【技术实现步骤摘要】
本申请涉及电子设备，更具体地，涉及一种mems结构、mems结构的制作方法和mems传感器。
技术介绍
1、对于电容式mems惯性传感器，往往在机械冲击可靠性方面有较高的要求。为防止传感器在冲击过程中结构失效，通常会给mems可动功能结构设计相应限位结构，避免可动结构有过大位移而导致结构损坏。但这种解决方法通常会增加额外的芯片面积。
技术实现思路
1、本申请的一个目的是提供一种mems结构、mems结构的制作方法和mems传感器。
2、根据本申请的第一方面，提供了一种mems结构，包括：
3、可动层、电极层和绝缘层；
4、所述电极层设置于所述绝缘层上，所述可动层设置于所述电极层上，且所述可动层与所述电极层之间设置有可动间隙；
5、所述电极层上的设定位置处设置有第一形变区，所述绝缘层不延伸至所述第一形变区，使所述可动层抵触到所述第一形变区时，所述第一形变区具有形变空间。
6、可选地，所述设定位置处设置有一个或多个镂空结构，形成所述第一形变区。
7、可选地，所述镂空结构设置有多个时，多个所述镂空结构依次间隔均匀排列在所述第一形变区。
8、可选地，所述可动层朝向所述电极层的一侧设置有多个第一凸台结构，且至少部分所述第一凸台结构与所述第一形变区相对。
9、可选地，所述可动层通过支撑结构固定在所述电极层上，形成可动的长边侧和短边侧；
10、所述电极层在对应于所述长边侧的边缘处具有非检测
11、可选地，还包括盖体和衬底，所述盖体设置于所述可动层的上方，并与所述可动层形成有腔体，所述衬底设置于所述绝缘层的下方；
12、所述可动层在对应于所述第一形变区的位置处设置有第二形变区，所述盖体在对应于所述第二形变区的位置处设置有第二凸台结构。
13、可选地，所述第二形变区设置有一个或多个镂空结构，形成所述第二形变区。
14、可选地，所述第二形变区在朝向所述盖体的一侧设置有第三凸台结构，所述第三凸台结构为金属凸台。
15、根据本申请的第二方面，提供一种mems结构的制作方法，应用于第一方面所述的mems结构，所述制作方法包括：
16、在衬底层上依次向上沉积绝缘层、电极层、牺牲层和可动层；
17、去除所述牺牲层，形成所述可动间隙；
18、去除所述电极层的设定位置处的部分结构，形成所述第一形变区；
19、去除所述绝缘层对应于所述第一形变区的部分结构，形成所述形变空间。
20、根据本申请的第三方面，提供一种mems传感器，包括第一方面所述的mems结构。
21、根据本申请的一个实施例，本申请通过在电极层的设定位置处设置第一形变区，并在绝缘层在第一变形区的位置处留设有形变空间，使得mems结构在受到较大冲击而导致可动层具有较大位移时，能够抵触第一形变区，以对可动层形成缓冲，实现了在不增加芯片的额外尺寸的情况下，避免了可动层的崩边、碎裂等情况的发生，提高了mems结构的可靠性。
22、通过以下参照附图对本申请的示例性实施例的详细描述，本申请的其它特征及其优点将会变得清楚。
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1.一种MEMS结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种MEMS结构，其特征在于，所述设定位置处设置有一个或多个镂空结构，形成所述第一形变区。
3.根据权利要求2所述的一种MEMS结构，其特征在于，所述镂空结构设置有多个时，多个所述镂空结构依次间隔均匀排列在所述第一形变区。
4.根据权利要求1所述的一种MEMS结构，其特征在于，所述可动层朝向所述电极层的一侧设置有多个第一凸台结构，且至少部分所述第一凸台结构与所述第一形变区相对。
5.根据权利要求4所述的一种MEMS结构，其特征在于，所述可动层通过支撑结构固定在所述电极层上，形成可动的长边侧和短边侧；
6.根据权利要求1所述的一种MEMS结构，其特征在于，还包括盖体和衬底，所述盖体设置于所述可动层的上方，并与所述可动层形成有腔体，所述衬底设置于所述绝缘层的下方；
7.根据权利要求6所述的一种MEMS结构，其特征在于，所述第二形变区设置有一个或多个镂空结构，形成所述第二形变区。
8.根据权利要求6所述的一种MEMS结构，其特征在于，所述
9.一种MEMS结构的制作方法，其特征在于，应用于权利要求1-8任意一项所述的MEMS结构，所述制作方法包括：
10.一种MEMS传感器，其特征在于，包括权利要求1-8任意一项所述的MEMS结构。
...【技术特征摘要】
1.一种mems结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种mems结构，其特征在于，所述设定位置处设置有一个或多个镂空结构，形成所述第一形变区。
3.根据权利要求2所述的一种mems结构，其特征在于，所述镂空结构设置有多个时，多个所述镂空结构依次间隔均匀排列在所述第一形变区。
4.根据权利要求1所述的一种mems结构，其特征在于，所述可动层朝向所述电极层的一侧设置有多个第一凸台结构，且至少部分所述第一凸台结构与所述第一形变区相对。
5.根据权利要求4所述的一种mems结构，其特征在于，所述可动层通过支撑结构固定在所述电极层上，形成可动的长边侧和短边侧；
6.根据权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员：周志健，高阳，邓仕阳，陈磊，
申请(专利权)人：歌尔微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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