【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于膜材，具体涉及一种ar膜及其制备方法。
技术介绍
1、ar膜，又称(增透膜)其能够减少或消除棱镜、平面镜等光学表面的反射光，从而增加光学元件的透光量。因ar膜本身的性能，通常应用于显示器件保护屏如车载显示屏、电视、电脑、手机、平板等需要提高透射率并降低反射率的电子产品上，从而通过ar膜有效提高玻璃透射率，降低玻璃反射率。但是现有的ar膜由于制备工艺及自身结构的问题，镀层的均匀性不佳，导致ar膜的光学均匀性不佳，从而导致ar膜表面颜色显示不均匀，影响了显示器件等画面效果。
2、公开于该
技术介绍
部分的信息仅仅旨在增加对本专利技术的总体背景的理解，而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域一般技术人员所公知的现有技术。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种ar膜，其能够提高了ar膜的光学均匀性，使得ar膜表面的色彩显示效果更好。
2、为了实现上述目的，本专利技术一具体实施例提供了一种ar膜，其包括：基材层、下涂布层、上涂布层、打底层、增透层和匀化层。基材层具有上下相对设置的第一表面和第二表面；下涂布层涂布在所述基材层的第二表面；上涂布层涂布在所述基材层的第一表面；打底层镀设在所述上涂布层的表面，用于提高所述基材层的附着力；增透层镀设在所述打底层的表面，用于提高所述ar膜的透过率；匀化层镀设在所述增透层的表面，用于提高所述增透层的光学均匀性。
3、在本专利技术的一个或多个实施例中，所述匀化层选自氧化铌层或二氧化钛层中的
4、在本专利技术的一个或多个实施例中，所述增透层包括从下至上依次叠设的氮化硅层、第一二氧化硅混合层、氧化铌层和第二二氧化硅混合层。
5、在本专利技术的一个或多个实施例中，所述氮化硅层的厚度介于10nm-180nm之间；和/或，所述第一二氧化硅混合层的厚度介于10nm-150nm之间；和/或，所述氧化铌层的厚度介于20nm-240nm之间；和/或，所述第二二氧化硅混合层的厚度介于60nm-300nm之间。
6、在本专利技术的一个或多个实施例中，所述基材层的厚度介于10μm-220μm之间；和/或，所述基材层选自pet层、pi层、tac层、cop层或pc层中的一种。
7、在本专利技术的一个或多个实施例中，所述打底层选自sio2层、ti层、si层、al2o3层、mgf2层、sio层、hfo2层、sno2层或y2o3层中的一种。
8、在本专利技术的一个或多个实施例中，所述匀化层远离所述增透层的一侧设置有防污层；所述防污层的厚度介于5nm-90nm之间。
9、在本专利技术的一个或多个实施例中，所述防污层远离所述增透层的一侧设置有第一离型层；所述下涂布层远离所述基材层的一侧设置有第二离型层；所述第二离型层的厚度介于30μm-160μm之间。
10、在本专利技术的一个或多个实施例中，所述上涂布层的厚度介于60nm-300nm之间；和/或，所述下涂布层的厚度介于0.5μm-3.0μm之间。
11、本专利技术另一具体实施例提供了一种ar膜的制备方法，其包括：在基材层的上下两表面涂布丙烯酸树脂涂布液形成上涂布层和下涂布层；在下涂布层上贴合第二离型层，在上涂布层上通过磁控溅射工艺镀设打底层；在打底层的表面通过磁控溅射工艺依次镀设氮化硅层、第一二氧化硅混合层、氧化铌层和第二二氧化硅混合层形成增透层；其中第一二氧化硅混合层和第二二氧化硅混合层采用硅铝靶溅射而成，所述硅铝靶中si：al介于(85-98)：(15-2)之间；磁控溅射通有混合反应气体；在增透层的表面通过磁控溅射工艺镀设匀化层；在匀化层上涂布全氟聚醚涂料得到防污层，并贴合第一离型层得到ar膜。
12、与现有技术相比，本专利技术的ar膜，通过在增透层上镀设匀化层，匀化层的靶材溅射更为均匀，从而增透层的表面镀层更为均匀，提高了ar膜的光学均匀性，使得ar膜表面的色彩显示效果更好。ar膜还设置有增透层在提高ar膜的透过率的同时还能提高ar膜的耐候性。打底层能够提高膜材表面的物理性能并提高基材层的附着力。另外，本专利技术的ar膜的制备方法制得的ar膜的镀层更均匀，光学效果更好。
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1.一种AR膜，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的AR膜，其特征在于，所述匀化层选自氧化铌层或二氧化钛层中的一种；和/或，所述匀化层的厚度介于0.1nm-10nm之间。
3.根据权利要求1所述的AR膜，其特征在于，所述增透层包括从下至上依次叠设的氮化硅层、第一二氧化硅混合层、氧化铌层和第二二氧化硅混合层。
4.根据权利要求3所述的AR膜，其特征在于，所述氮化硅层的厚度介于10nm-180nm之间；和/或，所述第一二氧化硅混合层的厚度介于10nm-150nm之间；和/或，所述氧化铌层的厚度介于20nm-240nm之间；和/或，所述第二二氧化硅混合层的厚度介于60nm-300nm之间。
5.根据权利要求1所述的AR膜，其特征在于，所述基材层的厚度介于10μm-220μm之间；和/或，所述基材层选自PET层、PI层、TAC层、COP层或PC层中的一种。
6.根据权利要求1所述的AR膜，其特征在于，所述打底层选自SiO2层、Ti层、Si层、Al2O3层、MgF2层、SiO层、HfO2层、SnO2层或Y2O3层中的一种。
7.根据权利要求1所述的AR膜，其特征在于，所述匀化层远离所述增透层的一侧设置有防污层；所述防污层的厚度介于5nm-90nm之间。
8.根据权利要求7所述的AR膜，其特征在于，所述防污层远离所述增透层的一侧设置有第一离型层；所述下涂布层远离所述基材层的一侧设置有第二离型层；所述第二离型层的厚度介于30μm-160μm之间。
9.根据权利要求1所述的AR膜，其特征在于，所述上涂布层的厚度介于60nm-300nm之间；和/或，所述下涂布层的厚度介于0.5μm-3.0μm之间。
10.一种权利要求1-9任一项所述AR膜的制备方法，其特征在于，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种ar膜，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的ar膜，其特征在于，所述匀化层选自氧化铌层或二氧化钛层中的一种；和/或，所述匀化层的厚度介于0.1nm-10nm之间。
3.根据权利要求1所述的ar膜，其特征在于，所述增透层包括从下至上依次叠设的氮化硅层、第一二氧化硅混合层、氧化铌层和第二二氧化硅混合层。
4.根据权利要求3所述的ar膜，其特征在于，所述氮化硅层的厚度介于10nm-180nm之间；和/或，所述第一二氧化硅混合层的厚度介于10nm-150nm之间；和/或，所述氧化铌层的厚度介于20nm-240nm之间；和/或，所述第二二氧化硅混合层的厚度介于60nm-300nm之间。
5.根据权利要求1所述的ar膜，其特征在于，所述基材层的厚度介于10μm-220μm之间；和/或，所述基材层选自pet层、pi层、tac层、cop层...
【专利技术属性】
技术研发人员：高毓康，陈超，王志坚，陈涛，冯燕佳，戴城城，
申请(专利权)人：浙江日久新材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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