一种ＭＯＳ管版图设计方法、装置及一种芯片制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种ＭＯＳ管版图设计方法及装置，以解决ＭＯＳ管版图面积较大的问题。所述ＭＯＳ管版图包括源极、漏极和栅极，所述方法包括：根据版图设计规则，获取ＭＯＳ管版图的规定面积；在所述规定面积的版图中，将栅极进行多次折叠，以使栅极呈折叠带状结构。本发明专利技术通过将栅极进行多次折叠，可以在相同的版图面积上增大栅极区域，从而在相同面积上做出尺寸更大的ＭＯＳ管。与现有技术相比，设计大尺寸的ＭＯＳ管需要更小的版图面积，降低了工艺生产成本。此外，本发明专利技术还提供了一种包括所述ＭＯＳ管的芯片，能够减小芯片面积。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及版图设计领域，特别是涉及一种MOS管版图设计方法、装置及一种芯 片。
技术介绍
集成电路(简称IC)的版图是对应于电路元器件结构的几何图形组合，这些几何 图形是由不同层的图形相互组合而成，各层版图相应于不同的工艺步骤，每一层版图用不 同的图案来表示。版图设计就是将电路元器件以及它们之间的连接关系转换成版图的形式 来表示，版图设计通常使用专门的设计工具来完成。 M0S管是场效应管的一种，管场效应管是一种电压控制型半导体器件。M0S管是提供主板稳定供电的关键元器件，它是由金属、氧化物及半导体三种材料制成的器件，它的主要作用是为主板上例如处理器、内存或是PCI-E显卡提供稳定的电压。 传统的MOS管版图设计如图1所示，M0S管包括三个电极，分别是源极(source)、漏极(drain)和栅极(gate)，在版图中栅极位于源极和漏极之间，用于将源极与漏极相隔。在源极和漏极区域，设计了多个通孔，用于连接金属层。版图中，源极和漏极的每个通孔的四周是金属层(metall)。 从图1可以看出，传统设计的MOS管版图中栅极区域为一直条形，而栅极区域的大 小可以代表MOS管的尺寸大小，因此这种设计方式对于尺寸很大的MOS管，就需要扩大整个 版图的面积，由此生产出来的芯片面积也较大，造价也很高。这对于成本要求很低的芯片来 说就有很大的缺陷。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种MOS管版图设计方法及装置，以解决MOS 管版图面积较大的问题。 相应的，本专利技术还提供了一种包括所述MOS管的芯片，以解决芯片面积较大的问题。 为了解决上述问题，本专利技术公开了一种MOS管版图设计方法，所述MOS管版图包括 源极、漏极和栅极，所述方法包括 根据版图设计规则，获取MOS管版图的规定面积； 在所述规定面积的版图中，将栅极进行多次折叠，以使栅极呈折叠带状结构。 优选的，所述方法还包括 在所述栅极的相互分离的侧面分别设置源极和漏极。 优选的，所述源极和漏极在版图中的位置可互换。优选的，所述方法还包括在源极/漏极设置通孔来连接第一金属层，并在漏极/ 源极设置通孔来连接第二金属层；所述第二金属层在第一金属层之上。 优选的，所述方法还包括 将第一金属层按照不同的电位，分为相互独立的两整片； 所述源极/漏极的通孔与所述第一金属层的一整片导通连接； 所述漏极/源极的通孔与所述第一金属层的另一整片导通连接，再通过所述第一 金属层的另一整片与所述第二金属层导通连接。 本专利技术还提供了一种MOS管版图设计装置，所述MOS管版图包括源极、漏极和栅 极，所述装置包括 版图面积获取单元，用于根据版图设计规则，获取MOS管版图的规定面积； 栅极设计单元，用于在所述规定面积的版图中，将栅极进行多次折叠，以使栅极呈折叠带状结构。 优选的，所述装置还包括 源极和漏极设计单元，用于在所述栅极的相互分离的侧面分别设置源极和漏极。 优选的，所述装置还包括 金属层连接单元，用于在源极/漏极设置通孔来连接第一金属层，并在漏极/源极 设置通孔来连接第二金属层，所述第二金属层在第一金属层之上；其中， 所述第一金属层按照不同的电位，分为相互独立的两整片； 所述源极/漏极的通孔与所述第一金属层的一整片导通连接； 所述漏极/源极的通孔与所述第一金属层的另一整片导通连接，再通过所述第一金属层的另一整片与所述第二金属层导通连接。本专利技术还提供了一种芯片，包括MOS管 所述MOS管包括源极、漏极和栅极，其中栅极呈折叠带状结构。 优选的，所述MOS管的源极和漏极分别设置在所述栅极相互分离的侧面。 优选的，所述MOS管还包括 设置在源极、漏极和栅极之上的金属层，所述金属层为整片金属。 优选的，所述金属层为两层，其中第二金属层在第一金属层之上； 所述源极设置通孔来连接第一金属层，所述漏极设置通孔来连接第二金属层；或者，所述漏极设置通孔来连接第一金属层，所述源极设置通孔来连接第二金属层。 优选的，所述第一金属层按照不同的电位设置有相互独立的两整片，所述源极/漏极的通孔与所述第一金属层的一整片导通连接，所述漏极/源极的通孔与所述第一金属层的另一整片导通连接，所述第一金属层的另一整片与所述第二金属层通过漏极的通孔导通连接。 与现有技术相比，本专利技术具有以下优点 首先，本专利技术提出了一种改进的MOS管版图设计方法，通过将栅极进行多次折叠，可以在相同的版图面积上增大栅极区域，从而在相同面积上做出尺寸更大的MOS管。与现有技术相比，设计大尺寸的MOS管需要更小的版图面积，降低了工艺生产成本。 其次，本专利技术在栅极的一侧设置源极，在栅极的另一侧设置漏极，并通过在源极或漏极设置少量通孔来连接整片的金属层。这种连接方式，可以增加金属层的宽度，减小寄生电阻，从而优化了 MOS管的性能。附图说明 图1是现有技术中的MOS管版图示意 图2是本专利技术实施例所述一种改进的M0S管版图示意图； 图3是本专利技术实施例所述一种改进的MOS管版图设计装置的结构图； 图4是图2所述实施例中源极和漏极连接金属层的示意图。具体实施例方式为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实 施方式对本专利技术作进一步详细的说明。 本专利技术提出了一种改进的MOS管版图设计方法，可以在相同面积上设计出更大尺 寸的MOS管，因此对于大尺寸的MOS管设计，可以减小版图面积，从而降低工艺生产成本。 参照图2，是本专利技术实施例所述一种改进的M0S管版图示意图。下面通过该示意图 来说明改进的MOS管版图设计方法。 MOS管包括源极(source)、漏极(drain)和栅极(gate)三个电极，由于版图中栅 极区域的大小可以代表MOS管的尺寸大小，因此为了利用较小的版图面积设计出较大尺寸 的MOS管，本专利技术创造性地改变了版图中栅极的设计。 如图2所示，本专利技术将栅极进行多次折叠，以使栅极呈折叠带状结构。与现有技术 中传统的MOS管版图相比，在相同面积的版图中，本专利技术所述折叠后的栅极区域远远大于 现有技术中直条形的栅极区域。因此，在相同的面积上本专利技术可以设计出更大尺寸的MOS 管，实现了版图面积的最优化利用。或者说，本专利技术比传统设计更节省版图面积。 进一步，本领域技术人员通常将图2所标识的距离称为栅极的长度，而将栅极多 次折叠的总长称为栅极的宽度。通常，栅极的长度是按照工艺应用的要求固定不变的，而栅 极的宽度没有限制。因此，本专利技术在相同面积下增加栅极区域，就通过增加栅极的宽度来实 现。 按照上述理解，栅极经过多次折叠之后，就增加了相同面积下的栅极的宽度。此 外，栅极经过多次折叠还可以理解为增加了单位面积下的栅极密度。所述栅极密度是指栅 极区域的面积占版图总面积的比例，该比例越大，栅极密度就越大，单位面积下栅极的有效 宽度也越大，面积的有效利用率也越高。 当然，图2仅是一种折叠栅极的方式，根据实际应用中需要的M0S管尺寸大小，还 可以有其它的栅极折叠方式，本专利技术不加以限定。 基于上述栅极的设计，本专利技术对版图中源极和漏极的设计方法是 在所述栅极的相互分离的侧面分别设置源极和漏极。 参照图2所示，在多次折叠的栅极里侧，即位于版图中间的位置(包括栅极里面的 所有区域)，设置一个源极；而在多次折叠的栅极外侧，即位本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种ＭＯＳ管版图设计方法，所述ＭＯＳ管版图包括源极、漏极和栅极，其特征在于，包括：根据版图设计规则，获取ＭＯＳ管版图的规定面积；在所述规定面积的版图中，将栅极进行多次折叠，以使栅极呈折叠带状结构。

【技术特征摘要】
一种MOS管版图设计方法，所述MOS管版图包括源极、漏极和栅极，其特征在于，包括根据版图设计规则，获取MOS管版图的规定面积；在所述规定面积的版图中，将栅极进行多次折叠，以使栅极呈折叠带状结构。2. 根据权利要求l所述的方法，其特征在于，还包括在所述栅极的相互分离的侧面分别设置源极和漏极。3. 根据权利要求2所述的方法，其特征在于所述源极和漏极在版图中的位置可互换。4. 根据权利要求2或3所述的方法，其特征在于，还包括在源极/漏极设置通孔来连接第一金属层，并在漏极/源极设置通孔来连接第二金属层；所述第二金属层在第一金属层之上。5. 根据权利要求4所述的方法，其特征在于，还包括将第一金属层按照不同的电位，分为相互独立的两整片；所述源极/漏极的通孔与所述第一金属层的一整片导通连接；所述漏极/源极的通孔与所述第一金属层的另一整片导通连接，再通过所述第一金属层的另一整片与所述第二金属层导通连接。6. —种MOS管版图设计装置，所述MOS管版图包括源极、漏极和栅极，其特征在于，包括版图面积获取单元，用于根据版图设计规则，获取MOS管版图的规定面积；栅极设计单元，用于在所述规定面积的版图中，将栅极进行多次折叠，以使栅极呈折叠带状结构。7. 根据权利要求6所述的装置，其特征在于，还包括源极和漏极设计单元，用于在所述栅极的相互分离的侧面分别设置源极和漏极。8. 根据权利要求7所述的装置，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：冯春磊，
申请(专利权)人：北京中星微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]