【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体器件，尤其涉及一种半导体器件及其制备方法。
技术介绍
1、金属氧化物半导体场效应晶体管（metal oxide semiconductor field effecttransistor，mosfet）具有高开关速度、高耐压、低导通电阻、宽安全工作区以及良好的热稳定型等特点，广泛地应用于开关电源、汽车电子、航天航空等功率集成电路和功率集成系统中。
2、在mosfet器件技术的发展中，如何改善半导体器件的可靠性，一直是半导体器件技术中的研究方向。
技术实现思路
1、本申请实施例提供的半导体器件及其制备方法，能够提高半导体器件的可靠性。
2、第一方面，根据本申请实施例提出了一种半导体器件制备方法，半导体器件的制备方法包括如下步骤：在外延层的一侧形成沟槽，沟槽包括底壁和侧壁，侧壁包括第一区域和第二区域，第一区域位于第二区域和底壁之间；在沟槽内形成牺牲层，牺牲层覆盖底壁以及第一区域；至少在第二区域的表面形成第一掩膜层；去除牺牲层，并在底壁以及第一区域形成第一氧化部；去除第一掩膜层，并在第二区域形成第二氧化部，第一氧化部的厚度大于第二氧化部的厚度，第一氧化部和第二氧化部形成栅极氧化层。
3、根据本申请实施例的第一方面，至少在第二区域的表面形成第一掩膜层的步骤中包括：在第二区域的表面形成第一过渡部；在第一过渡部背向第二区域的一侧以及牺牲层背向底壁的一侧形成第一预制掩膜层；去除牺牲层背向底壁一侧的第一预制掩膜层以使第一过渡部背向第二区域一侧的第一
4、根据本申请实施例的第一方面，第一过渡部的材料包括氧化硅，第一掩膜部的材料包括氮化硅。
5、根据本申请实施例的第一方面，第一过渡部的厚度小于第一氧化部的厚度。
6、根据本申请实施例的第一方面，在外延层的一侧形成沟槽的步骤中包括：在外延层的一侧表面形成第二掩膜层，第二掩膜层包括第二掩膜部以及开口，开口贯穿第二掩膜层；刻蚀开口暴露的外延层以形成沟槽。
7、根据本申请实施例的第一方面，第二掩膜层包括第二掩膜部和第二过渡部，第二过渡部位于第二掩膜部与外延层之间。
8、根据本申请实施例的第一方面，还包括：在外延层的一侧形成掺杂部，掺杂部沿第一方向的正投影位于第二区域沿第一方向的正投影内，第一方向和外延层的厚度方向垂直设置。
9、根据本申请实施例的第一方面，在外延层的一侧形成掺杂部的步骤中包括：在外延层的一侧依次形成第一掺杂部、第二掺杂部以及第三掺杂部 ，第一掺杂部包覆第二掺杂部以及第三掺杂部设置，第三掺杂部位于第二掺杂部背向沟槽的一侧，第二掺杂部和外延层均为第一掺杂类型，第一掺杂部和第三掺杂部均为第二掺杂类型，第一掺杂部沿第一方向的正投影位于第二区域沿第一方向的正投影内。
10、根据本申请实施例的第一方面，还包括：在外延层沿外延层厚度方向上的一侧形成源极导电层，源极导电层覆盖沟槽，且源极导电层与掺杂部电连接设置。
11、根据本申请实施例的第一方面，还包括：在栅极氧化层背向沟槽的一侧形成栅极，栅极位于沟槽内。
12、第二方面，根据本申请实施例提出了一种半导体器件，采用前述任一实施例的半导体器件的制备方法制备而成。
13、根据本申请提供的半导体器件及其制备方法中，通过在沟槽内不同区域分别形成牺牲层和第一掩膜层，并去除牺牲层后制备第一氧化部，在制备完第一氧化部后再将第一掩膜层去除，并制备第二氧化部，由于第二氧化部的厚度小于第一氧化部的厚度，使得第二氧化部在制备过程中对第一氧化部的影响较小。第一氧化部覆盖底壁设置，以降低栅极和漏极的寄生电容，降低对半导体器件开关速度以及动态功耗的影响。第一氧化部还覆盖第一区域，使得第一氧化部覆盖底壁和第一区域连接的沟槽拐角处，从而降低沟槽拐角处电场集中导致半导体器件被击穿的可能性，提高半导体器件的可靠性。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述至少在所述第二区域的表面形成第一掩膜层的步骤中包括：
3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述第一过渡部的材料包括氧化硅，所述第一掩膜部的材料包括氮化硅。
4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述第一过渡部的厚度小于所述第一氧化部的厚度。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在外延层的一侧形成沟槽的步骤中包括：
6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述第二掩膜层包括第二掩膜部和第二过渡部，所述第二过渡部位于所述第二掩膜部与所述外延层之间。
7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，还包括：
8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，在所述外延层的一侧形成掺杂部的步骤中包括：
9.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，还包括：
10.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，还包括：
11.一种半导体器件，其特征在
...【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述至少在所述第二区域的表面形成第一掩膜层的步骤中包括：
3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述第一过渡部的材料包括氧化硅，所述第一掩膜部的材料包括氮化硅。
4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述第一过渡部的厚度小于所述第一氧化部的厚度。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在外延层的一侧形成沟槽的步骤中包括：
6.根据权利要求5所述的制...
【专利技术属性】
技术研发人员：龚雪芹，张彦飞，刘梦新，温霄霞，李寿全，
申请(专利权)人：北京中科新微特科技开发股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。