【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及光半导体元件、光集成元件以及光半导体元件的制造方法。
技术介绍
1、以往，公知半导体激光元件、半导体光放大器这样的光半导体元件(例如，专利文献1)。此外，以往公知一体地具备专利文献1那样的光半导体元件和具有波导的部位(以下，将该部位称为光功能元件)的光集成元件(例如，专利文献2)。
2、在先技术文献
3、专利文献
4、专利文献1：国际公开第2021/024997号
5、专利文献2：日本特开2017-092262号公报
技术实现思路
1、-专利技术所要解决的课题-
2、在这种光集成元件中，若光半导体元件的半导体层的层叠方向上的光半导体元件与光功能元件的对位精度低，则光半导体元件与光功能元件的光的耦合效率降低。
3、专利文献1的光半导体元件具有突出部作为层叠方向上的与光功能元件的对位部，在该突出部的前端设置有钝化膜。
4、然而，钝化膜容易产生膜厚的偏差，或者容易产生剥离，由此可能难以确保光半导体元件与光功能元件的对位精度、进而难以确保光半导体元件与光功能元件的光的耦合效率。
5、此外，在专利文献2的光集成元件中，在设置于光半导体元件的凹部容纳设置于光功能元件的凸部，利用该凹部和凸部进行层叠方向上的对位。
6、然而，在将凸部容纳于凹部的构造中，为了容纳凸部，不得不将凹部形成得比较大，光半导体元件乃至光集成元件有可能变大。
7、因而，本专利技术的课题之一是得
8、-用于解决课题的手段-
9、本专利技术的光半导体元件例如具备：基板；第一突出部，具有第一台面，并从所述基板向第一方向突出，该第一台面具有在所述基板上沿所述第一方向层叠有多个半导体层的层叠构造且包括活性层作为所述半导体层；以及第二突出部，在相对于所述第一突出部在与所述第一方向交叉的第二方向上分离的位置从所述基板向所述第一方向突出，包括与所述第一台面相同的层叠构造，在所述第一方向的端部露出所述多个半导体层中的一个。
10、所述光半导体元件也可以作为所述第二突出部而具备多个第二突出部。
11、在所述光半导体元件中，也可以所述第一突出部位于所述多个第二突出部之间。
12、在所述光半导体元件中，也可以第一台面包括第一半导体层作为所述半导体层，所述第一半导体层相对于所述活性层位于与所述基板相反的一侧，不会被能够蚀刻其他半导体层的给定的蚀刻液或者蚀刻气体蚀刻或者蚀刻速率相对于该其他半导体层的蚀刻速率的比足够小，所述第二突出部包括第二半导体层作为所述半导体层，该第二半导体层由与所述第一半导体层相同的材料制作，在所述第一方向的端部露出，并且与所述第一半导体层在所述第二方向上排列。
13、在所述光半导体元件中，也可以所述第一半导体层为衍射光栅层。
14、在所述光半导体元件中，也可以所述第二突出部包括第二半导体层作为所述半导体层，所述第二半导体层在所述第一方向的端部露出，由与所述活性层相同的材料制作，并且与所述活性层在所述第二方向上排列。
15、本专利技术的光集成元件例如具备：光功能元件，具有包括纤芯的光波导；以及上述的光半导体元件，所述光功能元件具有接触部，所述接触部相对于所述第二突出部位于与所述基板相反的一侧，并与该第二突出部相接，所述纤芯和所述活性层在与所述第一方向交叉的第三方向上相面对。
16、在所述光集成元件中，也可以是，所述光功能元件具有基底，所述接触部设置于从所述基底向所述第一方向的相反方向突出的第三突出部。
17、在所述光集成元件中，也可以所述光半导体元件具有相对于所述活性层在所述第一方向上分离的第一电极，所述光功能元件具有设置于所述基底的第二电极，所述第一电极与所述第二电极电连接。
18、本专利技术的光半导体元件的制造方法例如具备如下工序：在基板上形成将多个半导体层在第一方向上层叠而成的层叠构造的工序，其中，所述多个半导体层包括：第三半导体层，由作为活性层发挥功能的材料制作；以及蚀刻停止层，不会被能够对其他半导体层进行蚀刻的给定的蚀刻液或者蚀刻气体蚀刻或者蚀刻速率相对于该其他半导体层的蚀刻速率的比足够小，该蚀刻停止层是相对于所述第三半导体层位于与所述基板相反的一侧的第四半导体层或者所述第三半导体层；通过在与所述基板相反的一侧局部地除去所述层叠构造，从而在与所述第一方向交叉的第二方向上分离的多个部位形成从所述基板突出的多个台面的工序；形成电流阻止层，以使得填埋所述多个台面之间的工序；在相对于所述第三半导体层与所述基板相反的一侧形成导体层的工序；形成第一突出部的工序，所述第一突出部包括：第一台面，作为所述多个台面中的一个；所述电流阻止层中的与该第一台面相邻的部位；以及相对于所述导体层中的所述第一台面与所述基板相反的一侧的部位；以及通过使用了针对所述多个台面中的第二台面的所述给定的蚀刻液或者蚀刻气体的蚀刻，从而形成所述第二台面所包括的所述蚀刻停止层在所述第一方向的端部露出的第二突出部的工序，第二台面与所述第一台面不同。
19、-专利技术效果-
20、根据本专利技术，能够得到新的改善的光半导体元件、光集成元件以及光半导体元件的制造方法。
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1.一种光半导体元件，具备：
2.根据权利要求1所述的光半导体元件，其中，
3.根据权利要求2所述的光半导体元件，其中，
4.根据权利要求1～3中任一项所述的光半导体元件，其中，
5.根据权利要求4所述的光半导体元件，其中，
6.根据权利要求1～3中任一项所述的光半导体元件，其中，
7.一种光集成元件，具备：
8.根据权利要求7所述的光集成元件，其中，
9.根据权利要求8所述的光集成元件，其中，
10.一种光半导体元件的制造方法，具备如下工序：
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种光半导体元件，具备：
2.根据权利要求1所述的光半导体元件，其中，
3.根据权利要求2所述的光半导体元件，其中，
4.根据权利要求1～3中任一项所述的光半导体元件，其中，
5.根据权利要求4所述的光半导体元件，其中，
【专利技术属性】
技术研发人员：宫岛贤一，清田和明，木本龙也，今村明博，平岩浩二，
申请(专利权)人：古河电气工业株式会社，
类型：发明
国别省市：
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