【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体封装，更具体涉及一种含高中低密度芯片的封装结构。
技术介绍
1、随着半导体技术发展，市场对电子设备的期望和需求越来越高，应用的制造技术也在不断地提高。高集成化、高密度化的封装，是满足小体积、高性能、高能效的芯片封装结构的发展需求。现有技术中，通过tsv(through silicon vias)或者rdl(redistributionlayer)实现的高密度互联结构。
2、tsv是利用短的垂直电连接或通过硅晶片的"通孔"，以建立从芯片的有效侧到背面的电连接，tsv提供最短的互连路径，为最终的3d集成创造了一条途径。rdl作为晶圆级封装中的核心技术，起着xy平面电气延伸和互联的作用，是将原来设计的芯片线路接点位置(i/o pad)，通过晶圆级金属布线制程和凸块制程改变其接点位置，使芯片能适用于不同的封装形式。
3、tsv与rdl是针对高密度凸块实现互联的技术，制作成本较高，制作难度大，若用于低密度芯片互联，性价比太低，不适合批量生产。
技术实现思路
1、为了解决上述问题，本技术提供了一种生产性价比较高的含高中低密度芯片的封装结构，制造难度降低，适合量产。
2、根据本技术的一个方面，提供了一种含高中低密度芯片的封装结构，包括：
3、基板，所述基板内预埋有第二芯片，第二芯片位于靠基板正面的一侧，基板的背面贴装有第三芯片，第三芯片与基板之间具有填充料三；
4、重分布层，所述重分布层贴装有第一芯片，第一芯片与重分布层
5、载有封装后的第一芯片的重分布层倒装于基板的正面，焊球一与基板连接，塑封层与基板之间填充有填充料二。
6、在一些实施方式中，第一芯片的凸块间距为40～60μm，第二芯片的凸块间距为60～90μm，第三芯片的凸块间距为大于90μm。
7、在一些实施方式中，重分布层的背面植有焊球二。
8、在一些实施方式中，重分布层内具有高密度线路层。
9、在一些实施方式中，第一芯片为一种或多种，所述第一芯片采用正面贴装于重分布层，或者第一芯片采用倒装贴装于重分布层。
10、与现有技术相比，本技术的有益效果是：本技术综合成本及技术要求，结合芯片埋入技术及rdl技术实现不同凸块密度的芯片互联，各芯片可采用不同凸块密度的芯片，提供一种含高中低密度芯片的封装结构，该新型的芯片封装结构中，通过将第二芯片预埋在基板中，减少基板厚度、降低基板制作难度，通过铜柱和焊球一将第一芯片及重分布层与基板互联，减少电性能传输路径、提高电性能传输效率，该含高中低密度芯片的封装结构相对于单纯采用tsv或rdl技术实现互联结构而言，工艺难度减低，性价比更高。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种含高中低密度芯片的封装结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的含高中低密度芯片的封装结构，其特征在于，所述第一芯片(5)的凸块间距为40～60μm，所述第二芯片(2)的凸块间距为60～90μm，所述第三芯片(3)的凸块间距为大于90μm。
3.根据权利要求1或2所述的含高中低密度芯片的封装结构，其特征在于，所述重分布层(4)的背面植有焊球二(9)。
4.根据权利要求3所述的含高中低密度芯片的封装结构，其特征在于，所述重分布层(4)内具有高密度线路层。
5.根据权利要求1所述的含高中低密度芯片的封装结构，其特征在于，所述第一芯片(5)为一种或多种，所述第一芯片(5)采用正面贴装于重分布层(4)，或者第一芯片(5)采用倒装贴装于重分布层(4)。
【技术特征摘要】
1.一种含高中低密度芯片的封装结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的含高中低密度芯片的封装结构，其特征在于，所述第一芯片(5)的凸块间距为40～60μm，所述第二芯片(2)的凸块间距为60～90μm，所述第三芯片(3)的凸块间距为大于90μm。
3.根据权利要求1或2所述的含高中低密度芯片的封装结构，其特征在于，所述重分...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈晗玥，
申请(专利权)人：江苏芯德半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。