【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及衬底台、包含衬底台的光刻设备、用于与衬底台一起使用的粘贴件、用于衬底台的覆盖环、以及操作光刻设备的方法。
技术介绍
1、光刻设备是被构造成将期望的图案施加至衬底上的机器。光刻设备可以用于(例如)集成电路(ic)的制造中。光刻设备可以例如将图案形成装置(例如，掩模)的图案(常常也被称为“设计布局”或“设计”)投影至设置在衬底(例如，晶片)上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。
2、为将图案投影于衬底上，光刻设备可以使用电磁辐射。这种辐射的波长确定图案化于衬底上的特征的最小尺寸。当前在使用中的典型波长是365nm(i线)、248nm、193nm和13.5nm。相比于使用例如具有193nm的波长的辐射的光刻设备，使用具有在4nm至20nm的范围内(例如6.7nm或13.5nm)的波长的极紫外(euv)辐射的光刻设备可以用于在衬底上形成较小特征。
3、已将浸没技术引入至光刻系统中以使能够改善较小特征的分辨率。在浸没光刻设备中，具有相对高折射率的浸没液体的液体层插入设备的投影系统(图案化束是通过所述投影系统而朝向衬底投影)与衬底之间的空间中。浸没液体最后覆盖在投影系统的最终元件下方的衬底的部分。因此，经历曝光的衬底的至少一部分浸没在液体中。浸没液体的效应是使能够对较小特征进行成像，这是由于曝光辐射在浸没液体中相比于在气体中将具有更短的波长。(液体的效应也可以视为增加系统的有效数值孔径(na)且也增加焦深)。
4、在商用浸没光刻中，浸没液体为水。通常，水为高纯度的蒸馏水，诸如通常用于半导体制造工厂
5、在本说明书中，将在描述中参考局部化浸没，在局部化浸没中，浸没液体在使用中被限制至最终元件与面向所述最终元件的表面之间的空间。面向表面为衬底的表面或支撑台(或衬底支撑件)的与衬底的表面共面的表面。(请注意，除非以其它方式图示，否则另外地或在替代例中，在下文中对衬底的表面的参考也指衬底支撑件的表面；并且反之亦然。)存在于投影系统与平台之间的流体处理结构用于将浸没限制至空间。由浸没液体填充的空间在平面图上小于衬底的顶部表面，并且所述空间相对于投影系统保持大致静止的同时，衬底和衬底平台在下方移动。
6、流体处理结构为将浸没液体供应给空间、从空间移除浸没液体且由此将浸没液体限制至空间的结构。流体处理结构包括为流体供应系统的一部分的特征。图2和图3示出可以用于这种系统中的不同的供应装置。在wo 99/49504中公开的布置是包括管道的早期流体处理结构，所述管道供应或回收来自空间的浸没液体且所述管道依据平台在投影系统下面的相对运动来操作。在更新近的设计中，流体处理结构沿投影系统的最终元件与支撑台或衬底之间的空间的边界的至少一部分延伸，以便部分地限定空间。
7、流体处理结构可以具有一系列不同的功能。每个功能可以来源于使流体处理结构能够实现所述功能的相应的特征。所述流体处理结构可以由一定数目个不同的术语来提及，每个术语指代功能，诸如屏障构件、密封构件、流体供应系统、流体移除系统、液体限制结构等。
8、作为屏障构件，所述流体处理结构为对浸没液体从浸没空间的流动的屏障。作为液体限制结构，所述结构将浸没液体限制于空间。作为密封构件，流体处理结构的密封特征形成密封件以将浸没液体限制于所述空间。密封特征可以包括来自密封构件(诸如气刀)的表面中的开口的额外的气体流。
9、在一系列曝光期间，浸没液体的边缘与衬底的边缘重复地交叉。这些边缘交叉归因于浸没液体的弯液面的扰动或扰乱而成为被制造的器件中的缺陷的显著来源。
技术实现思路
1、期望减小归因于浸没液体的边缘交叉的缺陷。
2、根据本专利技术的一方面，提供一种用于浸没光刻设备中的衬底台，所述衬底台具有限定用于支撑待图案化的衬底的支撑平面的支撑区域和围绕所述支撑区域的上表面，其中：
3、所述上表面包括大致平面的外部区和邻近于所述支撑区域的过渡区；并且
4、所述过渡区是与所述外部区不共面的以便改善所述外部区与非标准衬底之间的水平过渡，所述非标准衬底具有不同于所述支撑平面与由所述外部区限定的名义平面之间的距离的厚度。
5、根据本专利技术的一方面，提供一种浸没光刻设备，包括：
6、如上文所描述的衬底台；
7、液体限制系统，所述液体限制系统被配置成将浸没液体限制至空间；以及
8、定位系统，所述定位系统被配置成相对于所述液体限制系统定位所述衬底台。
9、根据本专利技术的一方面，提供一种用于与浸没光刻设备的衬底台一起使用的粘贴件，所述粘贴件具有用于限定所述衬底台的上表面的过渡区的形状和构造，所述过渡区过渡区对于减小所述衬底台的所述上表面的外部区与由所述衬底台保持的衬底之间的水平过渡是有效的，所述衬底具有大于所述上表面相对于所述衬底的支撑平面的高度的厚度。
10、根据本专利技术的一方面，提供一种用于与浸没光刻设备的衬底台一起使用的覆盖环，所述覆盖环具有用于限定所述衬底台的上表面的过渡区的形状和构造，所述过渡区对于减小所述衬底台的所述上表面的外部区与由所述衬底台保持的衬底之间的水平过渡是有效的，所述衬底具有不同于所述上表面相对于所述衬底的支撑平面的高度的厚度。
11、根据本专利技术的一方面，提供一种操作浸没光刻设备的方法，所述方法包括：
12、在衬底台的上表面上提供浸没液体；以及
13、控制所述浸没液体以从所述上表面上移动至支撑在所述衬底台的支撑区域中的衬底上；
14、其中，所述浸没液体在朝向衬底沿上表面移动时移动越过过渡区，所述过渡区对于减小所述衬底台的所述上表面的外部区与衬底之间的水平过渡是有效的；并且
15、衬底具有不同于上表面相对于支撑区域的高度的厚度。
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1.一种用于浸没光刻设备中的衬底台，所述衬底台具有限定用于支撑待图案化的衬底的支撑平面的支撑区域和围绕所述支撑区域的上表面，其中：
2.根据权利要求1所述的衬底台，其中，所述过渡区形成围绕所述支撑区域的环或所述过渡区沿围绕所述支撑区域的一个或更多个离散的区延伸。
3.根据权利要求1或2所述的衬底台，其中，所述过渡区的最内边缘与所述支撑区域的外部边缘隔开不大于3mm，期望地不大于1mm。
4.根据任一前述权利要求所述的衬底台，其中，所述过渡区的至少一部分距所述名义平面的距离大于10μm、期望地大于20μm，和/或其中，所述过渡区的任何部分距所述名义平面不大于300μm、期望地不大于150μm、更期望地不大于50μm，和/或其中，所述过渡区包括相对于所述名义平面倾斜且与所述外部区相邻的斜坡区，和/或其中，所述过渡区包括至少一个台阶，和/或其中，所述过渡区从所述外部区向上突出，或其中，所述过渡区从所述外部区向下延伸，和/或其中，所述过渡区包括黏附至与所述外部区大致共面的表面的粘贴件。
5.根据权利要求4所述的衬底台，其中，所述过渡区包括黏
6.根据权利要求4或5所述的衬底台，其中，所述衬底台包括限定所述外部区的本体和围绕所述支撑区域的覆盖环；并且所述粘贴件或所述另外的粘贴件桥接所述覆盖环与所述外部区之间的间隙，和/或其中，所述粘贴件或所述另外的粘贴件由聚合物制成。
7.根据权利要求1至4中任一项所述的衬底台，其中，所述衬底台包括限定所述外部区的本体和围绕所述支撑区域的覆盖环，其中，所述覆盖环限定所述过渡区。
8.根据权利要求7所述的衬底台，其中，所述覆盖环包括上环部分和下环部分，所述上环部分限定所述过渡区且能够与所述下环部分分离，或其中，所述覆盖环包括下环部分、上环部分、以及配置成改变所述上环部分相对于所述名义平面的位置的致动器，所述上环部分限定所述过渡区，或者所述衬底台还包括连接至所述覆盖环且被配置成选择性地改变所述过渡区的轮廓的致动器。
9.根据权利要求8所述的衬底台，其中，所述致动器被配置成改变所述覆盖环的形状，和/或其中，所述致动器被配置成改变整个所述覆盖环的所述形状，或其中，所述致动器被配置成局部地改变所述覆盖环的所述形状。
10.根据权利要求9所述的衬底台，其中，所述致动器被配置成在第一配置与第二配置之间改变所述覆盖环的所述形状，在所述第一配置中所述过渡区适形于平面，在所述第二配置中所述过渡区是部分圆锥形表面。
11.根据权利要求8至10中任一项所述的衬底台，其中，所述致动器被配置成在所述覆盖环和所述衬底台的主体之间起作用，或其中，所述致动器集成在所述覆盖环中且在所述覆盖环的两个部分之间起作用。
12.根据权利要求11所述的衬底台，其中，所述致动器被配置成使所述覆盖环的一个部分相对于另一部分旋转。
13.一种浸没光刻设备，包括：
14.一种用于与浸没光刻设备的衬底台一起使用的粘贴件，所述粘贴件具有用于限定所述衬底台的上表面的过渡区的形状和构造，所述过渡区过渡区对于减小所述衬底台的所述上表面的外部区与由所述衬底台保持的衬底之间的水平过渡是有效的，所述衬底具有大于所述上表面相对于所述衬底的支撑平面的高度的厚度。
15.一种用于与浸没光刻设备的衬底台一起使用的覆盖环，所述覆盖环具有用于限定所述衬底台的上表面的过渡区的形状和构造，所述过渡区对于减小所述衬底台的所述上表面的外部区与由所述衬底台保持的衬底之间的水平过渡是有效的，所述衬底具有不同于所述上表面相对于所述衬底的支撑平面的高度的厚度。
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种用于浸没光刻设备中的衬底台，所述衬底台具有限定用于支撑待图案化的衬底的支撑平面的支撑区域和围绕所述支撑区域的上表面，其中：
2.根据权利要求1所述的衬底台，其中，所述过渡区形成围绕所述支撑区域的环或所述过渡区沿围绕所述支撑区域的一个或更多个离散的区延伸。
3.根据权利要求1或2所述的衬底台，其中，所述过渡区的最内边缘与所述支撑区域的外部边缘隔开不大于3mm，期望地不大于1mm。
4.根据任一前述权利要求所述的衬底台，其中，所述过渡区的至少一部分距所述名义平面的距离大于10μm、期望地大于20μm，和/或其中，所述过渡区的任何部分距所述名义平面不大于300μm、期望地不大于150μm、更期望地不大于50μm，和/或其中，所述过渡区包括相对于所述名义平面倾斜且与所述外部区相邻的斜坡区，和/或其中，所述过渡区包括至少一个台阶，和/或其中，所述过渡区从所述外部区向上突出，或其中，所述过渡区从所述外部区向下延伸，和/或其中，所述过渡区包括黏附至与所述外部区大致共面的表面的粘贴件。
5.根据权利要求4所述的衬底台，其中，所述过渡区包括黏附至所述粘贴件的另外的粘贴件。
6.根据权利要求4或5所述的衬底台，其中，所述衬底台包括限定所述外部区的本体和围绕所述支撑区域的覆盖环；并且所述粘贴件或所述另外的粘贴件桥接所述覆盖环与所述外部区之间的间隙，和/或其中，所述粘贴件或所述另外的粘贴件由聚合物制成。
7.根据权利要求1至4中任一项所述的衬底台，其中，所述衬底台包括限定所述外部区的本体和围绕所述支撑区域的覆盖环，其中，所述覆盖环限定所述过渡区。
8.根据权利要求7所述的衬底台，其中，所述覆盖环包括上环部分和下环部分，所述上环部分限定所述过渡区且能够与所述下环部分分离，或其中，...
【专利技术属性】
技术研发人员：G·克拉默，C·W·J·贝伦德森，S·万佩尔特，M·M·P·A·沃姆伦，S·K·拉文斯伯格，埃里克·W·博加特，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：
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