【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体制造，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。
技术介绍
1、动态随机存储器(dynamic random access memory，dram)是计算机等电子设备中常用的半导体装置，其由多个存储单元构成，每个存储单元通常包括晶体管和电容器。所述晶体管的栅极与字线电连接、源极与位线电连接、漏极与电容器电连接，字线上的字线电压能够控制晶体管的开启和关闭，从而通过位线能够读取存储在电容器中的数据信息，或者将数据信息写入到电容器中。
2、为了满足高的存储密度和高的集成度的要求，dram等存储器逐渐由二维结构向三维结构发展。具有三维结构的dram等半导体结构在制造过程中需要先通过沉积工艺形成半导体层和牺牲层堆叠的超晶格结构，这就使得最终形成的半导体结构中存在应力，而且由于牺牲层中的粒子扩散，还会导致所述半导体层中掺入杂质，从而影响半导体结构的性能。
3、因此，如何避免超晶格结构对半导体结构产品良率的影响，从而改善半导体结构的性能，是当前亟待解决的技术问题。
技术实现思路
1、本公开一些实施例提供一种半导体结构及其形成方法，用于减少半导体结构中的缺陷，以提高半导体结构的制造良率，并改善半导体结构的性能。
2、根据一些实施例，本公开提供了一种半导体结构的形成方法，包括以下步骤：
3、提供衬底；
4、于所述衬底的顶面上形成堆叠层，以及沿第一方向贯穿所述堆叠层且暴露所述衬底的第一沟槽，所述第一方向垂直于所述衬底的顶面；
...【技术保护点】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，于所述衬底的顶面上形成堆叠层，以及沿第一方向贯穿所述堆叠层且暴露所述衬底的第一沟槽的步骤包括：
3.根据权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，于所述第一沟槽内形成半导体块的步骤包括：
4.根据权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一沟槽沿第二方向贯穿所述堆叠层，所述第二方向平行于所述衬底的顶面；采用外延生长工艺于所述第一沟槽内形成所述半导体块的步骤包括：
5.根据权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除所述堆叠层并于所述半导体块中形成多个第二沟槽的步骤包括：
6.根据权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，多个所述半导体块沿第三方向间隔排布，所述第三方向平行于所述衬底的顶面；去除所述第一介质层，以形成位于沿所述第一方向相邻的所述第二介质层之间的第三沟槽的步骤包括：
7.根据权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，沿多个所述第三沟槽去
8.根据权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述分隔槽沿所述第三方向的宽度小于相邻的两个所述半导体块沿所述第三方向的距离，所述分隔槽暴露覆盖于所述半导体块垂直所述第三方向的侧壁的第一介质层和第二介质层。
9.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成多个半导体层之后，还包括以下步骤：
10.根据权利要求9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成沿所述第一方向延伸且连续覆盖沿所述第一方向间隔排布的多个所述半导体层的导电线的步骤包括：
11.根据权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述侧墙之后，还包括以下步骤：
12.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成多个半导体层之后，还包括以下步骤：
13.根据权利要求12所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成沿所述第三方向延伸且连续覆盖沿所述第三方向间隔排布的多个所述半导体层的导电线的步骤包括：
14.根据权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述侧墙之后，还包括以下步骤：
15.一种半导体结构，其特征在于，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，于所述衬底的顶面上形成堆叠层，以及沿第一方向贯穿所述堆叠层且暴露所述衬底的第一沟槽的步骤包括：
3.根据权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，于所述第一沟槽内形成半导体块的步骤包括：
4.根据权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一沟槽沿第二方向贯穿所述堆叠层，所述第二方向平行于所述衬底的顶面；采用外延生长工艺于所述第一沟槽内形成所述半导体块的步骤包括：
5.根据权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除所述堆叠层并于所述半导体块中形成多个第二沟槽的步骤包括：
6.根据权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，多个所述半导体块沿第三方向间隔排布，所述第三方向平行于所述衬底的顶面；去除所述第一介质层，以形成位于沿所述第一方向相邻的所述第二介质层之间的第三沟槽的步骤包括：
7.根据权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，沿多个所述第三沟槽去除部分的所述半导体块，以形成多个沿所述第一方向交替排布的所述第二沟槽和半导体...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄猛，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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