System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种片状氢氧化钴的制备方法技术_技高网

一种片状氢氧化钴的制备方法技术

技术编号:42688006 阅读:7 留言:0更新日期:2024-09-10 12:36
本发明专利技术公开了一种片状氢氧化钴的制备方法。氢氧化钴是一种非常具有应用前景的超级电容器电极材料,其具有独特的结构特性,在碱性溶液中能够表现出出色的电化学性能。本专利通过直接将钴溶液、氨水进行反应,开发出一种工艺操作简单、形貌可控、收率高、环保、成本低的片状的氢氧化钴的制备方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电池材料制备,具体涉及一种片状的氢氧化钴的制备方法及其应用。


技术介绍

1、超级电容器储能装置的高功率密度和安全环保的优点,使其满足了移动电子设备、运输等多方面的应用需求,已成为现代能源系统中日益重要的部分。对于能源存储装置来说,电极材料是极重要的组成部分,电极材料的性能决定着储能特性的好坏。其中,氢氧化钴是一种非常具有应用前景的超级电容器电极材料,其具有独特的结构特性,在碱性溶液中能够表现出出色的电化学性能。

2、随着超级电容器的发展,人们对其提出了更高的要求,也就意味着对其关键材料提出了更高的要求。然而在实际应用中,氢氧化钴的制备通常面临着合成成本高、形貌团聚不可控等问题,导致了氢氧化钴的倍率性能和循环稳定性较差。因此,需开发出一种工艺操作简单、形貌可控、收率高、环保、成本低的片状的氢氧化钴的制备方法。


技术实现思路

1、本专利技术提供了一种片状氢氧化钴的制备方法,该方法直接采用钴盐为原料,加入适量的氨水,在较低的温度下进行反应生成了片状氢氧化钴。同时对比与现有工艺技术,本专利技术操作简单,步骤简明,能耗低。

2、本专利技术所述的一种片状氢氧化钴的制备方法,包括以下步骤:

3、(1)将一定质量的六水氯化钴溶解于装有去离子水的烧杯中,并将转子放入其中,在转子一定转速下充分溶解。

4、(2)待六水氯化钴充分溶解结束后,在转子一定转速下,向溶液中缓慢滴加氨水,时刻记录溶液的ph值,当ph到一定值时,停止滴加氨水,继续搅拌,待反应完后,停止搅拌,静置沉淀12h。

5、(3)静置沉淀后,将溶液的上清液去掉,对剩下的沉淀进行抽滤、洗涤、干燥、研磨,得到样品。

6、所述步骤(1)中,溶解过程需要缓慢进行,转子的转速不宜过快。

7、所述步骤(2)中,氯化钴水溶液浓度为0.2-0.3mol/l,停止滴加氨水的ph值为8.3左右。

8、所述步骤(3)中,洗涤先用去离子水洗涤3次,再用无水乙醇洗涤3次,干燥温度为60℃,时间8h。

9、本专利技术与现有技术相比具有以下优点:

10、1、本专利技术直接采用钴盐和氨水合成了未发生团聚的具有片状的氢氧化钴,且为微纳米结构。

11、2、本专利技术制备条件温和,方法简单,成本低。

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【技术保护点】

1.一种片状氢氧化钴的制备方法,包括以下步骤:

2.如权利要求1所述的一种片状氢氧化钴的制备方法,其特征在于:所述步骤(1)中,溶解过程需要缓慢进行,转子的转速不宜过快。

3.如权利要求1所述的一种片状氢氧化钴的制备方法,其特征在于:所述步骤(2)中,氯化钴水溶液浓度为0.2-0.3mol/L。

4.如权利要求1所述的一种片状氢氧化钴的制备方法,其特征在于:所述步骤(2)中,向氯化钴水溶液停止滴加氨水时的pH值为8.3左右。

5.如权利要求1所述的一种片状氢氧化钴的制备方法,其特征在于:所述步骤(3)中,洗涤要先用去离子水洗涤3次,再用无水乙醇洗涤3次。

6.如权利要求1所述的一种片状氢氧化钴的制备方法,其特征在于:所述步骤(3)中,干燥时要将样品放入真空烘箱,防止样品氧化,且温度为60℃,时间8h。

7.一种电极,其特征在于,所述电极的制备原料包括如权利要求1~6任一项所述的制备方法制备的氢氧化钴。

【技术特征摘要】

1.一种片状氢氧化钴的制备方法,包括以下步骤:

2.如权利要求1所述的一种片状氢氧化钴的制备方法,其特征在于:所述步骤(1)中,溶解过程需要缓慢进行,转子的转速不宜过快。

3.如权利要求1所述的一种片状氢氧化钴的制备方法,其特征在于:所述步骤(2)中,氯化钴水溶液浓度为0.2-0.3mol/l。

4.如权利要求1所述的一种片状氢氧化钴的制备方法,其特征在于:所述步骤(2)中,向氯化钴水溶液停止滴加氨水时...

【专利技术属性】
技术研发人员:周园郑泽宇董生德孙艳霞许琪贺欣马路祥海春喜
申请(专利权)人:成都理工大学
类型:发明
国别省市:

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