【技术实现步骤摘要】
本申请涉及晶圆生产设备，具体而言，涉及一种半导体晶圆的研磨抛光设备。
技术介绍
1、晶圆的切、磨、抛是半导体芯片及器件工艺过程中的重要环节。通常，晶园磨抛时，首先要将晶片用石蜡熔粘贴在磨盘上，结束后，还需熔融后取下。此工序操作繁杂，因晶片磨抛时伴随着摩擦引起的发热，会使部分石蜡在磨抛过程中熔化，致使晶片在磨盘上歪斜，导致晶片各处不能均匀磨抛，因此不能保证平整度等磨抛质量。
技术实现思路
1、本申请的内容部分用于以简要的形式介绍构思，这些构思将在后面的具体实施方式部分被详细描述。本申请的内容部分并不旨在标识要求保护的技术方案的关键特征或必要特征，也不旨在用于限制所要求的保护的技术方案的范围。
2、为解决以上
技术介绍
部分所提及的技术问题，本申请提供了一种半导体晶圆的研磨抛光设备，包括：转盘、研磨台、驱动件、夹持盘以及限位装置；其中，转盘一端具有供研磨膏铺放的研磨表面；研磨台用于安装转盘；驱动件固定设置在研磨台并与转盘连接以驱动转盘旋转；转盘远离研磨表面的一端转动连接至研磨台；夹持盘用于夹持安装待研磨的晶片；限位装置连接于研磨台并与夹持盘接触以限制夹持盘相对研磨台移动；夹持盘位于转盘远离研磨台的一端；夹持盘包括：吸附部；吸附部在靠近研磨表面的一端设有与待研磨晶片接触的接触面以将待研磨的晶片设置于接触面与研磨表面之间；夹持盘设有与一负压发生装置连通的气体通道以在负压发生装置工作时在气体通道内形成负压；气体通道贯穿接触面以在气体通道内形成负压时吸附与接触面接触的待研磨晶片。>
3、在一些实施例中，吸附部靠近接触面的一端还设有：若干旁通通道；其中，若干旁通通道与气体通道连通；旁通通道靠近接触面的一端贯穿接触面。
4、在一些实施例中，气体通道设于吸附部中部；旁通通道形成于气体通道的外周。
5、在一些实施例中，夹持盘还包括：连接部；其中，连接部连接于负压发生装置与吸附部之间；连接部设有与负压发生装置以及气体通道连通的穿孔；半导体晶圆的研磨抛光设备还包括：若干弹性垫；其中，弹性垫设置于连接部与吸附部之间；弹性垫两端分别接触连接部和吸附部；连接部靠近吸附部的一端与吸附部之间具有间隙以使吸附部相对连接部活动设置。
6、在一些实施例中，夹持盘还包括：限位部；其中，限位部固定连接在连接部靠近吸附部的一端且环绕于吸附部的外围；连接部靠近吸附部的一端与限位部合围形成供吸附部的至少部分放置的间隙空间；弹性垫位于间隙空间内；吸附部与间隙空间的至少一部分内壁间隔设置以使吸附部活动设置在间隙空间中。
7、在一些实施例中，夹持盘还包括：软管；其中，软管固定连接在连接部和吸附部之间；软管两端分别连通气体通道和穿孔。
8、在一些实施例中，限位装置包括：第一保持件、第一接触件、第二保持件以及第二接触件；其中，第一保持件连接于研磨台；第一接触件转动连接于第一保持件并与夹持盘侧面构成点接触；第二保持件可拆卸连接于第一保持件一侧；第二接触件转动连接于第二保持件并与夹持盘侧面构成点接触；第一接触件和第二接触件分别接触夹持盘表面相异的两个位置。
9、在一些实施例中，夹持盘侧面接触第一接触件的点至夹持盘的中心线的垂线与夹持盘侧面接触第二接触件的点至夹持盘的中心线的垂线之间的夹角的取值范围为50°至140°。
10、在一些实施例中，研磨台固定连接/一体成型有连接柱；第一保持件套设于连接柱以与研磨台构成转动连接；限位装置还包括：扭簧；其中，扭簧套设于连接柱且位于连接柱与第一保持件之间；扭簧的一端抵接连接柱，扭簧的另一端抵接第一保持件。
11、在一些实施例中，第二保持件设有调节槽；限位装置还包括：固定件；其中，固定件具有与第一保持件螺纹连接的螺纹部和位于螺纹部一端的锁紧部；固定件从调节槽穿过并与第一保持件构成螺纹连接；锁紧部与第二保持件表面接触以限制第二保持件相对第一保持件活动。
12、本申请的有益效果在于：提供了一种便于操作且提升研磨质量的研磨抛光设备。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种半导体晶圆的研磨抛光设备，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体晶圆的研磨抛光设备，其特征在于：
3.根据权利要求2所述的半导体晶圆的研磨抛光设备，其特征在于：
4.根据权利要求3所述的半导体晶圆的研磨抛光设备，其特征在于：
5.根据权利要求4所述的半导体晶圆的研磨抛光设备，其特征在于：
6.根据权利要求5所述的半导体晶圆的研磨抛光设备，其特征在于：
7.根据权利要求1至6任意一项所述的半导体晶圆的研磨抛光设备，其特征在于：
8.根据权利要求7所述的半导体晶圆的研磨抛光设备，其特征在于：
9.根据权利要求7所述的半导体晶圆的研磨抛光设备，其特征在于：
10.根据权利要求7所述的半导体晶圆的研磨抛光设备，其特征在于：
【技术特征摘要】
1.一种半导体晶圆的研磨抛光设备，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体晶圆的研磨抛光设备，其特征在于：
3.根据权利要求2所述的半导体晶圆的研磨抛光设备，其特征在于：
4.根据权利要求3所述的半导体晶圆的研磨抛光设备，其特征在于：
5.根据权利要求4所述的半导体晶圆的研磨抛光设备，其特征在于：
6.根据权利...
【专利技术属性】
技术研发人员：郑律，马可军，孟庆党，
申请(专利权)人：浙江森尼克半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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