System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 部分编程块读取操作制造技术_技高网

部分编程块读取操作制造技术

技术编号:42681933 阅读:14 留言:0更新日期:2024-09-10 12:31
本公开涉及部分编程块读取操作。提供了用于确定对部分编程块执行读取操作的设备及方法。一个实例设备可包含控制器,所述控制器经配置以在对存储器胞元阵列中的字线的读取操作期间向所述字线施加读取电压、在所述读取操作期间向所述存储器胞元阵列中的多个编程字线施加第一通过电压,及在所述读取操作期间向所述存储器胞元阵列中的多个未编程字线施加第二通过电压。

【技术实现步骤摘要】

本公开大体上涉及读取操作,且更特定来说,涉及用于对部分编程块进行读取操作的设备及方法。


技术介绍

1、存储器装置通常经提供作为计算机或其它电子装置中的内部半导体集成电路。存在许多不同类型的存储器,包含易失性及非易失性存储器。易失性存储器可需要电力来维持其数据且包含随机存取存储器(ram)、动态随机存取存储器(dram)及同步动态随机存取存储器(sdram)以及其它存储器。非易失性存储器可通过在未被供电时留存所存储数据而提供永久数据,且可包含nand快闪存储器、nor快闪存储器、相变随机存取存储器(pcram)、电阻式随机存取存储器(rram)及磁性随机存取存储器(mram)以及其它存储器。

2、可将存储器装置组合在一起以形成固态驱动器(ssd)。ssd可包含非易失性存储器(例如,nand快闪存储器及/或nor快闪存储器),及/或可包含易失性存储器(例如,dram及/或sram)以及各种其它类型的非易失性及易失性存储器。例如,快闪存储器装置可包含将数据存储于例如浮动栅极等电荷存储结构中的存储器胞元,且可用作用于宽广范围的电子应用的非易失性存储器。快闪存储器装置通常使用允许高存储器密度、高可靠性及低电力消耗的单晶体管存储器胞元。

3、可使用ssd来替换硬盘驱动器作为计算机的主要存储卷,因为固态驱动器可在性能、大小、重量、耐用性、操作温度范围及电力消耗方面具有优于硬驱动器的优点。例如,ssd可在与磁盘驱动器相比时因其缺乏移动部件(此可避免与磁盘驱动器相关联的寻道时间、等待时间及其它机电延迟)而具有优越性能。p>

4、存储器作为易失性及非易失性数据存储装置而用于宽广范围的电子应用。例如,非易失性存储器可用于个人计算机、便携式存储条、数码相机、蜂窝式电话、例如mp3播放器等便携式音乐播放器、电影播放器及其它电子装置中。存储器胞元可布置成若干阵列,其中所述阵列用于存储器装置中。

5、可将阵列架构中的存储器胞元编程为所要状态。例如,可将电荷置放在存储器胞元的电荷存储架构(例如,浮动栅极)上或从所述电荷存储架构移除以将所述胞元编程为特定状态。例如,单级(存储器)胞元(slc)可被编程为两种不同状态之一,每种状态表示数据值的不同数字,例如,1或0。一些快闪存储器胞元可被编程为对应于不同的特定数据值(例如,1111、0111、0011、1011、1001、0001、0101、1101、1100、0100、0000、1000、1010、0010、0110或1110)的多于两种状态之一。此类胞元可被称为多状态存储器胞元、多单位胞元或多级(存储器)胞元(mlc)。mlc可在不增加存储器胞元的数目的情况下提供更高密度的存储器,因为每个胞元可被编程为对应于多于一个数字(例如,多于一位的数据)的状态。


技术实现思路

1、在一个方面中,本公开是针对一种用于执行读取操作的设备,包括:存储器胞元阵列;控制器,其耦合到所述存储器胞元阵列并且所述控制器经配置以:在对所述存储器胞元阵列中的字线的读取操作期间,向所述字线施加读取电压;在所述读取操作期间,向所述存储器胞元阵列中的多个编程字线施加第一通过电压;在所述读取操作期间,向所述存储器胞元阵列中的多个未编程字线施加第二通过电压。

2、在另一方面中,本公开是针对一种用于执行读取操作的设备,包括:存储器胞元阵列;控制器,其耦合到所述存储器胞元阵列并且所述控制器经配置以:在对所述存储器胞元阵列中的字线的读取操作期间,向所述字线施加读取电压;在所述读取操作期间,向所述存储器胞元阵列中的多个编程字线施加第一通过电压;在所述读取操作期间,向所述存储器胞元阵列中的多个未编程字线施加第二通过电压;向与正读取的所述字线邻近的编程字线及与正读取的所述字线邻近的未编程字线施加第三通过电压;其中所产生的所述第三通过电压取决于所述未编程字线与正读取的所述字线之间的距离。

3、在另一方面中,本公开是针对一种执行读取操作的方法,其包括:对存储器阵列中的字线执行读取操作,其中执行所述读取操作包含:在对所述存储器胞元阵列中的所述字线的所述读取操作期间向所述字线施加读取电压;向所述存储器胞元阵列中的多个编程字线施加第一通过电压;向所述存储器胞元阵列中的多个未编程字线施加第二通过电压。

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【技术保护点】

1.一种用于执行读取操作的设备,其包括:

2.根据权利要求1所述的设备,其中所述设备包含部分编程块,所述部分编程块包括所述多个编程字线及所述多个未编程字线。

3.根据权利要求1所述的设备,其进一步包括向与正读取的所述字线邻近的编程字线及与正读取的所述字线邻近的未编程字线施加第三通过电压。

4.根据权利要求1所述的设备,其中所述第二通过电压的量级小于所述第一通过电压的量级。

5.根据权利要求2所述的设备,其中正读取的所述字线位于所述部分编程块中。

6.根据权利要求1到5中任一项所述的设备,其进一步包含获得所述阵列中最后编程字线的位置。

7.根据权利要求1到5中任一项所述的设备,其中所述第一通过电压及第二通过电压基于部分编程块中所述最后编程字线的所述位置。

8.根据权利要求1到5中任一项所述的设备,其进一步包含对部分编程块的边界字线执行所述读取操作。

9.一种用于执行读取操作的设备,其包括:

10.根据权利要求9所述的设备,其中向与正读取的所述字线不邻近的多个未编程存储器胞元施加所述第二通过电压。

11.根据权利要求9所述的设备,其中所述控制器经配置以使用查找表来确定所述第二通过电压的值。

12.根据权利要求11所述的设备,其中所述查找表包含基于包括所述多个未编程字线的未编程字线的数量的所述第二通过电压的值。

13.根据权利要求9所述的设备,其中所述控制器经配置以基于在部分编程块中读取的所述字线的位置来计算所述第二通过电压的值。

14.根据权利要求9所述的设备,其中所述设备基于部分编程块中的未编程字线的数量来计算从所述第一通过电压到施加到所述未编程字线的第二通过电压的变化。

15.一种执行读取操作的方法,其包括:

16.根据权利要求15所述的方法,其进一步包含对部分编程块执行所述读取操作。

17.根据权利要求15所述的方法,其进一步包含获得所述阵列中最后编程字线的位置。

18.根据权利要求17所述的方法,其进一步包含基于所述最后编程字线及最后未编程字线的所述位置来计算所述第一通过电压及第二通过电压值。

19.根据权利要求15到17中任一项所述的方法,其进一步包含对部分编程块的边界字线执行所述读取操作。

20.根据权利要求15到17中任一项所述的方法,其进一步在完成所述读取操作之后将所述第二通过电压恢复到初始值。

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【技术特征摘要】

1.一种用于执行读取操作的设备,其包括:

2.根据权利要求1所述的设备,其中所述设备包含部分编程块,所述部分编程块包括所述多个编程字线及所述多个未编程字线。

3.根据权利要求1所述的设备,其进一步包括向与正读取的所述字线邻近的编程字线及与正读取的所述字线邻近的未编程字线施加第三通过电压。

4.根据权利要求1所述的设备,其中所述第二通过电压的量级小于所述第一通过电压的量级。

5.根据权利要求2所述的设备,其中正读取的所述字线位于所述部分编程块中。

6.根据权利要求1到5中任一项所述的设备,其进一步包含获得所述阵列中最后编程字线的位置。

7.根据权利要求1到5中任一项所述的设备,其中所述第一通过电压及第二通过电压基于部分编程块中所述最后编程字线的所述位置。

8.根据权利要求1到5中任一项所述的设备,其进一步包含对部分编程块的边界字线执行所述读取操作。

9.一种用于执行读取操作的设备,其包括:

10.根据权利要求9所述的设备,其中向与正读取的所述字线不邻近的多个未编程存储器胞元施加所述第二通过电压。

11.根据权利要求9所述的设备,其中所述控制器经配置以使...

【专利技术属性】
技术研发人员:P·舒克拉R·赫林亚F·罗里S·A·斯托勒T·贝茨
申请(专利权)人:美光科技公司
类型:发明
国别省市:

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