【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及反相器电路，尤其涉及一种互补共源共栅反相器电路。
技术介绍
1、共源共栅结构反相器，本身是一种级联三极管结构，多用于模拟放大电路中，现有常用的包括如下两种：
2、如图1所示，电阻型mos管反相器电路，由于该电路采用了神经mos管，其开启电压可以通过门极输入栅电压进行调节，当输入信号加权和大于神经mos管开启电压时，反相器输出为低电平，当输入信号加权和小于神经mos管开启电压时，输出为高电平，电阻型mos反相器虽然具有阈值可调特性，但是它包含被动元件，功耗较大；
3、如图2所示，另外一种互补型mos管反相器的基本电路中反相器的阈值电压，互补型mos管反相器本质上是采用电压模式的加权和实现，所以没有直流电流，功耗很低，但是当输入电压低于阈值电压时，反相器输出会产生较大的阈值损失，甚至会导致逻辑错误。
4、为此，我们提出一种互补共源共栅反相器电路。
技术实现思路
1、针对现有技术的不足，本专利技术提供了一种互补共源共栅反相器电路，以解决现有技术中的技术问题。
2、为实现以上目的，本专利技术通过以下技术方案予以实现：
3、一种互补共源共栅反相器电路，包括输入端vin、控制端vc、输出端vout、所述输入端vin分别与nmos管、pmos管的栅极电性连接，所述控制端vc为多个门极输入栅的等效电压，所述nmos管的衬底接地，所述pmos的衬底接电源电压。
4、作为本专利技术的优选技术方案，所述nmos管的衬底
5、作为本专利技术的优选技术方案，基本参数vth、vih、vil，当输入电压和输出电压相等时，此时两个晶体管都应该处于饱和状态，vtn表示神经nmos管以浮栅作为输入端时的开启电压，vtp表示pmos管开启电压，故根据kcl方程可得：vth＝kn*kp/2*[c*vin+c*vc)/(c1+c2)－vtn]2，其中，kn为神经nmos管的跨导系数，kp为pmos管的跨导系数。
6、作为本专利技术的优选技术方案，当vin＝vil时，曲线斜率等于-1，在这种情况下，nmos晶体管工作在饱和区，pmos晶体管工作在线性区，vout＝vds＝0，根据kcl方程可得：
7、vil＝[vtp-vdd+qkr(vtn－qvc)]/(1+q2)。
8、作为本专利技术的优选技术方案，当vin＝vih时，曲线斜率也等于－1，nmos管工作在线性区，pmos管工作在饱和区，vout＝vds＝vdd，根据kcl方程可得：
9、vih＝[(1+kr+qkr)vdd+vtp+kr(qvc+vtn)]/(1+q1kr)。
10、本专利技术提供了一种互补共源共栅反相器电路，具备以下有益效果：
11、1、专利技术所设计的反相器用一个常规mos管替代了互补型mos管反相器中的一个神经mos管，因此不但可降低功耗②而且可减少阈值损失，实验和分析进一步证明了所设计的电路结构简单、阈值可控、功耗低等特点，将此新型神经mos管反相器应用于多值逻辑电路中，将会有力的推动多值逻辑电路的实用化进程；
12、2、本专利技术中pmos管衬底接地而nmos管的衬底接电源电压，这样不但实现反相器漏源结反偏，而且两个器件的vsb均为零，避免了衬底偏置效应。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种互补共源共栅反相器电路，其特征在于，包括输入端Vin、控制端Vc、输出端Vout、所述输入端Vin分别与NMOS管、PMOS管的栅极电性连接，所述控制端Vc为多个门极输入栅的等效电压，所述NMOS管的衬底接地，所述PMOS的衬底接电源电压。
2.根据权利要求1所述的一种互补共源共栅反相器电路，其特征在于，所述NMOS管的衬底接电源电压，所述PMOS的衬底接地。
3.根据权利要求1所述的一种互补共源共栅反相器电路，其特征在于，基本参数VTH、VIH、VIL，当输入电压和输出电压相等时，此时两个晶体管都应该处于饱和状态，VTN表示神经NMOS管以浮栅作为输入端时的开启电压，VTP表示PMOS管开启电压，故根据KCL方程，
4.根据权利要求1所述的一种互补共源共栅反相器电路，其特征在于，当Vin＝VIL时，曲线斜率等于-1，在这种情况下，NMOS晶体管工作在饱和区，PMOS晶体管工作在线性区，Vout＝VDS＝0，根据KCL方程可得：
5.根据权利要求1所述的一种互补共源共栅反相器电路，其特征在于，当Vin＝VIH时，曲线斜率也等
...【技术特征摘要】
1.一种互补共源共栅反相器电路，其特征在于，包括输入端vin、控制端vc、输出端vout、所述输入端vin分别与nmos管、pmos管的栅极电性连接，所述控制端vc为多个门极输入栅的等效电压，所述nmos管的衬底接地，所述pmos的衬底接电源电压。
2.根据权利要求1所述的一种互补共源共栅反相器电路，其特征在于，所述nmos管的衬底接电源电压，所述pmos的衬底接地。
3.根据权利要求1所述的一种互补共源共栅反相器电路，其特征在于，基本参数vth、vih、vil，当输入电压和输出电压相等时，此时两个晶体管都应该处于饱和...
【专利技术属性】
技术研发人员：胡伟波，石方敏，
申请(专利权)人：江苏谷泰微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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