权利要求1或2所述的电介质再现装置,其特征在于,

6.根据权利要求3所述的电介质再现装置,其特征在于,

7.根据权利要求3所述的电介质再现装置,其特征在于,

8.根据权利要求4所述的电介质再现装置,其特征在于,

9.根据权利要求4所述的电介质再现装置,其特征在于,

10.根据权利要求1或2所述的电介质再现装置,其特征在于,

11.一种电介质记录再现装置,其特征在于,

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种电介质再现装置,用于再现记录于由电介质材料构成的数据记录层的数据,其特征在于,

2.根据权利要求1所述的电介质再现装置,其特征在于,

3.根据权利要求1或2所述的电介质再现装置,其特征在于,

4.根据权利要求1或2所述的电介质再现装置,其特征在于,

5.根据权利要求1或2所述的电介质再现装置,其特征在于,

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【专利技术属性】
技术研发人员:长康雄
申请(专利权)人:国立大学法人东北大学
类型:发明
国别省市:

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