【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体设备，具体涉及一种改善晶圆侧面成膜的装置。
技术介绍
1、半导体制造工艺过程中，常通过特定的工艺气体对加热盘上的晶圆表面进行化学气相沉积，以在晶圆表面形成薄膜。
2、一般地，晶圆表面的薄膜有厚度要求，在一定厚度范围成膜时，易于在晶圆的侧面累积膜液，使得晶圆侧面也成膜；而晶圆成膜时要求仅在晶圆表面成膜、晶圆的侧面不形成膜层，这样就不符合晶圆的成膜要求；且晶圆侧面成膜时，并不是如晶圆表面一样形成完整膜层，而是在晶圆侧面形成断续的、厚薄不一的膜絮，这对晶圆的洁净度造成影响；另一方面，晶圆侧面带有膜絮后，还会使得晶圆将侧面膜絮带到后续工艺装置上，对后续工艺造成干扰，使得成膜腔室以及后续传送通道的洁净度也受到影响，不利于晶圆的工艺稳定性。
技术实现思路
1、本申请实施例的目的在于提供一种改善晶圆侧面成膜的装置，能够改善晶圆侧面的成膜情况，提高晶圆的工艺稳定性。
2、本申请实施例的一方面，提供了一种改善晶圆侧面成膜的装置，包括：工艺腔，所述工艺腔内设置有加热盘，所述加热盘上用于设置晶圆，所述加热盘的上方还设置有喷淋上板，通过所述喷淋上板朝向所述晶圆的上方通入工艺气体以用于在所述晶圆的表面成膜，所述加热盘的侧面设置有阻隔结构，以用于阻隔所述工艺气体接触所述晶圆的侧面，避免在所述晶圆的侧面成膜。
3、可选地，所述加热盘的表面形成有容置槽，所述晶圆设置在所述容置槽内，所述容置槽的槽壁与水平面之间夹设有倾角，所述晶圆的侧面和所述容置槽的槽壁之间形成间
4、可选地，所述阻隔脚具有靠近所述槽壁的第一面以及靠近所述晶圆的第二面，所述第一面与所述水平面之间形成与所述倾角匹配的第一夹角，所述第二面与所述水平面之间形成第二夹角。
5、可选地，所述第一夹角在30°～40°之间。
6、可选地，所述第二夹角在30°～90°之间。
7、可选地，所述阻隔部的厚度在0.5mm～2mm之间。
8、可选地，所述阻隔部包括平行设置的第一阻隔部和第二阻隔部，以及连接所述第一阻隔部和所述第二阻隔部的连接部，以形成半封闭的结构包裹在所述加热盘的侧面,所述第一阻隔部位于所述加热盘容置所述晶圆的一侧，所述阻隔脚连接在所述第一阻隔部靠近所述晶圆的一侧。
9、可选地，所述连接部靠近所述加热盘的内壁还设置有卡槽。
10、可选地，所述阻隔部为圆环，所述圆环位于所述加热盘容置所述晶圆的一侧，所述阻隔脚连接在所述圆环靠近所述晶圆的一侧。
11、可选地，所述阻隔结构的材料至少包括陶瓷或蓝宝石。
12、本申请实施例提供的改善晶圆侧面成膜的装置，通过在工艺腔内设置加热盘，以及在加热盘上方设置喷淋上板，喷淋上板朝向加热盘上的晶圆喷淋工艺气体时，晶圆表面可形成膜层；而为了避免在晶圆侧面形成膜层，在加热盘的侧面设置阻隔结构，阻隔结构的作用是阻止工艺气体接触晶圆侧面，这样一来，就可以避免由于工艺气体接触晶圆侧面而在晶圆侧面成膜的情况，降低了晶圆侧面成膜的概率，也改善了现有技术由于在晶圆侧面成膜导致的晶圆本身的洁净度，以及长期工艺累积产生的工艺腔、后续传送通道的洁净度的问题，进而提高了晶圆整体工艺的稳定性，保证了晶圆的工艺质量。
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1.一种改善晶圆侧面成膜的装置，其特征在于，包括：工艺腔，所述工艺腔内设置有加热盘，所述加热盘上用于设置晶圆，所述加热盘的上方还设置有喷淋上板，通过所述喷淋上板朝向所述晶圆的上方通入工艺气体以用于在所述晶圆的表面成膜，所述加热盘的侧面设置有阻隔结构，以用于阻隔所述工艺气体接触所述晶圆的侧面，避免在所述晶圆的侧面成膜。
2.根据权利要求1所述的改善晶圆侧面成膜的装置，其特征在于，所述加热盘的表面形成有容置槽，所述晶圆设置在所述容置槽内，所述容置槽的槽壁与水平面之间夹设有倾角，所述晶圆的侧面和所述容置槽的槽壁之间形成间隙，所述阻隔结构包括伸进所述间隙的阻隔脚，以及与所述阻隔脚连接、且设置在所述加热盘侧面的阻隔部。
3.根据权利要求2所述的改善晶圆侧面成膜的装置，其特征在于，所述阻隔脚具有靠近所述槽壁的第一面以及靠近所述晶圆的第二面，所述第一面与所述水平面之间形成与所述倾角匹配的第一夹角，所述第二面与所述水平面之间形成第二夹角。
4.根据权利要求3所述的改善晶圆侧面成膜的装置，其特征在于，所述第一夹角在30°～40°之间。
5.根据权利要
6.根据权利要求2所述的改善晶圆侧面成膜的装置，其特征在于，所述阻隔部的厚度在0.5mm～2mm之间。
7.根据权利要求2至6任一项所述的改善晶圆侧面成膜的装置，其特征在于，所述阻隔部包括平行设置的第一阻隔部和第二阻隔部，以及连接所述第一阻隔部和所述第二阻隔部的连接部，以形成半封闭的结构包裹在所述加热盘的侧面,所述第一阻隔部位于所述加热盘容置所述晶圆的一侧，所述阻隔脚连接在所述第一阻隔部靠近所述晶圆的一侧。
8.根据权利要求7所述的改善晶圆侧面成膜的装置，其特征在于，所述连接部靠近所述加热盘的内壁还设置有卡槽。
9.根据权利要求2至6任一项所述的改善晶圆侧面成膜的装置，其特征在于，所述阻隔部为圆环，所述圆环位于所述加热盘容置所述晶圆的一侧，所述阻隔脚连接在所述圆环靠近所述晶圆的一侧。
10.根据权利要求1所述的改善晶圆侧面成膜的装置，其特征在于，所述阻隔结构的材料至少包括陶瓷或蓝宝石。
...【技术特征摘要】
1.一种改善晶圆侧面成膜的装置，其特征在于，包括：工艺腔，所述工艺腔内设置有加热盘，所述加热盘上用于设置晶圆，所述加热盘的上方还设置有喷淋上板，通过所述喷淋上板朝向所述晶圆的上方通入工艺气体以用于在所述晶圆的表面成膜，所述加热盘的侧面设置有阻隔结构，以用于阻隔所述工艺气体接触所述晶圆的侧面，避免在所述晶圆的侧面成膜。
2.根据权利要求1所述的改善晶圆侧面成膜的装置，其特征在于，所述加热盘的表面形成有容置槽，所述晶圆设置在所述容置槽内，所述容置槽的槽壁与水平面之间夹设有倾角，所述晶圆的侧面和所述容置槽的槽壁之间形成间隙，所述阻隔结构包括伸进所述间隙的阻隔脚，以及与所述阻隔脚连接、且设置在所述加热盘侧面的阻隔部。
3.根据权利要求2所述的改善晶圆侧面成膜的装置，其特征在于，所述阻隔脚具有靠近所述槽壁的第一面以及靠近所述晶圆的第二面，所述第一面与所述水平面之间形成与所述倾角匹配的第一夹角，所述第二面与所述水平面之间形成第二夹角。
4.根据权利要求3所述的改善晶圆侧面成膜的装置，其特征在于，所述第一夹角在30°～40°之间。...
【专利技术属性】
技术研发人员：李欣，高峰峡，戚艳丽，于海涛，
申请(专利权)人：拓荆创益沈阳半导体设备有限公司，
类型：发明
国别省市：
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