【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本技术涉及半导体系统、工艺、和装备。更具体地，本技术涉及在蚀刻操作期间钝化侧壁和保持特征尺寸的工艺和系统。
技术介绍
1、通过在基板表面上产生复杂地图案化的材料层的工艺使得集成电路成为可能。在基板上产生图案化材料需要受控的形成和去除材料的方法。随着器件尺寸的不断减小，集成电路内的特征可能会变得更小并且结构的深宽比可能会增大，并且在处理操作期间保持这些结构的尺寸可能会受到挑战。一些处理可能会导致材料中的凹陷特征，这些特征可能具有不平坦或锥形的侧壁。开发具有垂直特征且没有任何底切(undercut)的材料可能会变得更加困难。
2、因此，需要可用于生产高质量器件和结构的改进的系统和方法。本技术解决了这些和其他需求。
技术实现思路
1、示例性半导体处理方法可包括在基板上沉积含硼材料。含硼材料可沿着基板中的一个或多个特征的侧壁延伸。方法可包括形成含氧前驱物的等离子体以及使基板与含氧前驱物的等离子体流出物接触。接触可蚀刻基板中的一个或多个特征的一部分。接触可氧化含硼材料。
2、在一些实施例中，含氧前驱物可以是或包括双原子氧。在使基板与含氧前驱物的等离子体流出物接触以及在基板上沉积含硼材料时，将温度保持在小于或约50℃。在使基板与含氧前驱物的等离子体流出物接触以及在基板上沉积含硼材料时，将压力保持在约5mtorr与约100mtorr之间。方法可包括形成含硼前驱物的等离子体。含氧前驱物的等离子体可以以大于或约3000w的等离子体功率产生。方法可包括在基板上沉积第二量的含硼材
3、本技术的一些实施例涵盖半导体处理方法。方法可包括i)用含氧前驱物的等离子体流出物蚀刻设置在半导体处理腔室的处理区域中的基板中的一个或多个特征。方法可包括ii)在基板上沉积含硼材料。含硼材料可沿着基板中的一个或多个特征的至少一部分延伸。方法可包括重复操作i和ii以反复蚀刻基板中的一个或多个特征。在执行操作i和ii时，半导体处理腔室内的温度可保持在小于或约50℃。
4、在一些实施例中，含硼材料可包括含硼和氧的材料。在蚀刻期间可沿着基板的至少一部分形成含硅材料。方法可包括iii)用含氟前驱物处理含硅材料。用含氟前驱物处理含硅材料可保持基板中界定的开口。操作i)至iii)可重复至少三次。可沉积含硼材料达小于或约60秒的总时间段。
5、本技术的一些实施例涵盖半导体处理方法。方法可包括使含氧前驱物流至半导体处理腔室的处理区域。含氧前驱物可以是或包括双原子氧。基板可设置在半导体处理腔室的处理区域内。方法可包括在处理区域内形成含氧前驱物的等离子体。方法可包括使基板与含氧前驱物的等离子体流出物接触。接触可蚀刻基板中的一个或多个特征的第一部分。方法可包括使含硼前驱物流至半导体处理腔室的处理区域。方法可包括在基板上沉积含硼材料。含硼材料可沿着基板中的一个或多个特征的至少一部分延伸。含硼材料可包括氧。方法可包括使含氧前驱物流至半导体处理腔室的处理区域。方法可包括在处理区域内形成含氧前驱物的等离子体。方法可包括使基板与含氧前驱物的等离子体流出物接触。接触可蚀刻基板中的一个或多个特征的第二部分。接触可氧化含硼材料。
6、在一些实施例中，含硼前驱物的流率可介于约50sccm与约500sccm之间。含硼前驱物可在没有载气的情况下流至半导体处理腔室的处理区域。方法可包括形成含硼前驱物的等离子体。含氧前驱物的等离子体可以以比含硼前驱物的等离子体更高的等离子体功率产生。方法可包括向半导体处理腔室的处理区域提供含氟前驱物。含氟前驱物可包括碳。方法可包括用含氟前驱物处理沿基板的至少一部分设置的含硅掩模。用含氟前驱物处理含硅掩模可保持含硅掩模中界定的开口。
7、相对于常规的方法和技术，本技术可提供许多益处。例如，工艺可钝化正在形成的特征的侧壁，同时允许基板保持在单个处理腔室中。此外，处理可通过保持特征尺寸来均匀地蚀刻特征，这可以允许产生更深和更均匀的特征。钝化材料的形成可能比常规的原子层沉积(ald)更快，从而实现更好的产量和单腔室处理。结合以下描述和附图更详细地描述了这些和其他实施例以及它们的许多优点和特征。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种半导体处理方法，包括：
2.如权利要求1所述的半导体处理方法，其中：
3.如权利要求1所述的半导体处理方法，其中：
4.如权利要求1所述的半导体处理方法，其中：
5.如权利要求1所述的半导体处理方法，进一步包括：
6.如权利要求5所述的半导体处理方法，其中：
7.如权利要求1所述的半导体处理方法，进一步包括：
8.如权利要求1所述的半导体处理方法，进一步包括：
9.如权利要求1所述的半导体处理方法，其中：
10.如权利要求1所述的半导体处理方法，进一步包括：
11.如权利要求10所述的半导体处理方法，其中：
12.一种半导体处理方法，包括：
13.如权利要求12所述的半导体处理方法，其中：
14.如权利要求12所述的半导体处理方法，其中：
15.如权利要求14所述的半导体处理方法，其中：
16.一种半导体处理方法，包括：
17.如权利要求16所述的半导体处理方法，其中：
19.如权利要求16所述的半导体处理方法，进一步包括：
20.如权利要求16所述的半导体处理方法，进一步包括：
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种半导体处理方法，包括：
2.如权利要求1所述的半导体处理方法，其中：
3.如权利要求1所述的半导体处理方法，其中：
4.如权利要求1所述的半导体处理方法，其中：
5.如权利要求1所述的半导体处理方法，进一步包括：
6.如权利要求5所述的半导体处理方法，其中：
7.如权利要求1所述的半导体处理方法，进一步包括：
8.如权利要求1所述的半导体处理方法，进一步包括：
9.如权利要求1所述的半导体处理方法，其中：
10.如权利要求1所述的半导体处理方法，进一步包括：
【专利技术属性】
技术研发人员：姚忠华，符谦，A·艾普勒，M·斯利尼瓦萨恩，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。