【技术实现步骤摘要】
本申请涉及天线，特别是涉及一种场致透射副反射面的防护型卡塞格伦天线。
技术介绍
1、电磁脉冲武器是一种高效的电子战技术，通过释放强大的电磁脉冲，可对雷达、通信系统、导航设备等电子设备实施攻击，其原理在于利用电磁脉冲干扰，破坏目标电子设备，使其丧失作战能力。
2、随着强电磁武器的发展，强电磁攻击这一新型作战形式正在逐步走向实战，对通信、雷达系统等电子信息系统的生存和作战效能发挥造成重要威胁。由于通信系统与雷达系统的电子信息设备的高敏感性，受到强电磁脉冲攻击时，容易对设备产生干扰甚至损坏、烧穿设备。为了确保敏感系统受到强电磁武器攻击时的正常工作，需要采取适当的防护措施来对其进行保护。
3、现有技术中，国内外对于设备的强电磁脉冲耦合机理的研究已经较为深入。但是，目前大部分研究聚焦于设备的后门，对于后门的电磁防护技术已经趋于成熟，而对于前门的强电磁技术，主要是限幅器、频率选择表面等，通过添加额外器件达到防护效果。而且，目前的前门防护技术存在场防护结构面积大、共型困难、成本高等问题。
4、但是，随着技术的发展，卡塞格伦天线在通信和雷达系统设备中得到广泛应用，是通信系统和雷达系统的核心组件，具有宽带特性以及结构简单的特点，但同时又是强电磁攻击雷达通信系统的主要途径，如何实现卡塞格伦天线的电磁防护意义重大且富有挑战。
技术实现思路
1、基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种场致透射副反射面的防护型卡塞格伦天线，能够实现卡塞格伦天线的强电磁防护。
3、所述防护阵列包括多个阵列分布的防护单元，所述防护单元包括：介质层以及设在所述介质层顶部的辐射层；
4、所述介质层为平板状结构；
5、所述辐射层包括：四个第一辐射贴片以及四个第二辐射贴片；所述第一辐射贴片为三角形结构，且四个第一辐射贴片关于所述介质层的中心呈旋转对称分布；所述第二辐射贴片为轴对称的条状结构，所述条状结构的一个对应端设在所述介质层的中心，另一个对应端分别设在所述介质层的四个角，以使四个第二辐射贴片形成“十”字形结构，且条状结构长度方向的对称轴与介质层的一条对角线重合；所述第一辐射贴片与所述第二辐射贴片间隔设置，且所述第二辐射贴片上设有二极管，以通过改变不同防护单元上二极管的工作状态，实现电磁防护；
6、所述防护阵列具有场致透射的特性，以所述防护阵列为副反射面，所述副反射面与所述支架、所述馈源以及所述主反射面一起形成卡塞格伦天线。
7、在一个实施例中，所述第一辐射贴片为等腰直角三角形结构，所述等腰直角三角形结构的斜边与所述介质层的边共线。
8、在一个实施例中，所述等腰直角三角形结构的直角边上设有正方形的凹槽。
9、在一个实施例中，每个第二辐射贴片上均设有两个二极管。
10、在一个实施例中，每个第二辐射贴片上两个二极管的方向相反，靠近介质层中心的四个二极管的方向相同。
11、在一个实施例中，远离介质层中心的二极管设在相邻的两个凹槽的对称轴上。
12、在一个实施例中，改变所述第二辐射贴片的宽度，以实现频点的移动。
13、在一个实施例中，所述第二辐射贴片的宽度小于所述凹槽的边长。
14、在一个实施例中，所述介质层为正方形结构，且所述辐射层为中心对称结构。
15、在一个实施例中，所述支架设在天线平台上，所述主反射面设在所述支架上，所述馈源设在所述主反射面的中心，所述副反射面设在所述主反射面上，并与所述主反射面的开口所在平面间隔平行设置。
16、上述一种场致透射副反射面的防护型卡塞格伦天线，是一种能量选择卡塞格伦天线，以防护阵列作为副反射面，防护阵列中的防护单元为场致透射能选单元(也是一种高通型能选单元，在低电磁能量时，弱电磁波反射，在强电磁能量时，强电磁波透射)，在面对正常电磁波(即弱电磁波)或强电磁波入射时，能够通过二极管的自适应截止或导通，自适应改变防护单元的反射或透射状态，从而实现正常工作以及强电磁防护。同时，本申请的防护阵列为正方形的平面结构，以方形平面副反射面代替圆弧形副反射面，以场致透射能选单元组成的防护阵列代替纯金属的副反射面，具备了强电磁防护能力，减少了共形的难度，且仍然能够保持良好增益和方向图，也就是说，本申请在相同焦径比下，使天线具有了强电磁防护能力，能够根据电场强度的变化进行调节，且不影响天线在正常工作时的性能，降低了电磁防护的成本。此外，本申请的防护单元同时呈轴对称、中心对称以及旋转对称分布，使天线能够实现任意角度强电磁波攻击的防护。本申请能够应用于雷达通信系统设备的卡塞格伦天线上，为应对不断增加的电磁干扰和安全需求提供了可靠的解决方案，具有很强的实用性。
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1.一种场致透射副反射面的防护型卡塞格伦天线，其特征在于，包括：支架、馈源、主反射面以及防护阵列；
2.根据权利要求1所述的一种场致透射副反射面的防护型卡塞格伦天线，其特征在于，所述第一辐射贴片为等腰直角三角形结构，所述等腰直角三角形结构的斜边与所述介质层的边共线。
3.根据权利要求2所述的一种场致透射副反射面的防护型卡塞格伦天线，其特征在于，所述等腰直角三角形结构的直角边上设有正方形的凹槽。
4.根据权利要求3所述的一种场致透射副反射面的防护型卡塞格伦天线，其特征在于，每个第二辐射贴片上均设有两个二极管。
5.根据权利要求4所述的一种场致透射副反射面的防护型卡塞格伦天线，其特征在于，每个第二辐射贴片上两个二极管的方向相反，靠近介质层中心的四个二极管的方向相同。
6.根据权利要求4或5所述的一种场致透射副反射面的防护型卡塞格伦天线，其特征在于，远离介质层中心的二极管设在相邻的两个凹槽的对称轴上。
7.根据权利要求1至5任一项所述的一种场致透射副反射面的防护型卡塞格伦天线，其特征在于，改变所述第二辐射贴片的宽度
8.根据权利要求3至5任一项所述的一种场致透射副反射面的防护型卡塞格伦天线，其特征在于，所述第二辐射贴片的宽度小于所述凹槽的边长。
9.根据权利要求1至5任一项所述的一种场致透射副反射面的防护型卡塞格伦天线，其特征在于，所述介质层为正方形结构，且所述辐射层为中心对称结构。
10.根据权利要求1至5任一项所述的一种场致透射副反射面的防护型卡塞格伦天线，其特征在于，所述支架设在天线平台上，所述主反射面设在所述支架上，所述馈源设在所述主反射面的中心，所述副反射面设在所述主反射面上，并与所述主反射面的开口所在平面间隔平行设置。
...【技术特征摘要】
1.一种场致透射副反射面的防护型卡塞格伦天线，其特征在于，包括：支架、馈源、主反射面以及防护阵列；
2.根据权利要求1所述的一种场致透射副反射面的防护型卡塞格伦天线，其特征在于，所述第一辐射贴片为等腰直角三角形结构，所述等腰直角三角形结构的斜边与所述介质层的边共线。
3.根据权利要求2所述的一种场致透射副反射面的防护型卡塞格伦天线，其特征在于，所述等腰直角三角形结构的直角边上设有正方形的凹槽。
4.根据权利要求3所述的一种场致透射副反射面的防护型卡塞格伦天线，其特征在于，每个第二辐射贴片上均设有两个二极管。
5.根据权利要求4所述的一种场致透射副反射面的防护型卡塞格伦天线，其特征在于，每个第二辐射贴片上两个二极管的方向相反，靠近介质层中心的四个二极管的方向相同。
6.根据权利要求4或5所述的一种场致透射副反射面的防护型...
【专利技术属性】
技术研发人员：查淞，刘政位，张继宏，徐明，曲状，刘培国，
申请(专利权)人：中国人民解放军国防科技大学，
类型：发明
国别省市：
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