【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，特别是指一种晶圆加工方法、系统和设备。
技术介绍
1、随着越来越多的半导体公司开始布局14nm以下的制程，意味着晶圆生产厂需要提供更优质平坦度的晶圆。在晶圆制作过程中双面抛光(double side polishing，dsp)是重要的加工工艺，该工艺在很大程度上决定了硅片平坦度，而现有的dsp工艺缺乏来料以及作业后的形貌(profile)分析，导致在使用同一台dsp设备对不同形貌的晶圆进行加工后的产品的品质差，以及产品稳定性差等问题。
技术实现思路
1、本专利技术实施例提供一种晶圆加工方法、系统和设备，用以解决现有技术中在使用同一台dsp设备对不同形貌的晶圆进行加工后的产品的品质差，以及产品稳定性差等问题。
2、为解决上述技术问题，本专利技术的实施例提供技术方案如下：
3、本专利技术实施例提供一种晶圆加工方法，包括：
4、根据待加工晶圆的形貌参数，确定所述待加工晶圆的表面形貌形状；
5、根据双面抛光加工盘的历史加工盘型参数，确定所述双面抛光加工盘的盘型形状；
6、针对不同表面形貌形状的所述待加工晶圆，利用对应盘型形状的双面抛光加工盘进行双面抛光。
7、一些实施例中，针对不同表面形貌形状的所述待加工晶圆，利用对应盘型形状的双面抛光加工盘进行双面抛光，包括以下至少一项：
8、在所述待加工晶圆的表面形貌形状为凸型的情况下，利用所述双面抛光加工盘中盘型形状为凹型的一组抛光盘进行双面抛
9、在所述待加工晶圆的表面形貌形状为凹型的情况下，利用所述双面抛光加工盘中盘型形状为凸型的一组抛光盘进行双面抛光；
10、在所述待加工晶圆的表面形貌形状为w型的情况下，利用所述双面抛光加工盘中盘型形状为m型的一组抛光盘进行双面抛光；
11、在所述待加工晶圆的表面形貌形状为m型的情况下，利用所述双面抛光加工盘中盘型形状为w型的一组抛光盘进行双面抛光。
12、一些实施例中，所述形貌参数包括：
13、所述待加工晶圆的表面中心点的厚度值；
14、所述待加工晶圆的边缘的平均厚度值；
15、所述待加工晶圆上的第一同心圆的平均厚度值，其中，所述第一同心圆的半径为所述待加工晶圆的半径的三分之一至三分之二。
16、一些实施例中，根据待加工晶圆的形貌参数，确定所述待加工晶圆的表面形貌形状，包括以下至少一项：
17、在所述待加工晶圆的表面中心点的厚度值大于所述待加工晶圆的边缘厚度值、所述待加工晶圆的表面中心点的厚度值大于所述待加工晶圆上的第一同心圆的平均厚度值且所述待加工晶圆上的第一同心圆的平均厚度值大于所述待加工晶圆的边缘厚度值的情况下，确定所述待加工晶圆的表面形貌形状为凸型；
18、在所述待加工晶圆的表面中心点的厚度值小于所述待加工晶圆的边缘厚度值、所述待加工晶圆的表面中心点的厚度值小于所述待加工晶圆上的第一同心圆的平均厚度值且所述待加工晶圆上的第一同心圆的平均厚度值小于所述待加工晶圆的边缘厚度值的情况下，确定所述待加工晶圆的表面形貌形状为凹型；
19、在所述待加工晶圆的表面中心点的厚度值小于所述待加工晶圆的边缘厚度值、所述待加工晶圆的表面中心点的厚度值小于所述待加工晶圆上的第一同心圆的平均厚度值且所述待加工晶圆上的第一同心圆的平均厚度值大于所述待加工晶圆的边缘厚度值的情况下，确定所述待加工晶圆的表面形貌形状为m型；
20、在所述待加工晶圆的表面中心点的厚度值大于所述待加工晶圆的边缘厚度值、所述待加工晶圆的表面中心点的厚度值大于所述待加工晶圆上的第一同心圆的平均厚度值且所述待加工晶圆上的第一同心圆的平均厚度值小于所述待加工晶圆的边缘厚度值的情况下，确定所述待加工晶圆的表面形貌形状为w型。
21、一些实施例中，所述双面抛光加工盘包括相对设置的两组抛光盘，其中，一组抛光盘设置于所述待加工晶圆上方，另一组抛光盘设置于所述待加工晶圆下方；
22、每组抛光盘包括至少两个抛光盘；
23、所述历史加工盘型参数包括以下至少一项：
24、每组所述抛光盘中每个所述抛光盘的截面形状；
25、每组所述抛光盘中每个所述抛光盘的朝向。
26、一些实施例中，根据双面抛光加工盘的历史加工盘型参数，确定所述双面抛光加工盘的盘型形状，包括以下至少一项：
27、在所述双面抛光加工盘中一组抛光盘的每个抛光盘的截面形状为直线且每个所述抛光盘均由所述待加工晶圆的边缘朝向所述待加工晶圆的中心的情况下，确定所述一组抛光盘的盘型形状为凹型；
28、在所述双面抛光加工盘中一组抛光盘的每个抛光盘的截面形状为直线且每个所述抛光盘均由所述待加工晶圆的中心朝向所述待加工晶圆的边缘的情况下，确定所述一组抛光盘的盘型形状为凸型；
29、在所述双面抛光加工盘中一组抛光盘的每个抛光盘的截面形状均为朝向待加工晶圆凸出的曲线的情况下，确定所述一组抛光盘的盘型形状为m型；
30、在所述双面抛光加工盘中一组抛光盘的每个抛光盘的截面形状均为向远离待加工晶圆凸出的曲线的情况下，确定所述一组抛光盘的盘型形状为w型。
31、一些实施例中，所述方法还包括：
32、获取利用对应盘型形状的双面抛光加工盘进行双面抛光之后的晶圆的平坦度参数；其中，所述平坦度参数包括以下至少一项：整体平坦度gbir，局部平坦度sfqr，边缘平坦度esfqr；
33、在所述平坦度参数不满足预设参数要求的情况下，调整所述双面抛光加工盘的盘型参数。
34、一些实施例中，所述方法还包括：
35、在利用对应盘型形状的双面抛光加工盘进行双面抛光预设时长后，获取所述双面抛光加工盘的实时盘型参数；
36、在所述实时盘型参数与所述历史加工盘型参数之间的差值大于预设阈值的情况下，调整所述双面抛光加工盘的盘型参数为所述历史加工盘型参数。
37、本专利技术实施例还提供一种晶圆加工系统，包括：
38、控制设备、转运机构以及双面抛光加工盘；
39、所述转运机构与所述控制设备连接；
40、其中，所述控制设备，用于根据待加工晶圆的形貌参数，确定所述待加工晶圆的表面形貌形状，以及，根据双面抛光加工盘的历史加工盘型参数，确定所述双面抛光加工盘的盘型形状；
41、所述控制设备，还用于针对不同表面形貌形状的所述待加工晶圆，确定对应盘型形状的双面抛光加工盘，以及，向所述转运机构发送转运信号；
42、所述转运机构用于根据所述转运信号，将不同表面形貌形状的所述待加工晶圆转运至对应盘型形状的双面抛光加工盘；
43、所述双面抛光加工盘用于所述待加工晶圆进行双面抛光。
44、本专利技术实施例还提供一种晶圆加工设备，包括：收发机、存储器、处理器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的计算机程序；所述处理本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种晶圆加工方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的晶圆加工方法，其特征在于，针对不同表面形貌形状的所述待加工晶圆，利用对应盘型形状的双面抛光加工盘进行双面抛光，包括以下至少一项：
3.根据权利要求1所述的晶圆加工方法，其特征在于，所述形貌参数包括：
4.根据权利要求3所述的晶圆加工方法，其特征在于，根据待加工晶圆的形貌参数，确定所述待加工晶圆的表面形貌形状，包括以下至少一项：
5.根据权利要求1所述的晶圆加工方法，其特征在于，所述双面抛光加工盘包括相对设置的两组抛光盘，其中，一组抛光盘设置于所述待加工晶圆上方，另一组抛光盘设置于所述待加工晶圆下方；
6.根据权利要求5所述的晶圆加工方法，其特征在于，根据双面抛光加工盘的历史加工盘型参数，确定所述双面抛光加工盘的盘型形状，包括以下至少一项：
7.根据权利要求1所述的晶圆加工方法，其特征在于，所述方法还包括：
8.根据权利要求1所述的晶圆加工方法，其特征在于，所述方法还包括：
9.一种晶圆加工系统，其特征在于，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种晶圆加工方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的晶圆加工方法，其特征在于，针对不同表面形貌形状的所述待加工晶圆，利用对应盘型形状的双面抛光加工盘进行双面抛光，包括以下至少一项：
3.根据权利要求1所述的晶圆加工方法，其特征在于，所述形貌参数包括：
4.根据权利要求3所述的晶圆加工方法，其特征在于，根据待加工晶圆的形貌参数，确定所述待加工晶圆的表面形貌形状，包括以下至少一项：
5.根据权利要求1所述的晶圆加工方法，其特征在于，所述双面抛光加工盘包括相对设置的两组抛光盘，其中，一组抛光盘设置于所述待加工晶圆上方，另一组抛光盘设置于所述待加...
【专利技术属性】
技术研发人员：潘石，
申请(专利权)人：西安奕斯伟材料科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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