【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造设备，特别涉及一种加热盘组件及晶圆加工设备。
技术介绍
1、在半导体设备的加工工艺中，通常使用支撑柱托起晶圆，从而利用加热盘对晶圆进行加热，在加热过程中，一些生产工艺中腔体的反应压力变化较大，导致支撑柱下端和上端存在气压差，腔体内的气体由高压到低压产生膨胀，并从支撑柱下端产生一个向上的力导致支撑柱跳出，从而影响晶圆的形状和加热效果，导致晶圆良率下降，甚至加工工艺无法正常进行。
技术实现思路
1、本专利技术提供一种加热盘组件及晶圆加工设备，旨在解决现有的加热盘结构容易导致支撑柱跳出的问题。
2、本专利技术实施例提供一种加热盘组件及晶圆加工设备，包括：加热盘和支撑柱，所述加热盘上设置有安装孔，所述支撑柱安装于所述安装孔中，所述安装孔外侧和/或顶部设置夹紧壁，所述夹紧壁用于卡住所述支撑柱。
3、具体的，所述加热盘上还设置有环槽，所述环槽设置于所述安装孔的外圈，所述夹紧壁形成于所述环槽和安装孔之间。
4、具体的，所述环槽设置在所述加热盘的顶部，所述环槽的深度小于所述安装孔的深度。
5、具体的，所述安装孔包括底部安装孔和位于底部安装孔上方的顶部安装孔，所述顶部安装孔位于所述夹紧壁所围合的空间。
6、具体的，所述顶部安装孔的直径小于所述底部安装孔的直径。
7、具体的，所述顶部安装孔的直径从底部至顶部的方向逐渐变小。
8、具体的，所述支撑柱轴向的外侧与所述安装孔的孔壁之间和/或所述支撑柱轴
9、具体的，所述支撑柱的底部设置有与所述通道的底部连接的导气切口。
10、具体的，所述通道设置于所述支撑柱轴向的内侧的非中心位置。
11、本专利技术实施例还提供晶圆加工设备，包括如上所述的加热盘组件。
12、本专利技术实施例提供一种加热盘组件及晶圆加工设备，该加热盘组件在安装孔外侧和/或顶部设置夹紧壁，通过夹紧壁卡住安装孔内的支撑柱，使其无法跳出加热盘，从而使得支撑柱能够稳定的支撑晶圆，在加热过程中，晶圆受热更加均匀，以使加工工艺正常进行。
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1.一种加热盘组件，包括加热盘和支撑柱，所述加热盘上设置有安装孔，所述支撑柱安装于所述安装孔中，其特征在于，所述安装孔外侧和/或顶部设置夹紧壁，所述夹紧壁用于卡住所述支撑柱。
2.根据权利要求1所述的加热盘组件，其特征在于，所述加热盘上还设置有环槽，所述环槽设置于所述安装孔的外圈，所述夹紧壁形成于所述环槽和安装孔之间。
3.根据权利要求2所述的加热盘组件，其特征在于，所述环槽设置在所述加热盘的顶部，所述环槽的深度小于所述安装孔的深度。
4.根据权利要求2所述的加热盘组件，其特征在于，所述安装孔包括底部安装孔和位于底部安装孔上方的顶部安装孔，所述顶部安装孔位于所述夹紧壁所围合的空间。
5.根据权利要求4所述的加热盘组件，其特征在于，所述顶部安装孔的直径小于所述底部安装孔的直径。
6.根据权利要求4所述的加热盘组件，其特征在于，所述顶部安装孔的直径从底部至顶部的方向逐渐变小。
7.根据权利要求1所述的加热盘组件，其特征在于，所述支撑柱轴向的外侧与所述安装孔的孔壁之间和/或所述支撑柱轴向的内侧设置有至少一通道，用于
8.根据权利要求7所述的加热盘组件，其特征在于，所述支撑柱的底部设置有与所述通道的底部连接的导气切口。
9.根据权利要求7所述的加热盘组件，其特征在于，所述通道设置于所述支撑柱轴向的内侧的非中心位置。
10.一种晶圆加工设备，其特征在于，包括如权利要求1-9任一项所述的加热盘组件。
...【技术特征摘要】
1.一种加热盘组件，包括加热盘和支撑柱，所述加热盘上设置有安装孔，所述支撑柱安装于所述安装孔中，其特征在于，所述安装孔外侧和/或顶部设置夹紧壁，所述夹紧壁用于卡住所述支撑柱。
2.根据权利要求1所述的加热盘组件，其特征在于，所述加热盘上还设置有环槽，所述环槽设置于所述安装孔的外圈，所述夹紧壁形成于所述环槽和安装孔之间。
3.根据权利要求2所述的加热盘组件，其特征在于，所述环槽设置在所述加热盘的顶部，所述环槽的深度小于所述安装孔的深度。
4.根据权利要求2所述的加热盘组件，其特征在于，所述安装孔包括底部安装孔和位于底部安装孔上方的顶部安装孔，所述顶部安装孔位于所述夹紧壁所围合的空间。
5.根据权利要求4所述的加热盘组件...
【专利技术属性】
技术研发人员：张佳琦，
申请(专利权)人：拓荆科技上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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