【技术实现步骤摘要】
本技术属于陶瓷基板烧结设备，尤其涉及一种氮化铝陶瓷基板烧结炉。
技术介绍
1、随着现代电子技术的飞速发展，电子元器件的集成度和功率密度不断提高，对散热基板材料的要求也日益严格。氮化铝陶瓷材料，以其高热导率、低介电常数、与硅相近的热膨胀系数和良好的机械性能，逐渐成为高功率电子器件和集成电路封装的首选散热基板材料。
2、中国技术专利cn213454871 u公开了一种高性能氮化铝陶瓷的低温烧结装备，包括烧结炉，还包括基座箱，基座箱的上端面通过支撑柱支撑有圆柱箱，基座箱的中部设置有通过传动装置带动的转盘，转盘上弧形等距设置有若干组放置台，圆柱箱内设置有相对放置台的烧结炉，圆柱箱的上端设置有与烧结炉连接的电动推杆，圆柱箱位于烧结炉的下方设置有避让孔，圆柱箱内位于烧结炉一端设置有与放置台相对应的冷风装置。
3、该装置通过将氮化铝陶瓷基板放置在盛放台上方，通过倒扣的烧结炉对氮化铝陶瓷基板进行烧结，但是在烧结时易导致氮化铝陶瓷基板受热不均匀从而出现裂纹的问题，影响氮化铝陶瓷基板生产质量。
技术实现思路
1、本技术的目的是针对上述存在的技术问题，提供一种氮化铝陶瓷基板烧结炉,达到了能够使氮化铝陶瓷基板受热均匀，提升氮化铝陶瓷基板生产质量的效果。
2、有鉴于此，本技术提供一种氮化铝陶瓷基板烧结炉，其特征在于，包括：
3、输送结构，所述输送结构为水平设置，用以输送待烧结的基板；
4、烧结炉，所述烧结炉沿着输送结构设置，且部分输送结构设置于烧结
5、输送台，所述输送台设置在输送结构上，且均布设置有若干，通过输送结构能够驱动输送台移动；
6、放置台，所述放置台设置在输送台上，用以放置烧结的基板；
7、旋转结构，所述旋转结构设置在输送台与放置台之间，用以驱动放置台转动。
8、在本技术方案中，通过将待烧结的氮化铝陶瓷基板放置在放置台上，并且通过设置的输送结构与输送台之间的配合，能够将氮化铝陶瓷基板输送至烧结炉中进行烧结，且所述烧结炉下方设置有若干支撑柱，通过设置的旋转结构能够在氮化铝陶瓷基板随着输送结构向前输送时，在烧结炉中转动，使氮化铝陶瓷基板能够均匀的受热，避免受热不均匀从而出现裂纹的问题，影响氮化铝陶瓷基板生产质量。
9、在上述技术方案中，进一步的，所述旋转结构包括：
10、安装槽，所述安装槽，所述安装槽开设在输送台顶面，且安装槽与放置台底面之间转动设置有旋转盘；
11、第一齿轮，所述第一齿轮设置在旋转盘的底面，且与旋转盘为固定连接；
12、第二齿轮，所述第二齿轮设置在第一齿轮的侧边，且与第一齿轮之间为内啮合；
13、连接杆，所述连接杆一端与第二齿轮连接，且另一端设置有第一锥齿轮；
14、支撑架，所述支撑架架设在安装槽中，用以支撑连接杆；
15、第二锥齿轮，所述第二锥齿轮设置在第一锥齿轮的下方，且与第一锥齿轮啮合；
16、转轴，所述转轴一端与第二锥齿轮连接，另一端贯穿安装槽侧壁延伸至输送台的外侧，且延伸至安装槽外侧端设置有第三齿轮；
17、齿条，所述齿条横向设置在烧结炉的侧壁上，且与第三齿轮啮合。
18、在本技术方案中，通过输送结构将输送台向前运输，使设置在输送台外侧的第三齿轮能够与齿条啮合，并通过转轴带动第二锥齿轮旋转，再通过第二锥齿轮带动第一锥齿轮旋转，从而带动连接杆转动，使第二齿轮能够带动第一齿轮转动，实现旋转盘带动放置台与氮化铝陶瓷基板在烧结炉中旋转，有利于氮化铝陶瓷基板的均匀受热，避免受热不均匀从而出现裂纹的问题，影响氮化铝陶瓷基板生产质量。
19、在上述技术方案中，进一步的，所述放置台设置为阶梯型。
20、在本技术方案中，通过阶梯型设置的放置台能够使氮化铝陶瓷基板分层摆放，有利于提升氮化铝陶瓷基板受热的均匀程度。
21、在上述技术方案中，进一步的，所述放置台每层阶梯的两侧均设置有夹持结构。
22、在上述技术方案中，进一步的，所述夹持结构包括：
23、固定架，所述固定架可拆卸设置在放置台上，且对称设置在放置台阶梯的两侧；
24、移动槽，所述移动槽设置在固定架上，且移动槽中滑动设置有限位板；
25、压板，所述压板设置在固定槽的侧边，用以封闭移动槽；
26、固定杆，所述固定杆一端与限位板连接，另一端贯穿压板且顶端设置有夹持块；
27、伸缩杆，所述伸缩杆设置在移动槽与限位板之间，且伸缩杆上套设有弹簧；
28、其中，所述固定杆沿着限位板长度方向设置有若干组，且夹持块上均布设置有若干固定顶杆。
29、在本技术方案中，通过对称设置的固定架，移动槽，固定杆，弹簧，伸缩杆，夹持块以及固定顶杆之间的配合，能够将氮化铝陶瓷基板进行夹持，以保证氮化铝陶瓷基板在烧结过程的稳定进行。
30、在上述技术方案中，进一步的，所述固定顶杆为锥形结构。
31、在本技术方案中，通过锥形设置的固定顶杆能够有效的减少固定顶杆与氮化铝陶瓷基板侧边的接触面积，使氮化铝陶瓷基板能够均匀受热。
32、在上述技术方案中，进一步的，所述烧结炉出料位置设置有设置的降温结构。
33、在上述技术方案中，进一步的，所述降温结构包括：
34、降温室，所述降温室设置在输送结构上，且位于烧结炉的出料位置；
35、风扇，所述风扇设置在降温室的顶端，用以对烧结后的基板进行降温；
36、其中，所述降温室中延伸设置有齿条。
37、在本技术方案中，通过设置的降温室与风扇之间的配合，能够加速氮化铝陶瓷基板的冷却效率，并且通过延伸至降温室中的齿条能够使氮化铝陶瓷基板在降温室中旋转，有利于氮化铝陶瓷基板的均匀冷却。
38、本技术的有益效果是：
39、1.通过设置的齿条，第三齿轮，转轴，第二锥齿轮，第一锥齿轮，第二齿轮，第一齿轮之间的配合，能够实现旋转盘带动放置台与氮化铝陶瓷基板在烧结炉中旋转，有利于氮化铝陶瓷基板的均匀受热，避免受热不均匀从而出现裂纹的问题，影响氮化铝陶瓷基板生产质量。
40、2.通过对称设置的固定架，移动槽，固定杆，弹簧，伸缩杆，夹持块以及固定顶杆之间的配合，能够将氮化铝陶瓷基板进行夹持，以保证氮化铝陶瓷基板在烧结过程的稳定进行。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种氮化铝陶瓷基板烧结炉，其特征在于,包括：
2.根据权利要求1所述的一种氮化铝陶瓷基板烧结炉，其特征在于，所述旋转结构(4)包括：
3.根据权利要求1所述的一种氮化铝陶瓷基板烧结炉，其特征在于，所述放置台(8)设置为阶梯型。
4.根据权利要求3所述的一种氮化铝陶瓷基板烧结炉，其特征在于，所述放置台(8)每层阶梯的两侧均设置有夹持结构(5)。
5.根据权利要求4所述的一种氮化铝陶瓷基板烧结炉，其特征在于，所述夹持结构(5)包括：
6.根据权利要求5所述的一种氮化铝陶瓷基板烧结炉，其特征在于，所述固定顶杆(506)为锥形结构。
7.根据权利要求1-6中任意一项所述的一种氮化铝陶瓷基板烧结炉，其特征在于，所述烧结炉(1)出料位置设置有设置的降温结构(6)。
8.根据权利要求7所述的一种氮化铝陶瓷基板烧结炉，其特征在于，所述降温结构(6)包括：
【技术特征摘要】
1.一种氮化铝陶瓷基板烧结炉，其特征在于,包括：
2.根据权利要求1所述的一种氮化铝陶瓷基板烧结炉，其特征在于，所述旋转结构(4)包括：
3.根据权利要求1所述的一种氮化铝陶瓷基板烧结炉，其特征在于，所述放置台(8)设置为阶梯型。
4.根据权利要求3所述的一种氮化铝陶瓷基板烧结炉，其特征在于，所述放置台(8)每层阶梯的两侧均设置有夹持结构(5)。
5.根据权利要求4所...
【专利技术属性】
技术研发人员：张海龙，李军，
申请(专利权)人：科菲材料技术浙江有限公司，
类型：新型
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。