【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体制造，尤其涉及一种半导体分离装置和半导体分离方法。
技术介绍
1、在半导体键合工艺中，芯片通常贴附在承载带上，因而拾取芯片时，需要将芯片从承载带上剥离出来。相关技术中通常使用拾取机构与凸轮结构相互配合以将芯片从承载带上剥离。然而，拾取机构与凸轮结构难以保持高度配合，使得芯片在从承载带上剥离的过程中容易产生破碎的风险，剥离效果差，影响键合效率。
技术实现思路
1、本申请提供一种半导体分离装置和半导体分离方法，用于将芯片从膜上剥离，能够缓解相关技术中芯片在从承载带上剥离的过程中容易产生破碎的问题，提高剥离效果，从而提高键合效率。
2、为解决上述技术问题，本申请第一方面提供一种半导体分离装置，包括：顶出装置，位于承载带第一表面一侧，所述顶出装置包括框架、从所述框架表面开孔并位于所述框架内的容置空间以及位于所述容置空间内的顶出结构，所述顶出结构用于向所述承载带施加第一作用力使所述承载带的第一表面附着于所述顶出结构；拾取装置，用于拾取附着于所述承载带第二表面上的目标元件；所述拾取装置带动所述目标元件移动并同时带动附着于所述目标元件上的所述承载带以及附着于所述承载带上的所述顶出结构移动；所述顶出结构移动至预设距离时所述顶出结构被所述容置空间限定位移以阻止所述顶出结构与所述承载带随所述目标元件继续移动，所述目标元件继续移动从所述承载带上分离。
3、一些实施例中，所述第一作用力与所述目标元件向远离所述承载带移动的方向相反；所述拾取装置通过向所述目标元件远离所
4、一些实施例中，所述顶出结构包括吸附结构，通过所述吸附结构施加所述第一作用力。
5、一些实施例中，所述顶出结构包括第一部分和第二部分，所述第一部分靠近所述承载带并与所述第二部分连接；所述容置空间包括狭部；所述狭部允许所述第一部分通过、并使所述第二部分被限制在所述容置空间内以使所述顶出结构移动至预设距离时所述顶出结构被所述容置空间限定位移。
6、一些实施例中，所述容置空间包括第一空间和第二空间，所述第一空间从所述框架表面开孔并与所述第二空间连通，所述第二空间远离所述框架开孔表面一侧，所述狭部位于所述第一空间和所述第二空间的连接处。
7、一些实施例中，所述目标元件从所述承载带上分离后所述顶出结构在重力的作用下回至初始位置。
8、一些实施例中，所述顶出装置还包括支撑架，所述支撑架位于所述框架远离所述承载带的一侧，用于承载回至所述初始位置的所述顶出结构。
9、一些实施例中，所述容置空间以及所述顶出结构均至少为两个，各个所述顶出结构分别位于各个所述容置空间内，至少两个所述顶出结构在从所述框架边缘指向所述框架中部方向上排布且各个所述顶出结构的所述预设距离逐步增加。
10、一些实施例中，当所述拾取装置带动所述目标元件向远离所述承载带的方向移动时，在从所述框架边缘指向所述框架中部方向上，各个所述顶出结构先后移动至各自对应的所述预设距离，各个所述顶出结构依次被所述容置空间限定位移以依次阻止各个所述顶出结构与所述承载带随所述目标元件继续移动，所述目标元件继续移动从所述承载带逐步分离。
11、为解决上述技术问题，本申请第二方面还提供一种半导体分离方法，所述方法包括：提供一顶出装置，所述顶出装置位于承载带的第一表面一侧，所述顶出装置包括框架、从所述框架表面开孔并位于所述框架内的容置空间以及位于所述容置空间内的顶出结构，所述顶出结构用于向所述承载带施加第一作用力使所述承载带的第一表面附着于所述顶出结构；拾取附着于所述承载带第二表面上的目标元件；移动所述目标元件并同时带动附着于所述目标元件上的所述承载带以及附着于所述承载带上的所述顶出结构移动；所述顶出结构移动至预设距离时所述顶出结构被所述容置空间限定位移以阻止所述顶出结构与所述承载带随所述目标元件继续移动，所述目标元件继续移动从所述承载带上分离。
12、本申请一些实施例通过设置相互配合的顶出装置和拾取装置，由于承载带与目标元件之间存在作用力以及顶出结构与承载带之间存在作用力，拾取装置在带动目标元件移动的同时带动附着于目标元件上的承载带以及附着于承载带上的顶出结构移动，使得当拾取装置拾取附着于承载带第二表面上的目标元件时，可以在不对顶出结构施加外在动力的情况下使顶出结构以及承载带同时随着目标元件移动。相对于相关技术，可以避免由于对顶出结构以及对目标元件施加作用力不同步带来的问题，对拾取装置的运动速度和顶出装置的配合度要求较低，能够降低目标元件破碎的风险，提高键合良率。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种半导体分离装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述顶出结构包括吸附结构，通过所述吸附结构施加所述第一作用力。
4.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，
5.根据权利要求4所述的装置，其特征在于，
6.根据权利要求4所述的装置，其特征在于，所述目标元件从所述承载带上分离后所述顶出结构在重力的作用下回至初始位置。
7.根据权利要求6所述的装置，其特征在于，所述顶出装置还包括支撑架，所述支撑架位于所述框架远离所述承载带的一侧，用于承载回至所述初始位置的所述顶出结构。
8.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，
9. 根据权利要求8所述的装置，其特征在于，当所述拾取装置带动所述目标元件向远离所述承载带的方向移动时，在从所述框架边缘指向所述框架中部方向上，各个所述顶出结构先后移动至各自对应的所述预设距离，各个所述顶出结构依次被所述容置空间限定位移以依次阻止各个所述顶出结构与所述承载带随所述目标元件继续移动，所述
10.一种半导体分离方法，其特征在于，包括
...【技术特征摘要】
1.一种半导体分离装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述顶出结构包括吸附结构，通过所述吸附结构施加所述第一作用力。
4.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，
5.根据权利要求4所述的装置，其特征在于，
6.根据权利要求4所述的装置，其特征在于，所述目标元件从所述承载带上分离后所述顶出结构在重力的作用下回至初始位置。
7.根据权利要求6所述的装置，其特征在于，所述顶出装置还包括支撑架，所述支...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈鹏，陶超，王力，龙俊舟，
申请(专利权)人：武汉新芯集成电路股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。