【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电子，尤其涉及一种红外探测器下电自动快速置零保护电路及红外探测器。
技术介绍
1、当前常用的红外探测器在下电状态时，由于各路供电电源下电时间不确定，处理器的工作状态不确定，造成红外探测器内部数字电路控制时序短时失控，红外成像矩阵极易打出横线，造成严重损害，此时必须有效控制异步复位管脚置零，才能彻底解决这类故障。
技术实现思路
1、为了解决现有技术中的问题，本专利技术提供了一种红外探测器下电自动快速置零保护电路，包括充电电路、比较器、mos管，所述充电电路包括第四电阻、二极管、第一电容、第二电容，所述mos管栅极与所述比较器输出端连接，所述mos管源极连接信号地，所述比较器电源端负极接信号地，所述比较器同相输入端分别与所述二极管负极、所述第一电容一端连接，所述比较器反相输入端分别与所述第四电阻一端、所述第二电容一端连接，所述二极管正极用于连接数字电源vddl，所述第四电阻另一端用于连接数字电源vddl，所述第一电容另一端接信号地，所述第二电容另一端接信号地。
2、作为本专利技术的进一步改进，所述充电电路包括第一电阻，所述第一电阻一端用于连接数字电源vddl，所述第一电阻另一端与所述二极管正极连接。
3、作为本专利技术的进一步改进，所述充电电路还包括第二电阻、第三电阻，所述第一电阻另一端分别连接第二电阻一端、二极管正极，所述第二电阻另一端连接第三电阻一端，所述第三电阻另一端接信号地。
4、作为本专利技术的进一步改进，该红外探测器下电自动
5、作为本专利技术的进一步改进，该红外探测器下电自动快速置零保护电路还包括第五电阻、第六电阻、第四电容，所述第五电阻、所述第六电阻、所述第四电容与所述mos管组成置零驱动电路，所述mos管栅极分别连接所述第五电阻一端、所述第六电阻一端、所述第四电容一端，所述比较器输出端连接所述第五电阻另一端，所述第四电容另一端接信号地，所述第六电阻另一端接信号地。
6、作为本专利技术的进一步改进，所述第一电容、第二电容充电电压关系如下：
7、所述第一电容两端充电电压
8、＝[{vddl*(r2+r3)/(r1+r2+r3)}-vd]*(1-e-t/τ)，
9、充电时间常数τ＝(r1+rd)*c1；
10、所述第二电容两端充电电压＝vddl*(1-e-t/τ)，充电时间常数τ＝r4*c2；
11、所述第一电容充电完成后稳定电压为：
12、{vddl*(r2+r3)/(r1+r2+r3)}-vd；
13、所述第二电容充电完成后两端稳定电压为vddl；
14、所述第一电容，第二电容放电电压关系：
15、第一电容两端放电电压＝[{vddl*(r2+r3)/(r1+r2+r3)}-vd]*e-t/τ，放电时间常数τ＝ru*c1；
16、第二电容两端放电电压＝vddl*e-t/τ，放电时间常数τ＝r4*c2，vddl为红外探测器数字电源电压，vd为二极管的压降，rd为二极管的正向导通内阻，ru为比较器同相输入端内阻。
17、作为本专利技术的进一步改进，在开机上电状态下，红外探测器数字电源vddl通过所述第四电阻对所述第二电容充电，红外探测器数字电源vddl通过所述第一电阻、所述二极管对所述第一电容充电，所述第一电阻与所述第四电阻阻值相等，所述第一电容容量为所述第二电容容量十倍以上；
18、正常工作状态下，所述第二电容电压为vddl，所述第一电容电压为{vddl*(r1+r2)/(r1+r2+r3)}-vd1，所述第二电容电压高于所述第一电容电压，所述比较器的反相输入端电压高于同相输入端电压，vd1为二极管的压降。
19、作为本专利技术的进一步改进，所述比较器的型号是sgm8707yc5g，所述二极管的型号是b0540w，所述mos管的型号是cj2312。
20、本专利技术还公开了一种红外探测器，该红外探测器包括数字电源vddl、模拟电源vdda、异步复位管脚nrst、本专利技术所述的红外探测器下电自动快速置零保护电路，所述红外探测器的数字电源vddl与所述充电电路连接，所述红外探测器的模拟电源vdda与所述检测比较电路连接，所述红外探测器的异步复位管脚nrst与所述置零驱动电路连接。
21、作为本专利技术的进一步改进，所述红外探测器的数字电源vddl分别与所述第一电阻一端、所述第四电阻另一端连接，所述红外探测器的模拟电源vdda分别与所述第三电容一端、所述比较器电源端正极连接，所述红外探测器的的异步复位管脚nrst与mos管的漏极连接。
22、本专利技术的有益效果是：1.本专利技术红外探测器下电自动快速置零保护电路可彻底解决常用的红外探测器红外成像矩阵下电时极易打出横线故障，无法正常使用的问题，在红外探测器下电时能够自动识别，快速将异步复位管脚置零并保持一段时间，从而有效防止红外成像矩阵打出横线；2.本专利技术红外探测器下电自动快速置零保护电路在上电及正常工作时对红外探测器数字电路工作无任何影响，不影响软件对红外探测器的控制，电路简单可靠，功耗极低，可完全采用分立国产化器件实现。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种红外探测器下电自动快速置零保护电路，其特征在于：包括充电电路(1)、比较器(U1)、MOS管(Q1)，所述充电电路(1)包括第四电阻(R4)、二极管(D1)、第一电容(C1)、第二电容(C2)，所述MOS管(Q1)栅极与所述比较器(U1)输出端连接，所述MOS管(Q1)源极连接信号地，所述比较器(U1)电源端负极接信号地，所述比较器(U1)同相输入端分别与所述二极管(D1)负极、所述第一电容(C1)一端连接，所述比较器(U1)反相输入端分别与所述第四电阻(R4)一端、所述第二电容(C2)一端连接，所述二极管(D1)正极用于连接数字电源VDDL，所述第四电阻(R4)另一端用于连接数字电源VDDL，所述第一电容(C1)另一端接信号地，所述第二电容(C2)另一端接信号地。
2.根据权利要求1所述的红外探测器下电自动快速置零保护电路，其特征在于：所述充电电路(1)还包括第一电阻(R1)，所述第一电阻(R1)一端用于连接数字电源VDDL，所述第一电阻(R1)另一端与所述二极管(D1)正极连接。
3.根据权利要求2所述的红外探测器下电自动快速置零保护电路，其特
4.根据权利要求2至3任一项所述的红外探测器下电自动快速置零保护电路，其特征在于：该红外探测器下电自动快速置零保护电路还包括第三电容(C3)，所述第三电容(C3)与所述比较器(U1)组成检测比较电路(2)，所述第三电容(C3)一端与所述比较器(U1)电源端正极连接，所述第三电容(C3)另一端连接信号地。
5.根据权利要求1至3任一项所述的红外探测器下电自动快速置零保护电路，其特征在于：该红外探测器下电自动快速置零保护电路还包括第五电阻(R5)、第六电阻(R6)、第四电容(C4)，所述第五电阻(R5)、所述第六电阻(R6)、所述第四电容(C4)与所述MOS管(Q1)组成置零驱动电路(3)，所述MOS管(Q1)栅极分别连接所述第五电阻(R5)一端、所述第六电阻(R6)一端、所述第四电容(C4)一端，所述比较器(U1)输出端连接所述第五电阻(R5)另一端，所述第四电容(C4)另一端接信号地，所述第六电阻(R6)另一端接信号地。
6.根据权利要求3所述的红外探测器下电自动快速置零保护电路，其特征在于：所述第一电容(C1)、第二电容(C2)充电电压关系如下：
7.根据权利要求3所述的红外探测器下电自动快速置零保护电路，其特征在于：在开机上电状态下，红外探测器数字电源VDDL通过所述第四电阻(R4)对所述第二电容(C2)充电，红外探测器数字电源VDDL通过所述第一电阻(R1)、所述二极管(D1)对所述第一电容(C1)充电，所述第一电阻(R1)与所述第四电阻(R4)阻值相等，所述第一电容(C1)容量为所述第二电容(C2)容量十倍以上；
8.根据权利要求1所述的红外探测器下电自动快速置零保护电路，其特征在于：所述比较器(U1)的型号是SGM8707YC5G，所述二极管(D1)的型号是B0540W，所述MOS管(Q1)的型号是CJ2312。
9.一种红外探测器，其特征在于：该红外探测器包括数字电源VDDL、模拟电源VDDA、异步复位管脚NRST、权利要求4所述的红外探测器下电自动快速置零保护电路，所述红外探测器的数字电源VDDL与所述充电电路(1)连接，所述红外探测器的模拟电源VDDA与所述检测比较电路(2)连接，所述红外探测器的异步复位管脚NRST与所述置零驱动电路(3)连接。
10.根据权利要求9所述的红外探测器，其特征在于：所述红外探测器的数字电源VDDL分别与所述第一电阻(R1)一端、所述第四电阻(R4)另一端连接，所述红外探测器的模拟电源VDDA分别与所述第三电容(C3)一端、所述比较器(U1)电源端正极连接，所述红外探测器的的异步复位管脚NRST与所述MOS管(Q1)的漏极连接。
...【技术特征摘要】
1.一种红外探测器下电自动快速置零保护电路，其特征在于：包括充电电路(1)、比较器(u1)、mos管(q1)，所述充电电路(1)包括第四电阻(r4)、二极管(d1)、第一电容(c1)、第二电容(c2)，所述mos管(q1)栅极与所述比较器(u1)输出端连接，所述mos管(q1)源极连接信号地，所述比较器(u1)电源端负极接信号地，所述比较器(u1)同相输入端分别与所述二极管(d1)负极、所述第一电容(c1)一端连接，所述比较器(u1)反相输入端分别与所述第四电阻(r4)一端、所述第二电容(c2)一端连接，所述二极管(d1)正极用于连接数字电源vddl，所述第四电阻(r4)另一端用于连接数字电源vddl，所述第一电容(c1)另一端接信号地，所述第二电容(c2)另一端接信号地。
2.根据权利要求1所述的红外探测器下电自动快速置零保护电路，其特征在于：所述充电电路(1)还包括第一电阻(r1)，所述第一电阻(r1)一端用于连接数字电源vddl，所述第一电阻(r1)另一端与所述二极管(d1)正极连接。
3.根据权利要求2所述的红外探测器下电自动快速置零保护电路，其特征在于：所述充电电路(1)还包括第二电阻(r2)、第三电阻(r3)，所述第一电阻(r1)另一端分别连接第二电阻(r2)一端、二极管(d1)正极，所述第二电阻(r2)另一端连接第三电阻(r3)一端，所述第三电阻(r3)另一端接信号地。
4.根据权利要求2至3任一项所述的红外探测器下电自动快速置零保护电路，其特征在于：该红外探测器下电自动快速置零保护电路还包括第三电容(c3)，所述第三电容(c3)与所述比较器(u1)组成检测比较电路(2)，所述第三电容(c3)一端与所述比较器(u1)电源端正极连接，所述第三电容(c3)另一端连接信号地。
5.根据权利要求1至3任一项所述的红外探测器下电自动快速置零保护电路，其特征在于：该红外探测器下电自动快速置零保护电路还包括第五电阻(r5)、第六电阻(r6)、第四电容(c4)，所述第五电阻(r5)、所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：曾华雄，姜钰珍，赵慧，王雪琰，
申请(专利权)人：浙江兆晟科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。