【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体装置及其制造方法。
技术介绍
1、以往，在将igbt(insulated－gate bipolar transistor)元件等半导体元件进行树脂封固而得到的结构的半导体装置中，将半导体元件的电极经由与半导体元件连接的键合线和从封固树脂的侧面突出的引线而与栅极驱动电路连接。在这样的连接方法中，由于布线在横向上扩展，所以半导体装置的横向的尺寸变大。此外，由于路径长度变长，所以寄生电感变大。
2、例如在专利文献1中，形成相对于半导体元件的上表面垂直地延伸设置的布线，通过该布线将半导体元件与驱动电路连接。由此，能够实现通过无引线键合带来的半导体装置的小型化及通过路径缩短带来的寄生电感的降低。
3、现有技术文献
4、专利文献
5、专利文献1：日本特开2010－129550号公报
技术实现思路
1、但是，由于垂直地引出的布线难以单独地保持，所以有可能在树脂封固时布线倒下而发生工序不良状况。
2、本专利技术鉴于上述问题，目的在于提供能够抑制不良状况的发生的半导体装置及其制造方法。
3、为了达成上述目的，半导体装置具备：第1连接对象及第2连接对象，配置在基板的一面侧；与第1连接对象连接的第1引出布线以及与第2连接对象连接的第2引出布线；以及封固树脂，将第1连接对象、第2连接对象、第1引出布线、第2引出布线封固。第1引出布线具备与第1连接对象连接的第1连接部、从封固树脂露出的第1顶部、和相对于一面倾斜并将第
4、在制造半导体装置时，通过形成将第1连接对象与第2连接对象跨接的形状的布线，在树脂封固后将该布线的一部分除去，从而能够形成第1顶部和第2顶部相互对置地配置的第1引出布线及第2引出布线。通过将布线做成将多个连接对象跨接的形状，布线在多个点被支承，所以能够抑制因树脂封固造成的布线的倒下，抑制不良状况的发生。
5、此外，半导体装置的制造方法包括：在基板的一面侧配置多个连接对象；形成将多个连接对象跨接的形状的跨接布线；将连接对象及跨接布线用封固树脂进行封固；使跨接布线的一部分在封固树脂的表面露出；以及将该露出了的跨接布线截断。
6、由此，布线被做成将多个连接对象跨接的形状，在多个点被支承。
7、因此，能够抑制因树脂封固造成的布线的倒下，抑制不良状况的发生。
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1.一种半导体装置，其特征在于，
2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
3.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，
4.如权利要求2或3所述的半导体装置，其特征在于，
5.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
6.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，
7.如权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
8.如权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
9.如权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其特征在于，
2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
3.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，
4.如权利要求2或3所述的半导体装置，其特征在于，
5.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在...
【专利技术属性】
技术研发人员：桑田和辉，石野宽，远藤刚，加藤良隆，
申请(专利权)人：株式会社电装，
类型：发明
国别省市：
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