一种可去除腐蚀黑印的硅片腐蚀工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种可去除腐蚀黑印的硅片腐蚀工艺，它包括：经装有碱化学液的化学槽腐蚀、一个清洗槽１清洗和装有去离子水的清洗槽２清洗，清洗槽１需要加温。Ｉ号清洗液由去离子水、过氧化氢和浓氨水按一定配比混合而成。Ｉ号清洗液加热的温度为５０－１００℃。其中清洗槽１清洗的时间为１－５０分钟，清洗槽２清洗的时间为１－３０分钟。该方法不仅能有效去除黑印，简便易实施，而且可以为后续工序减少颗粒和金属污染。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种可去除腐蚀黑印的硅片腐蚀工艺，该工艺采用湿法清洗的方法。
技术介绍
目前硅抛光片大致采用直拉、切片、磨片、碱腐蚀、单/双面抛光、精抛光、清洗的 工艺流程。磨片之后经过碱腐蚀工艺是为了消除磨片留下的表面损伤，为后续的抛光做准 备。碱腐蚀工艺过程是先将硅片泡在装有碱化学液的槽里，让硅片和碱液发生化学反应，从 而达到去除损伤的目的。硅片在装有碱化学液的化学槽里反应几分钟后，转到放有去离子 水的清洗槽里进行清洗。这种碱腐蚀工艺在腐蚀清洗后会留下由颗粒沾污引起的腐蚀黑 印，这种腐蚀黑印不仅会影响后续的抛光质量，而且会使抛光片增加颗粒污染，增加后续清 洗去除颗粒的难度。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种可去除腐蚀黑印的硅片腐蚀工艺，该方法不仅能有效去除黑印，简便易实施，而且可以为后续工序减少颗粒和金属污染。 为达到上述专利技术目的，本专利技术采用以下技术方案 这种可去除腐蚀黑印的硅片腐蚀工艺，它包括以下几个步骤经装有碱化学液的 化学槽中腐蚀，一个清洗槽1中清洗和装有去离子水的清洗槽2中清洗，所述的清洗槽1需 要加热。 清洗槽1中的i号清洗液由去离子水、过氧化氢和nh40h按一定配比混合而成。 清洗液中各个组份的体积比是去离子水h2o2 : nh4oh = (io o.i) : (io o. i) : i。 清洗槽1中i号清洗液需要加热的温度是50-100°c 。 清洗槽1清洗的时间为1-50分钟，清洗槽2清洗的时间为1-30分钟。 i号清洗液由去离子水、过氧化氢和浓氨水按一定配比混合而成。它们的体积比是去离子水h2o2 : nh4oh = (io o. i) : (io o. i) : i。nh4oh的浓度为:-30%， h202的浓度为3-30%。 为降低成本，槽里不加超声或兆声装置。 i号清洗液去除颗粒的原理，一是颗粒被过氧化氢氧化后溶于浓氨水中而去除，二 是nh4oh的oh—离子给硅片表面和颗粒提供负电荷，从而使颗粒和硅片表面产生排斥力达到 颗粒去除的目的。 本专利技术的优点是该方法不仅能有效去除黑印，简便易实施，而且可以为后续工序 减少颗粒和金属污染。具体实施方式 实施例13 将13片磨削片竖着装在白色花篮(cassette，用聚四氟乙烯材料制成)里，其平 均厚度为830微米，TTV为1. 0微米左右。将装有13片磨削片的四氟花篮放了 ll(TC的装 有碱液的化学槽腐蚀4分钟，转入装有I号清洗液的清洗槽1清洗，去离子水、30%的过氧 化氢和25%的浓氨水的体积比是去离子水H202 : NH40H = 5 : 1 : 1，槽液温度是8(TC， 在该槽清洗10分钟，然后转入装有去离子水的清洗槽2清洗4分钟。晾干，表面腐蚀黑印 被去除了，检测其几何参数，其平均厚度为810微米，TTV为1.5微米左右，达到了所要的效 果。 实施例2 将13片磨削片竖着装在白色花篮(cassette，用聚四氟乙烯材料制成)里，其平 均厚度为830微米，TTV为1. 0微米左右。将装有13片磨削片的四氟花篮放了 ll(TC的装 有碱液的化学槽腐蚀4分钟，转入装有I号清洗液的清洗槽1清洗，去离子水、30%的过氧 化氢和25%的浓氨水的体积比是去离子水H202 : NH40H = 5 : 1 : 1，槽液温度是8(TC， 在该槽清洗15分钟，然后转入装有去离子水的清洗槽2清洗4分钟。晾干，表面腐蚀黑印 被去除了，检测其几何参数，其平均厚度为810微米，TTV为1.5微米左右，达到了所要的效 果。 实施例3 将13片磨削片竖着装在白色花篮(cassette，用聚四氟乙烯材料制成)里，其平 均厚度为830微米，TTV为1. 0微米左右。将装有13片磨削片的四氟花篮放了 ll(TC的装 有碱液的化学槽腐蚀4分钟，转入装有I号清洗液的清洗槽1清洗，去离子水、30%的过氧 化氢和25%的浓氨水的体积比是去离子水H202 : NH40H=1 : 5 : 1，槽液温度是8(TC， 在该槽清洗15分钟，然后转入装有去离子水的清洗槽2清洗4分钟。晾干，表面腐蚀黑印 被去除了，检测其几何参数，其平均厚度为810微米，TTV为1. 5微米左右，达到了所要的效 果。 实施例4 将13片磨削片竖着装在白色花篮(cassette，用聚四氟乙烯材料制成)里，其平均 厚度为830微米，TTV为1. 0微米左右。将装有13片磨削片的四氟花篮放了 ll(TC的装有 碱液的化学槽腐蚀4分钟，转入装有I号清洗液的清洗槽1清洗，去离子水、30%的过氧化 氢和25%的浓氨水的体积比是去离子水H202 : NH4OH = 0. 5 : 3 : 1，槽液温度是8(TC， 在该槽清洗15分钟，然后转入装有去离子水的清洗槽2清洗4分钟。晾干，表面腐蚀黑印 被去除了，检测其几何参数，其平均厚度为810微米，TTV为1.5微米左右，达到了所要的效 果。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种可去除腐蚀黑印的硅片腐蚀工艺，其特征在于：它包括以下几个步骤：经装有碱化学液的化学槽中腐蚀、一个清洗槽１中清洗和装有去离子水的清洗槽２中清洗，所述的清洗槽１需要加热。

【技术特征摘要】
一种可去除腐蚀黑印的硅片腐蚀工艺，其特征在于它包括以下几个步骤经装有碱化学液的化学槽中腐蚀、一个清洗槽1中清洗和装有去离子水的清洗槽2中清洗，所述的清洗槽1需要加热。2. 根据权利要求l所述的一种可去除腐蚀黑印的硅片腐蚀工艺，其特征在于清洗槽l 中的i号清洗液由去离子水、过氧化氢和nh40h按一定配比混合而成。3. 根据权利要求2所述的一种可去除腐蚀黑印的硅片腐蚀工艺，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈海滨，
申请(专利权)人：北京有色金属研究总院，有研半导体材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]