【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体封装领域，尤其涉及一种封装结构。
技术介绍
1、三维集成电路(three-dimensional integrated circuit，缩写为3d-ic)芯片具有高密度和低功耗等特点，可以把多层平面器件堆叠起来，在垂直方向上通过使用硅通孔进行相互连接，但同时也造成了较高的功耗密度，从而导致所产生的热量不易从芯片的内部散发出去，进一步导致芯片可靠性受到影响。
2、因此，提供一种能够改善堆叠硅片散热性能的封装结构是亟需解决的技术问题。
技术实现思路
1、本申请所要解决的技术问题是提供一种封装结构，以改善堆叠硅片散热性能。
2、为了解决上述问题，本申请提供了一种封装结构，所述封装结构包括：具有一控制电路的基板；置于所述基板第一表面的堆叠硅片；置于所述堆叠硅片远离所述基板的一端的热电致冷模块，所述热电致冷模块根据所述控制电路的输出信号为所述堆叠硅片降温；覆盖所述基板未被所述堆叠硅片覆盖的第一表面且包覆所述堆叠硅片的塑封体。
3、在一些具体实施方式中，所述塑封体还包覆所述热电致冷模块。
4、在一些具体实施方式中，所述输出信号为电流，所述控制电路通过调节输出至所述热电致冷模块的电流的大小控制所述热电致冷模块的制冷量。
5、在一些具体实施方式中，所述封装结构还包括一放置于目标位置的温度传感器，所述温度传感器根据所述目标位置的温度输出反馈信号至所述控制电路。
6、在一些具体实施方式中，所述热电致冷模块包括与所述
7、在一些具体实施方式中，所述热电致冷模块还包括连接至外部散热器件的热端。
8、在一些具体实施方式中，所述热电致冷模块还包括暴露于所述塑封体表面的散热片。
9、在一些具体实施方式中，所述热电致冷模块及所述堆叠硅片各自独自连接至所述基板以获取电能。
10、在一些具体实施方式中，所述热电致冷模块通过引线连接至所述基板。
11、在一些具体实施方式中，所述封装结构包括多个热电致冷模块。
12、上述技术方案，在所述堆叠硅片远离所述基板的一端集成微型的所述热电致冷模块，并通过所述热电致冷模块与所述堆叠硅片接触的冷端进行制冷，通过所述热端将热量传导至所述封装结构外部，以对所述堆叠硅片进行降温，由于所述热电致冷模块能够调整到需要的低温使所述堆叠硅片工作在低温环境，能够解决所述堆叠硅片导致的产生的热量不易从芯片的内部散发出去的问题，并进一步提高芯片的可靠性。
13、应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本申请。对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为授权说明书的一部分。
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1.一种封装结构，其特征在于，所述封装结构包括：
2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述塑封体还包覆所述热电致冷模块。
3.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述输出信号为电流，所述控制电路通过调节输出至所述热电致冷模块的电流的大小控制所述热电致冷模块的制冷量。
4.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述封装结构还包括一放置于目标位置的温度传感器，所述温度传感器根据所述目标位置的温度输出反馈信号至所述控制电路。
5.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述热电致冷模块包括与所述堆叠硅片接触的冷端。
6.根据权利要求5所述的封装结构，其特征在于，所述热电致冷模块还包括连接至外部散热器件的热端。
7.根据权利要求5所述的封装结构，其特征在于，所述热电致冷模块还包括暴露于所述塑封体表面的散热片。
8.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述热电致冷模块及所述堆叠硅片各自独自连接至所述基板以获取电能。
9.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述热
10.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述封装结构包括多个热电致冷模块。
...【技术特征摘要】
1.一种封装结构，其特征在于，所述封装结构包括：
2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述塑封体还包覆所述热电致冷模块。
3.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述输出信号为电流，所述控制电路通过调节输出至所述热电致冷模块的电流的大小控制所述热电致冷模块的制冷量。
4.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述封装结构还包括一放置于目标位置的温度传感器，所述温度传感器根据所述目标位置的温度输出反馈信号至所述控制电路。
5.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述热电致冷模块包括与所...
【专利技术属性】
技术研发人员：罗永红，
申请(专利权)人：长电科技管理有限公司，
类型：新型
国别省市：
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