【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
下文涉及用于存储器的一或多个系统，包含用于经耦合半导体系统中的热分布的技术。
技术介绍
1、存储器装置广泛用于在例如计算机、用户装置、无线通信装置、相机、数字显示器及其它的装置中存储信息。通过将存储器装置内的存储器单元编程到各种状态来存储信息。举例来说，二进制存储器单元可编程到两种支持状态中的一者，所述状态通常由逻辑1或逻辑0表示。在一些实例中，单个存储器单元可支持两种以上状态，可存储所述状态中的任一者。为了存取所存储信息，存储器装置可从存储器单元读取(例如，感测、检测、检索、确定)状态。为了存储信息，存储器装置可将状态写入(例如，编程、设置、指派)到存储器单元。
2、存在各种类型的存储器装置，包含磁性硬盘、随机存取存储器(ram)、只读存储器(rom)、动态ram(dram)、同步动态ram(sdram)、静态ram(sram)、铁电ram(feram)、磁性ram(mram)、电阻式ram(rram)、快闪存储器、相变存储器(pcm)、自选择存储器、硫属化物存储器技术、或非(nor)及与非(nand)存储器装置等等。可根据易失性配置或非易失性配置描述存储器单元。配置成非易失性配置的存储器单元可甚至在不存在外部电源的情况下维持所存储逻辑状态达延长时段。配置成易失性配置的存储器单元在与外部电源断开连接时可能丢失所存储状态。一些存储器装置可经实施为半导体裸片堆叠的部分，且与半导体裸片堆叠的操作相关联的热传递可能受到半导体裸片本身、例如接合材料或热界面材料的中介材料，或半导体裸片堆叠与半导体裸片堆叠周围的环境之间的其它材
技术实现思路
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1.一种方法，其包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中将所述第一半导体组件的所述表面与所述第二半导体组件的所述表面的所述第一部分耦合包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其中将所述第一半导体组件的所述表面与所述第二半导体组件的所述表面的所述第一部分耦合包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其中所述第二材料的至少一部分及所述第二介电材料的至少一部分在所述第二半导体组件的所述表面处邻接。
5.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：
6.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：
7.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：
8.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：
9.根据权利要求1所述的方法，其中将所述第三半导体组件的所述表面与所述第二半导体组件的所述表面的所述第二部分耦合包括：
10.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一半导体组件包括：
11.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：
12.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二半导体组件包
13.根据权利要求1所述的方法，其中在不具有电路系统的情况下形成所述第三半导体组件。
14.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一材料形成于所述第三半导体组件的多晶硅部分上方。
15.一种设备，其包括：
16.根据权利要求15所述的设备，其中所述第一半导体组件包括：
17.根据权利要求15所述的设备，其中所述第二半导体组件的所述表面的所述第一部分与所述第一半导体组件的所述表面的所述耦合包括所述第一半导体组件的所述表面处的第一导电材料与所述第二半导体组件的所述表面的所述第一部分处的第二导电材料之间的熔合。
18.根据权利要求17所述的设备，其中所述第二半导体组件的所述表面的所述第一部分与所述第一半导体组件的所述表面的所述耦合包括所述第一半导体组件的所述表面处的第一介电材料与所述第二半导体组件的所述表面的所述第一部分处的第二介电材料之间的熔合。
19.根据权利要求18所述的设备，其中所述第二材料的至少一部分及所述第二介电材料的至少一部分在所述第二半导体组件的所述表面处邻接。
20.根据权利要求15所述的设备，其进一步包括：
21.根据权利要求15所述的设备，其中在不具有电路系统的情况下形成所述第三半导体组件。
22.根据权利要求15所述的设备，其中所述第一材料形成于所述第三半导体组件的多晶硅部分上方。
23.一种通过过程形成的设备，所述过程包括：
24.根据权利要求23所述的设备，其通过包括以下的所述过程形成：
25.根据权利要求24所述的设备，其通过包括以下的所述过程形成：
26.根据权利要求25所述的设备，其中所述第二材料的至少一部分及第二介电材料组件的至少一部分在所述第二半导体组件的所述表面处邻接。
27.一种方法，其包括：
28.根据权利要求27所述的方法，其中所述第一介电材料及所述第二介电材料包括硅的氧化物、硅的氮化物、硅的碳化物或其组合。
29.一种设备，其包括：
30.根据权利要求29所述的设备，其中所述第一介电材料及所述第二介电材料包括硅的氧化物、硅的氮化物、硅的碳化物或其组合。
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种方法，其包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中将所述第一半导体组件的所述表面与所述第二半导体组件的所述表面的所述第一部分耦合包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其中将所述第一半导体组件的所述表面与所述第二半导体组件的所述表面的所述第一部分耦合包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其中所述第二材料的至少一部分及所述第二介电材料的至少一部分在所述第二半导体组件的所述表面处邻接。
5.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：
6.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：
7.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：
8.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：
9.根据权利要求1所述的方法，其中将所述第三半导体组件的所述表面与所述第二半导体组件的所述表面的所述第二部分耦合包括：
10.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一半导体组件包括：
11.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：
12.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二半导体组件包括经配置用于与多个第一半导体组件耦合的半导体晶片。
13.根据权利要求1所述的方法，其中在不具有电路系统的情况下形成所述第三半导体组件。
14.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一材料形成于所述第三半导体组件的多晶硅部分上方。
15.一种设备，其包括：
16.根据权利要求15所述的设备，其中所述第一半导体组件包括：
17.根据权利要求15所述的设备，其中所述第二半导体组件的所述表面的所述第一部分与所述第一半导体组件的所述表面的所述耦...
【专利技术属性】
技术研发人员：A·R·格里芬，B·基思，K·R·帕雷克，仲野英一，J·B·约翰逊，A·D·艾卡尔，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：
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