【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于控制设备，具体涉及一种半导体刻蚀设备控制柜。
技术介绍
1、半导体是指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。半导体在制备的过程中，需要使用刻蚀设备，刻蚀设备主要是通过物理或化学方法，将半导体表面上的材料去除，形成所需的图案和结构。半导体刻蚀设备在运行的过程中，一般通过控制柜对半导体刻蚀设备进行控制、监控、保护等，半导体刻蚀设备控制柜是半导体刻蚀设备自动化的基础，利于提高生产效率、保障半导体刻蚀设备安全和提升产品质量等。
2、半导体刻蚀设备控制柜一般由柜体、散热装置、过载保护模块和电气控制模块组成。为了满足控制柜体积小、占用面积小等需求，散热装置、过载保护模块和电气控制模块等电气元件内置在体积小的小柜体内，导致电气元件之间的间隙小，影响气流流动，从而导致半导体刻蚀设备控制柜的温度升高，若采用风冷、水冷等普通的散热方式进行散热，则会导致柜体内的环境温度不均匀，从而导致控制柜内的控制元件的工作环境温度不一样，影响控制元件的频率响应、输出功率等性能指标，从而影响半导体刻蚀设备制备半导体的产品质量、生产效率等。且不同的控制元件的工作温度范围不一样，使用普通的散热方式，难以有针对性地对不同的控制元件进行区别的散热，特别是部分控制元件在高功率输出时，影响环境温度的同时，还会导致其他控制元件的温度升高，导致控制元件的工作温度忽高忽低，从而影响控制元件的使用寿命。若因控制元件损坏导致控制柜故障，则需要停机维修，从而导致产线的停止，不仅影响半导体刻蚀设备的制备效率，还给生产厂家造成一定的经济损失。
3、公开
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种半导体刻蚀设备控制柜，其能够解决上述
技术介绍
中提出的问题。
2、为了实现上述目的，本专利技术一具体实施例提供的技术方案如下：
3、一种半导体刻蚀设备控制柜，包括柜体、冷却组件、冷却部和温度监测组件，所述柜体的上端转动连接有第二防护门，所述柜体的一侧壁上转动连接有第一防护门，所述柜体的内部设置有控制元件，所述冷却组件位于柜体的一侧，用于控制柜体内的环境温度，所述冷却部的数量为多个，分别安装在控制元件的发热部上，所述冷却部和冷却组件相匹配，用于对控制元件进行单独散热，所述温度监测组件安装在柜体的内部，用于监测温度，且能够与冷却组件和冷却部配合控制柜体内的环境温度和控制元件的温度。
4、在本专利技术的一个或多个实施例中，所述柜体为中空设置，所述冷却组件包括储液箱，所述储液箱内填充有冷却液，所述储液箱的一端连接有第一输液管，另一端连接有第一回液管，所述第一输液管和第一回液管远离储液箱的一端均与柜体相通，所述第一输液管和第一回液管用于将冷却液从储液箱内输送至柜体内并形成冷却液的循环。
5、在本专利技术的一个或多个实施例中，所述储液箱上连接有循环管，所述循环管用于循环输送冷却液，所述冷却部包括冷却盘，所述冷却盘的一端连接有第二输液管，所述冷却盘的另一端连接有第二回液管，所述第二回液管和第二输液管远离冷却盘的一端均与循环管相连接，所述冷却盘由换热部和隔热部组成，所述换热部和隔热部为一体成型，所述换热部与控制元件的发热部接触。
6、在本专利技术的一个或多个实施例中，所述第二回液管上开设有多个均匀分布的第一微孔，所述第二回液管上设置有与第一微孔相匹配的喷嘴，通过所述喷嘴可将第二回液管内的冷却液向外喷射，所述冷却液喷射在控制元件的发热部的表面，用于对控制元件的进一步冷却。
7、在本专利技术的一个或多个实施例中，所述第一防护门靠近柜体内的一侧壁上滑动连接有灭火组件，所述灭火组件用于实现柜体内灭火阻燃操作。
8、在本专利技术的一个或多个实施例中，所述第一防护门上开设有一对竖直开设的滑槽，所述灭火组件包括连接板，所述连接板的一侧壁上固定连接有与滑槽相匹配的滑块，所述滑块滑动连接在滑槽内，所述连接板靠近柜体的一侧面上安装有第一喷头和多个第二喷头，所述第一喷头位于多个第二喷头的中部，所述第一防护门和第二防护门均为中空设置，所述第一防护门内填充有灭火介质，所述第二防护门内填充有阻燃介质，所述第一喷头、第二喷头均可喷出灭火介质和阻燃介质实现柜体内灭火阻燃操作。
9、在本专利技术的一个或多个实施例中，所述连接板和柜体之间连接有第二连接管，所述连接板和第一防护门之间连接有第一连接管，所述连接板和第二防护门之间连接有第三连接管，所述第二连接管用于将柜体内的冷却液输送给第一喷头和第二喷头，所述第一连接管用于将第一防护门内的灭火介质输送给第一喷头和第二喷头，所述第三连接管用于将第二防护门内的阻燃介质输送给第一喷头和第二喷头。
10、在本专利技术的一个或多个实施例中，所述第二喷头和第一喷头均具有主输出喷孔和副输出喷孔，所述主输出喷孔用于喷出颗粒状的介质，所述副输出喷孔用于喷出雾状的介质。
11、在本专利技术的一个或多个实施例中，所述阻燃介质包括阻燃颗粒主体，所述阻燃颗粒主体的外表面形成有吸水层，所述吸水层能够吸收水分，所述阻燃颗粒主体与水分接触后能够软化。
12、在本专利技术的一个或多个实施例中，多个所述阻燃颗粒主体形成第二保护层，用于对控制元件进行保护。
13、与现有技术相比，本专利技术的一种半导体刻蚀设备控制柜具有以下优点：
14、1)、通过设置中空的柜体和冷却组件配合，能够实现对柜体内环境温度的控制，设置与控制元件相匹配的冷却部，通过冷却部和冷却组件配合，针对单个控制元件进行单独散热，确保每个控制元件均能够在最佳的温度下运行，在不影响控制元件的性能的前提下延长半导体刻蚀设备控制柜的使用寿命；
15、2)、通过设置中控的第一防护门和第二防护门，并在第一防护门和第二防护门分别填充灭火介质和阻燃介质，与灭火组件配合，实现半导体刻蚀设备控制柜内的灭火，并能够对没有起火的控制元件进行保护，减少起火造成的损失，且灭火介质每次灭火使用的量小，阻燃介质使用时形成保护膜，便于清理，节约维修半导体刻蚀设备控制柜的时间，避免因维修时间过长影响生产的情况；
16、3)、采用的灭火介质、阻燃介质均采用内置的方式，能够大幅减少灭火介质和阻燃介质的占用的空间，使半导体刻蚀设备控制柜的体积更小，且外置的储液箱能够在不影响半导体刻蚀设备控制柜正常使用的情况下设置；
17、4)、满足控制元件满功率运行时的降温需求，实现精准的过载保护，还不影响其他模块。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种半导体刻蚀设备控制柜，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种半导体刻蚀设备控制柜，其特征在于，所述柜体为中空设置；
3.根据权利要求2所述的一种半导体刻蚀设备控制柜，其特征在于，所述储液箱上连接有循环管，所述循环管用于循环输送冷却液；
4.根据权利要求3所述的一种半导体刻蚀设备控制柜，其特征在于，所述第二回液管上开设有多个均匀分布的第一微孔；
5.根据权利要求1所述的一种半导体刻蚀设备控制柜，其特征在于，所述第一防护门靠近柜体内的一侧壁上滑动连接有灭火组件，所述灭火组件用于实现柜体内灭火阻燃操作。
6.根据权利要求5所述的一种半导体刻蚀设备控制柜，其特征在于，所述第一防护门上开设有一对竖直开设的滑槽；
7.根据权利要求6所述的一种半导体刻蚀设备控制柜，其特征在于，所述连接板和柜体之间连接有第二连接管，所述连接板和第一防护门之间连接有第一连接管，所述连接板和第二防护门之间连接有第三连接管；
8.根据权利要求7所述的一种半导体刻蚀设备控制柜，其特征在于，所述第二喷头和第一喷头均具有主
9.根据权利要求6或7所述的一种半导体刻蚀设备控制柜，其特征在于，所述阻燃介质包括阻燃颗粒主体，所述阻燃颗粒主体的外表面形成有吸水层，所述吸水层能够吸收水分，所述阻燃颗粒主体与水分接触后能够软化。
10.根据权利要求9所述的一种半导体刻蚀设备控制柜，其特征在于，多个所述阻燃颗粒主体形成第二保护层，用于对控制元件进行保护。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体刻蚀设备控制柜，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种半导体刻蚀设备控制柜，其特征在于，所述柜体为中空设置；
3.根据权利要求2所述的一种半导体刻蚀设备控制柜，其特征在于，所述储液箱上连接有循环管，所述循环管用于循环输送冷却液；
4.根据权利要求3所述的一种半导体刻蚀设备控制柜，其特征在于，所述第二回液管上开设有多个均匀分布的第一微孔；
5.根据权利要求1所述的一种半导体刻蚀设备控制柜，其特征在于，所述第一防护门靠近柜体内的一侧壁上滑动连接有灭火组件，所述灭火组件用于实现柜体内灭火阻燃操作。
6.根据权利要求5所述的一种半导体刻蚀设备控制柜，其特征在于，所述第一防护门上开设有一对竖直开设的滑...
【专利技术属性】
技术研发人员：袁丽，李小朵，徐正东，
申请(专利权)人：苏州冠韵威电子技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。