【技术实现步骤摘要】
本专利技术大体上涉及检验系统的领域，且特定来说涉及电子束检验系统。
技术介绍
1、薄抛光板(例如硅晶片及类似者)是现代技术的非常重要部分。例如，晶片可指用于制造集成电路及其它装置中的薄圆块半导体材料。
2、晶片及主光罩经受缺陷检验，且电子束(e-beam)检验被视为最敏感形式的晶片缺陷检验中的一个。然而，目前可行电子束检验系统的吞吐量非常有限且需要改善。
技术实现思路
1、本专利技术涉及一种设备。所述设备可包含电子源及多透镜阵列，所述多透镜阵列经配置以利用由所述电子源提供的电子产生多个细光束。所述多透镜阵列可进一步经配置以移位所述多个细光束中的至少一个特定细光束的焦点，使得所述至少一个特定细光束的所述焦点与所述多个细光束中的至少一个其它细光束的焦点不同。
2、本专利技术的进一步实施例是一种设备。所述设备可包含电子源及多透镜阵列，所述多透镜阵列经配置以利用由所述电子源提供的电子产生多个细光束。所述多透镜阵列可进一步经配置以移位所述多个细光束中的至少一个特定细光束的焦点，使得所述至少一个特定细光束的所述焦点与所述多个细光束中的至少一个其它细光束的焦点不同。所述设备还可包含至少一个额外透镜，所述至少一个额外透镜经配置以接收所述多个细光束且朝向目标传递所述多个细光束。
3、本专利技术的额外实施例涉及一种检验系统。所述检验系统可包含电子源及多透镜阵列，所述多透镜阵列经配置以利用由所述电子源提供的电子产生多个细光束。所述多透镜阵列可进一步经配置以移位所述多个
4、应理解，前文一般描述及下文详细描述两者都仅为实例性及解释性的且未必限制本专利技术。并入说明书中且构成说明书的部分的附图说明本专利技术的标的物。所述描述及所述附图一起用以解释本专利技术的原理。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种设备，其包括：
2.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一静电板或所述第二静电板中的至少一者包括具有蚀刻在其中的所述开口的氧化硅板，其中用所述导电材料个别地涂布所述开口以容许所述个别可寻址电势施加于所述经蚀刻开口。
3.根据权利要求1所述的设备，其中至少部分地基于至少一个额外透镜的所述预期焦点移位确定所述个别可寻址电势。
4.根据权利要求1所述的设备，其中所述设备经调适以在检验系统中充当多光束电子束柱。
5.一种设备，其包括：
6.根据权利要求5所述的设备，其中基于所述至少一个额外透镜的所述预期焦点移位至少部分地确定所述个别可寻址电势。
7.一种检验系统，其包括：
8.根据权利要求7所述的检验系统，其中至少部分地基于所述至少一个额外透镜的所述预期焦点移位确定所述个别可寻址电势。
【技术特征摘要】
1.一种设备，其包括：
2.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一静电板或所述第二静电板中的至少一者包括具有蚀刻在其中的所述开口的氧化硅板，其中用所述导电材料个别地涂布所述开口以容许所述个别可寻址电势施加于所述经蚀刻开口。
3.根据权利要求1所述的设备，其中至少部分地基于至少一个额外透镜的所述预期焦点移位确定所述个别可寻址电势。
4.根据权利要求1所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：A·D·布罗迪，R·克尼彭迈耶，C·西尔斯，J·劳斯，G·H·陈，
申请(专利权)人：科磊股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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