【技术实现步骤摘要】
以下描述涉及源缓冲器输出开关控制电路及驱动源缓冲器输出开关控制电路的方法，并且更具体地，涉及控制源缓冲器输出开关的操作的源缓冲器输出开关控制电路及驱动源缓冲器输出开关控制电路的方法，所述源缓冲器输出开关将从源缓冲器输出的源信号发送至显示面板或者阻挡源信号。
技术介绍
1、随着显示装置技术的发展，需要具有高分辨率和高图像质量的显示装置。在具有高分辨率和高图像质量的显示装置的操作中，存在能够根据分辨率和帧频率的增加以高速进行操作的低电力和高速显示驱动器ic的需求。根据显示面板的分辨率，显示驱动器ic需要数千个或更多个源缓冲器，并且分辨率可以根据从源缓冲器发送至显示面板的源信号而变化。
2、然而，当源缓冲器输出开关被同时快速导通或关断，以便同时从多个源缓冲器中的数千个或更多个源缓冲器向显示面板发送源信号时，会出现由于电压的突然变化而引起电磁干扰(emi)的问题。
3、因此，有必要控制源缓冲器输出开关，使得通过控制源缓冲器输出开关的操作时间来在不影响图像质量的范围内使电磁干扰(emi)最小化。
技术实现思路
1、提供本
技术实现思路
来以简化形式介绍一系列构思，所述构思将在下面的具体实施方式中进一步描述。本
技术实现思路
不旨在识别所要求保护的主题的关键特征或必要特征，也不旨在用作确定所要求保护的主题的范围的帮助。
2、因此，本公开内容的各个实施方式的目的是提供一种源缓冲器输出开关控制电路，其在考虑以上提及的问题的情况下，通过控制源缓冲器输出开关导通或关断操作所
3、要由本专利技术克服的技术问题不限于以上提及的技术问题。未提及的其他技术问题可以由本领域普通技术人员从本专利技术的实施方式中清楚地理解。
4、在一个一般方面，提供了一种源缓冲器输出开关控制电路，该源缓冲器输出开关控制电路用于控制源缓冲器输出开关的操作，该源缓冲器输出开关被配置成将从源缓冲器输出的源信号发送至显示面板或者阻挡源信号，该源缓冲器输出开关控制电路可以包括：开关驱动器，其被配置成基于开关操作输入信号生成用于控制源缓冲器输出开关的操作的开关控制信号；电流限制器，其被配置成限制施加至开关驱动器的驱动电流，以便控制开关控制信号的转换速率；以及偏置块，其被配置成向电流限制器供应用于控制驱动电流的大小的偏置电压。
5、源缓冲器输出开关的转换速率可以是基于开关控制信号的转换速率来确定的。
6、基于开关操作输入信号，开关驱动器可以被配置成从电源电压接收第一电流或将第二电流发送至接地电压，从而生成开关控制信号。电流限制器可以被配置成将第一电流的大小限制为第一驱动电流，并且将第二电流的大小限制为第二驱动电流。
7、偏置块可以被配置成向电流限制器发送控制第一驱动电流的大小的第一偏置电压和控制第二驱动电流的大小的第二偏置电压。
8、开关驱动器可以包括：第一开关驱动器，其被配置成输出通过使开关操作输入信号反相而获得的反相信号；以及第二开关驱动器，其被配置成基于反相信号通过从电源电压接收第一电流或者通过将第二电流发送至接地电压来输出开关控制信号。
9、第一开关驱动器可以包括：串联连接在电源电压与接地电压之间的第一pmos晶体管和第一nmos晶体管。
10、第一pmos晶体管可以包括：栅极，其与第一nmos晶体管的栅极共同连接，并且被配置成接收开关操作输入信号；漏极，其与第一nmos晶体管的漏极和第一开关驱动器的输出端子共同连接，并且被配置成输出反相信号；以及源极，其连接至电源电压。
11、第一nmos晶体管可以包括：栅极，其与第一pmos晶体管的栅极共同连接，并且被配置成接收开关操作输入信号；漏极，其与第一pmos晶体管的漏极和第一开关驱动器的输出端子共同连接，并且被配置成输出反相信号；以及源极，其连接至接地电压。
12、第二开关驱动器可以包括串联连接在电源电压与接地电压之间的第二pmos晶体管和第二nmos晶体管。电流限制器可以包括：设置在电源电压与第二pmos晶体管之间的第三pmos晶体管，以及设置在接地电压与第二nmos晶体管之间的第三nmos晶体管。
13、第二pmos晶体管可以包括：栅极，其与第二nmos晶体管的栅极共同连接，并且被配置成接收从第一开关驱动器的输出端子输出的反相信号；漏极，其与第二nmos晶体管的漏极和第二开关驱动器的输出端子共同连接，并且被配置成输出开关控制信号；以及源极，其连接至第三pmos晶体管。
14、第二nmos晶体管可以包括：栅极，其与第二pmos晶体管的栅极共同连接，并且被配置成接收从第一开关驱动器的输出端子输出的反相信号；漏极，其与第二pmos晶体管的漏极和第二开关驱动器的输出端子共同连接，并且被配置成输出开关控制信号；以及源极，其连接至第三nmos晶体管。
15、第三pmos晶体管可以设置在第二pmos晶体管与第二开关驱动器的输出端子之间，并且第三nmos晶体管可以设置在第二nmos晶体管与第二开关驱动器的输出端子之间。
16、偏置块可以被配置成向第三pmos晶体管的栅极端子输出第一偏置电压，并且电流限制器可以被配置成基于第一偏置电压来确定第一驱动电流的大小。偏置块可以被配置成向第三nmos晶体管的栅极端子输出第二偏置电压，并且电流限制器可以被配置成基于第二偏置电压来确定第二驱动电流的大小。
17、在另一一般方面，一种显示驱动装置可以包括：多个源缓冲器，其被配置成生成源信号；显示面板，其被配置成从多个源缓冲器接收源信号；多个源缓冲器输出开关，其分别连接至多个源缓冲器，并且被配置成将源信号发送至显示面板或者阻挡源信号；以及源缓冲器输出开关控制电路，其被配置成生成用于控制多个源缓冲器输出开关的操作的开关控制信号。源缓冲器输出开关控制电路可以被配置成控制开关控制信号的转换速率，以用于控制多个源缓冲器输出开关的操作。
18、源缓冲器输出开关控制电路可以包括：多个开关驱动器，其被配置成基于开关操作输入信号生成用于控制多个源缓冲器输出开关的操作的开关控制信号；多个电流限制器，其被配置成限制驱动电流以控制开关控制信号的转换速率；以及偏置块，其被配置成向多个电流限制器输出用于控制驱动电流的大小的偏置电压。每个开关驱动器可以基于开关操作输入信号通过从电源电压接收第一电流或者通过将第二电流发送至接地电压来生成开关控制信号。每个电流限制器可以被配置成将第一电流的大小限制为第一驱动电流，并且将第二电流的大小限制为第二驱动电流。
19、多个源缓冲器输出开关的转换速率可以是基于开关控制信号的转换速率来确定的。
20、偏置块可以被配置成向多个电流限制器输出用于控制第一驱动电流的大小的第一偏置电压和用于控制第二驱动电流的大小的第二偏置电压。
21、每个开关驱动器可以包括：第一开关驱动器，其被配置成输出通过使开关操作输入信号反相而获得的反相信号；以及第二开关驱动器，其被配置成基于反相信号通过从电源电压本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种源缓冲器输出开关控制电路，所述源缓冲器输出开关控制电路用于控制源缓冲器输出开关的操作，所述源缓冲器输出开关被配置成将从源缓冲器输出的源信号发送至显示面板或者阻挡所述源信号，所述源缓冲器输出开关控制电路包括：
2.根据权利要求1所述的源缓冲器输出开关控制电路，其中，所述源缓冲器输出开关的转换速率是基于所述开关控制信号的转换速率来确定的。
3.根据权利要求1所述的源缓冲器输出开关控制电路，其中，基于所述开关操作输入信号，所述开关驱动器被配置成从电源电压接收第一电流或者将第二电流发送至接地电压，从而生成所述开关控制信号，并且
4.根据权利要求3所述的源缓冲器输出开关控制电路，其中，所述偏置块被配置成向所述电流限制器发送控制所述第一驱动电流的大小的第一偏置电压和控制所述第二驱动电流的大小的第二偏置电压。
5.根据权利要求1所述的源缓冲器输出开关控制电路，其中，所述开关驱动器包括：
6.根据权利要求5所述的源缓冲器输出开关控制电路，其中，所述第一开关驱动器包括串联连接在所述电源电压与所述接地电压之间的第一PMOS晶体管和第
7.根据权利要求6所述的源缓冲器输出开关控制电路，其中，所述偏置块被配置成向所述电流限制器输出第一偏置电压和第二偏置电压。
8.根据权利要求7所述的源缓冲器输出开关控制电路，其中，所述电流限制器被配置成基于所述第一偏置电压来确定第一驱动电流的大小，并且基于所述第二偏置电压来确定第二驱动电流的大小。
9.根据权利要求8所述的源缓冲器输出开关控制电路，其中，所述第二开关驱动器包括串联连接在所述电源电压与所述接地电压之间的第二PMOS晶体管和第二NMOS晶体管，并且
10.根据权利要求9所述的源缓冲器输出开关控制电路，其中，所述第二PMOS晶体管包括：
11.根据权利要求8所述的源缓冲器输出开关控制电路，其中，所述第二开关驱动器包括设置在所述电源电压与所述接地电压之间的第二PMOS晶体管和第二NMOS晶体管，并且
12.一种显示驱动装置，包括：
13.根据权利要求12所述的显示驱动装置，其中，所述源缓冲器输出开关控制电路包括：
14.根据权利要求13所述的显示驱动装置，其中，所述多个源缓冲器输出开关的转换速率是基于所述开关控制信号的转换速率来确定的。
15.根据权利要求14所述的显示驱动装置，其中，所述偏置块被配置成向所述多个电流限制器输出用于控制所述第一驱动电流的大小的第一偏置电压和用于控制所述第二驱动电流的大小的第二偏置电压。
16.根据权利要求13所述的显示驱动装置，其中，每个开关驱动器包括：
17.根据权利要求16所述的显示驱动装置，其中，所述第一开关驱动器包括串联连接在所述电源电压与所述接地电压之间的第一PMOS晶体管和第一NMOS晶体管，
18.根据权利要求17所述的显示驱动装置，其中，所述第二开关驱动器包括串联连接在所述电源电压与所述接地电压之间的第二PMOS晶体管和第二NMOS晶体管，并且
19.根据权利要求18所述的显示驱动装置，其中，所述第二PMOS晶体管包括：栅极，其与所述第二NMOS晶体管的栅极共同连接，以接收从所述第一开关驱动器的输出端子输出的所述反相信号；漏极，其与所述第二NMOS晶体管的漏极和所述第二开关驱动器的输出端子共同连接，并且被配置成输出所述开关控制信号；以及源极，其连接至所述第三PMOS晶体管，并且
20.根据权利要求17所述的显示驱动装置，其中，所述第二开关驱动器包括设置在所述电源电压与所述接地电压之间的第二PMOS晶体管和第二NMOS晶体管，并且
...【技术特征摘要】
1.一种源缓冲器输出开关控制电路，所述源缓冲器输出开关控制电路用于控制源缓冲器输出开关的操作，所述源缓冲器输出开关被配置成将从源缓冲器输出的源信号发送至显示面板或者阻挡所述源信号，所述源缓冲器输出开关控制电路包括：
2.根据权利要求1所述的源缓冲器输出开关控制电路，其中，所述源缓冲器输出开关的转换速率是基于所述开关控制信号的转换速率来确定的。
3.根据权利要求1所述的源缓冲器输出开关控制电路，其中，基于所述开关操作输入信号，所述开关驱动器被配置成从电源电压接收第一电流或者将第二电流发送至接地电压，从而生成所述开关控制信号，并且
4.根据权利要求3所述的源缓冲器输出开关控制电路，其中，所述偏置块被配置成向所述电流限制器发送控制所述第一驱动电流的大小的第一偏置电压和控制所述第二驱动电流的大小的第二偏置电压。
5.根据权利要求1所述的源缓冲器输出开关控制电路，其中，所述开关驱动器包括：
6.根据权利要求5所述的源缓冲器输出开关控制电路，其中，所述第一开关驱动器包括串联连接在所述电源电压与所述接地电压之间的第一pmos晶体管和第一nmos晶体管，
7.根据权利要求6所述的源缓冲器输出开关控制电路，其中，所述偏置块被配置成向所述电流限制器输出第一偏置电压和第二偏置电压。
8.根据权利要求7所述的源缓冲器输出开关控制电路，其中，所述电流限制器被配置成基于所述第一偏置电压来确定第一驱动电流的大小，并且基于所述第二偏置电压来确定第二驱动电流的大小。
9.根据权利要求8所述的源缓冲器输出开关控制电路，其中，所述第二开关驱动器包括串联连接在所述电源电压与所述接地电压之间的第二pmos晶体管和第二nmos晶体管，并且
10.根据权利要求9所述的源缓冲器输出开关控制电路，其中，所述第二pmo...
【专利技术属性】
技术研发人员：成殷圭，金亨奎，
申请(专利权)人：美格纳智芯混合信号有限公司，
类型：发明
国别省市：
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