【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体领域，特别涉及一种半导体制程设备及半导体制程设备的保养方法。
技术介绍
1、晶舟是半导体制造工艺中承载晶圆的重要装置，在晶舟的使用过程中，需要根据需要对晶舟等相关零部件进行重新安装固定，对零部件进行安装时需借助工具和凭借经验进行校正，较为费时费力且存在安装偏差问题。若各个零部件的安装位置出现偏差，需要返工重装，且若未及时发现偏差问题，会影响产品质量甚至导致产品报废。
2、如何避免晶舟在使用中出现安装偏差是目前亟需解决的问题。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种半导体制程设备及半导体制程设备的保养方法，使得能够实现快速对半导体制程设备进行保养，避免晶舟在使用中出现安装偏差。
2、为实现上述目的，本专利技术提供了一种半导体制程设备，包括：
3、晶舟，包括第一连接件、第二连接件、支撑架和多个支撑部，所述支撑架设置于所述第一连接件与所述第二连接件之间，所述多个支撑部间隔地设置于所述支撑架上，所述支撑部用于承载晶圆，所述第一连接件中设置有第一通孔；
4、第一激光检测装置，用于向所述第一通孔发射激光并根据接收到的激光情况判断所述晶舟是否安装水平。
5、可选地，所述支撑架的数量为多个，或者，所述支撑架为一体成型的单个结构。
6、可选地，所述第二连接件中设置有位置与所述第一通孔对应的第二通孔，当穿过所述第一通孔的所述激光还穿过所述第二通孔时，判断所述晶舟安装水平。
7、可选地，所述支
8、可选地，所述第一连接件中还设置有第三通孔，所述其他支撑部背向所述支撑架的一面与所述晶舟的中心轴之间的夹角为45°；当所述晶舟安装水平时，所述其他支撑部将入射至所述对准标记上的所述激光反射至穿过所述第三通孔。
9、可选地，所述第一通孔和所述第二通孔的直径与所述激光的直径的比值为1:1~1.1:1。
10、可选地，所述半导体制程设备还包括：
11、支撑基座，用于承载所述晶舟；
12、支撑台，水平的设置于所述晶舟上方，所述第一激光检测装置设置于所述支撑基座上，和/或，所述第一激光检测装置设置于所述支撑台的底面。
13、可选地，所述第一激光检测装置包括第一激光发射器和第一激光接收器，所述第一激光发射器和所述第一激光接收器分别设置于所述支撑基座上和所述支撑台的底面，所述第一激光发射器用于发射激光，所述第一激光接收器用于接收激光；或者，所述第一激光检测装置包括第一激光发射和接收器，所述第一激光发射和接收器设置于所述支撑基座上或所述支撑台的底面，所述第一激光发射和接收器用于发射激光和接收激光。
14、可选地，所述半导体制程设备还包括：
15、隔热部件，设置于所述晶舟底面，所述隔热部件中设置有第四通孔，所述第四通孔与所述第一通孔的位置一一对应。
16、可选地，所述半导体制程设备还包括：
17、炉管，所述炉管用于容纳所述晶舟，所述炉管顶端封闭，所述炉管底端具有装卸口，所述晶舟能够从所述装卸口进入或离开所述炉管。
18、可选地，所述半导体制程设备还包括：
19、升降台，用于带动所述支撑基座和所述晶舟上下移动。
20、本专利技术还提供一种半导体制程设备的保养方法，包括：
21、提供所述的半导体制程设备；
22、采用所述第一激光检测装置向所述第一通孔发射激光，并根据所述第一激光检测装置接收到的激光情况判断所述晶舟是否安装水平。
23、可选地，所述半导体制程设备还包括：炉管，所述炉管用于容纳所述晶舟；
24、在采用所述第一激光检测装置向所述第一通孔发射激光之前，所述半导体制程设备的保养方法还包括：
25、将所述晶舟安装至所述炉管下方。
26、与现有技术相比，本专利技术的技术方案具有以下有益效果：
27、1、本专利技术的半导体制程设备，包括：晶舟，包括第一连接件、第二连接件、支撑架和多个支撑部，所述支撑架设置于所述第一连接件与所述第二连接件之间，所述多个支撑部间隔地设置于所述支撑架上，所述支撑部用于承载晶圆，所述第一连接件中设置有第一通孔；第一激光检测装置，用于向所述第一通孔发射激光并根据接收到的激光情况判断所述晶舟是否安装水平，使得能够实现快速对半导体制程设备进行保养，避免晶舟在使用中出现安装偏差。
28、2、本专利技术的半导体制程设备的保养方法，通过提供所述的半导体制程设备；采用所述第一激光检测装置向所述第一通孔发射激光，并根据所述第一激光检测装置接收到的激光情况判断所述晶舟是否安装水平，使得能够实现快速对半导体制程设备进行保养，避免晶舟在使用中出现安装偏差。
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1.一种半导体制程设备，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体制程设备，其特征在于，所述支撑架的数量为多个，或者，所述支撑架为一体成型的单个结构。
3.如权利要求1所述的半导体制程设备，其特征在于，所述第二连接件中设置有位置与所述第一通孔对应的第二通孔，当穿过所述第一通孔的所述激光还穿过所述第二通孔时，判断所述晶舟安装水平。
4.如权利要求1所述的半导体制程设备，其特征在于，所述支撑架上的至少一个支撑部向远离所述支撑架的方向延伸，且所述至少一个支撑部背向所述支撑架的一面与所述晶舟的中心轴之间的夹角为45°，以使得当穿过所述第一通孔的激光入射至所述至少一个支撑部背向所述支撑架的一面后反射至所述支撑架上的其他支撑部的对准标记上时，判断所述晶舟安装水平；所述至少一个支撑部与所述其他支撑部的高度相同。
5.如权利要求4所述的半导体制程设备，其特征在于，所述第一连接件中还设置有第三通孔，所述其他支撑部背向所述支撑架的一面与所述晶舟的中心轴之间的夹角为45°；当所述晶舟安装水平时，所述其他支撑部将入射至所述对准标记上的所述激光反射至穿
6.如权利要求3所述的半导体制程设备，其特征在于，所述第一通孔和所述第二通孔的直径与所述激光的直径的比值为1:1~1.1:1。
7.如权利要求1所述的半导体制程设备，其特征在于，所述半导体制程设备还包括：
8.如权利要求7所述的半导体制程设备，其特征在于，所述第一激光检测装置包括第一激光发射器和第一激光接收器，所述第一激光发射器和所述第一激光接收器分别设置于所述支撑基座上和所述支撑台的底面，所述第一激光发射器用于发射激光，所述第一激光接收器用于接收激光；或者，所述第一激光检测装置包括第一激光发射和接收器，所述第一激光发射和接收器设置于所述支撑基座上或所述支撑台的底面，所述第一激光发射和接收器用于发射激光和接收激光。
9.如权利要求1所述的半导体制程设备，其特征在于，所述半导体制程设备还包括：
10.如权利要求1所述的半导体制程设备，其特征在于，所述半导体制程设备还包括：
11.如权利要求7所述的半导体制程设备，其特征在于，所述半导体制程设备还包括：
12.一种半导体制程设备的保养方法，其特征在于，包括：
13.如权利要求12所述的半导体制程设备的保养方法，其特征在于，所述半导体制程设备还包括：炉管，所述炉管用于容纳所述晶舟；
...【技术特征摘要】
1.一种半导体制程设备，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体制程设备，其特征在于，所述支撑架的数量为多个，或者，所述支撑架为一体成型的单个结构。
3.如权利要求1所述的半导体制程设备，其特征在于，所述第二连接件中设置有位置与所述第一通孔对应的第二通孔，当穿过所述第一通孔的所述激光还穿过所述第二通孔时，判断所述晶舟安装水平。
4.如权利要求1所述的半导体制程设备，其特征在于，所述支撑架上的至少一个支撑部向远离所述支撑架的方向延伸，且所述至少一个支撑部背向所述支撑架的一面与所述晶舟的中心轴之间的夹角为45°，以使得当穿过所述第一通孔的激光入射至所述至少一个支撑部背向所述支撑架的一面后反射至所述支撑架上的其他支撑部的对准标记上时，判断所述晶舟安装水平；所述至少一个支撑部与所述其他支撑部的高度相同。
5.如权利要求4所述的半导体制程设备，其特征在于，所述第一连接件中还设置有第三通孔，所述其他支撑部背向所述支撑架的一面与所述晶舟的中心轴之间的夹角为45°；当所述晶舟安装水平时，所述其他支撑部将入射至所述对准标记上的所述激光反射至穿过所述第三通孔。
6.如权利要求3所述的半导体制程设备，其特征在于，...
【专利技术属性】
技术研发人员：尚思飞，
申请(专利权)人：武汉新芯集成电路股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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