【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术的一个方式涉及一种半导体装置、存储装置及电子设备。此外，本专利技术的一个方式涉及一种半导体装置的制造方法。注意，本专利技术的一个方式不局限于上述。作为本专利技术的一个方式的的例子，可以举出半导体装置、显示装置、发光装置、蓄电装置、存储装置、电子设备、照明装置、输入装置(例如，触摸传感器)、输入输出装置(例如，触摸面板)、它们的驱动方法或它们的制造方法。注意，在本说明书等中，半导体装置是指能够通过利用半导体特性而工作的所有装置。除了晶体管等的半导体元件之外，半导体电路、运算装置及存储装置也是半导体装置的一个方式。显示装置(液晶显示装置、发光显示装置等)、投影装置、照明装置、电光装置、蓄电装置、存储装置、半导体电路、摄像装置及电子设备等有时包括半导体装置。
技术介绍
1、近年来，已在开发lsi(large scale integration：大规模集成电路)、cpu(central processing unit：中央处理器)、存储器(存储装置)等半导体装置。将这些半导体装置用于计算机、便携式信息终端等各种电子设备。此外，已在根据执行运算处理时的暂时存储、数据的长期存储等的用途开发各种存储方式的存储器。作为典型存储方式的存储器，例如可以举出dram(dynamic random access memory：动态随机存取存储器)、sram(static random access memory：静态随机存取存储器)以及闪存。
2、此外，随着使用数据量的增大，需要具有更大存储容量的半导体装置。专利文献1及非专利文献
3、[先行技术文献]
4、[专利文献]
5、[专利文献1]国际专利申请公开第2021/053473号
6、[非专利文献]
7、[非专利文献1]m.oota et al，“3d-stacked caac-in-ga-zn oxide fets withgate length of72nm”，iedm tech.dig.，2019，pp.50-53
技术实现思路
1、专利技术所要解决的技术问题
2、本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种能够实现微型化或高集成化的半导体装置或存储装置。本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种工作速度快的半导体装置或存储装置。本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种具有良好的电特性的半导体装置或存储装置。本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种晶体管的电特性的不均匀少的半导体装置或存储装置。本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种可靠性高的半导体装置或存储装置。本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种通态电流大的半导体装置或存储装置。本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种功耗低的半导体装置或存储装置。本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种新颖的半导体装置或存储装置。
3、本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种存储容量大的存储装置。本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种占有面积小的存储装置。本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种可靠性高的存储装置。本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种功耗低的存储装置。本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种新颖的存储装置。
4、注意，这些目的的记载不妨碍其他目的的存在。本专利技术的一个方式并不需要实现所有上述目的。可以从说明书、附图、权利要求书的记载中抽取上述目的以外的目的。
5、解决技术问题的手段
6、本专利技术的一个方式是一种存储装置，包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第一电容器以及第二电容器。第一电容器包括第一电极及第二电极。第二电容器包括第一电极及第三电极。第一晶体管的源极和漏极中的一方与第二电极电连接。第二晶体管的源极和漏极中的一方与第三电极电连接。第三晶体管的栅极与第二电极电连接。第一电极具有分别与第二电极、第三电极、第一晶体管以及第二晶体管重叠的部分并被供应固定电位或接地电位。
7、另外，在上述存储装置中，第一电极优选具有位于第一晶体管的上方的部分及位于第一晶体管的侧方的部分。
8、另外，在上述存储装置中，优选还包括连接电极。此时，优选的是，第一晶体管的源极和漏极中的另一方与连接电极电连接，并且第二晶体管的源极和漏极中的另一方与连接电极电连接。
9、另外，在上述存储装置中，第一晶体管的源极和漏极中的另一方优选包括第一导电层。第二晶体管的源极和漏极中的另一方优选包括第二导电层。此时，优选的是，连接电极具有与第一导电层的顶面接触的部分、与第一导电层的侧面接触的部分、与第二导电层的顶面接触的部分以及与第二导电层的侧面接触的部分。
10、另外，在上述存储装置中，优选还包括第四晶体管及第三电容器。此时，第四晶体管及第三电容器优选位于第一晶体管的下方。另外，优选的是，第三电容器包括第四电极及第五电极，第四电极被供应接地电位或固定电位。并且，优选的是，第四晶体管的源极和漏极中的一方与第五电极电连接且源极和漏极中的另一方与连接电极电连接。
11、另外，在上述存储装置中，第四晶体管的源极和漏极中的另一方优选包括第三导电层。此时，连接电极优选具有与第三导电层的顶面接触的部分及与第三导电层的侧面接触的部分。
12、另外，在上述存储装置中，第一电极优选具有位于第四晶体管的侧方的部分。
13、另外，在上述存储装置中，第四电极优选与第一电极电连接。
14、另外，在上述存储装置中，第一晶体管优选包括半导体层及栅电极。此时，第四电极优选具有位于第一晶体管的下方的部分。并且，栅电极优选具有隔着半导体层与第四电极重叠的部分。
15、另外，在上述存储装置中，第一电极及第二电极都具有平板状的形状。另外，在上述存储装置中，优选的是，第二电极具有顶面为凹状的部分，并且第一电极具有嵌合到第二电极的顶面的凸状的部分。
16、专利技术效果
17、根据本专利技术的一个方式，可以提供一种能够实现微型化或高集成化的半导体装置或存储装置。根据本专利技术的一个方式，可以提供一种工作速度快的半导体装置或存储装置。根据本专利技术的一个方式，可以提供一种具有良好的电特性的半导体装置或存储装置。根据本专利技术的一个方式，可以提供一种晶体管的电特性的不均匀少的半导体装置或存储装置。根据本专利技术的一个方式，可以提供一种可靠性高的半导体装置或存储装置。根据本专利技术的一个方式，可以提供一种通态电流大的半导体装置或存储装置。根据本专利技术的一个方式，可以提供一种功耗低的半导体装置或存储装置。根据本专利技术的一个方式，可以提供一种新颖的半导体装置或存储装置。
18、根据本专利技术的一个方式，可以提供一种存储容量大的存储装置。根据本专利技术的一个方式，可以提供一种占有面积小的存储装置。根据本专利技术的一个方式，可以提供一种可靠性高的存储装置。根据本专利技术的一个方式，可以提供一种功耗低的存储装置。根据本专利技术的一个方式，可以提供一种新颖的存储装置。
19、注意，这些效果的记载不妨碍其他效果的本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种存储装置，包括：
2.根据权利要求1所述的存储装置，
3.根据权利要求1或2所述的存储装置，还包括：
4.根据权利要求3所述的存储装置，
5.根据权利要求3所述的存储装置，还包括：
6.根据权利要求5所述的存储装置，
7.根据权利要求5所述的存储装置，
8.根据权利要求7所述的存储装置，
9.根据权利要求5所述的存储装置，
10.根据权利要求1或2所述的存储装置，
11.根据权利要求1或2所述的存储装置，
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种存储装置，包括：
2.根据权利要求1所述的存储装置，
3.根据权利要求1或2所述的存储装置，还包括：
4.根据权利要求3所述的存储装置，
5.根据权利要求3所述的存储装置，还包括：
6.根据权利要求5...
【专利技术属性】
技术研发人员：山崎舜平，大贯达也，国武宽司，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：
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