一种光刻法辅助光电二极管阳极图形化的刻蚀方法技术

技术编号：42661335 阅读：16 留言：0更新日期：2024-09-10 12:19

本发明专利技术公开了一种光刻法辅助光电二极管阳极图形化的刻蚀方法，包括如下步骤：1)成膜，在已有膜层、基板的基础上进行S层的成膜；2)曝光，在成膜后的基板进行曝光；3)第一刻蚀；4)第二干刻；5)脱模，去除了二次湿刻的制程，包括传动等工序均可省略，简化了流程。

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【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于二极管，尤其涉及一种光刻法辅助光电二极管阳极图形化的刻蚀方法。

技术介绍

1、在实现本专利技术的过程中，专利技术人发现现有技术至少存在以下问题：

2、1.当前工艺采用三部法对top与s进行刻蚀：1)步骤过多影响产能；2)工艺步骤过多引入更多不良，影响良率；

3、2.通过mask设计层面增加曝光机无法完全打开的间隙，实现图形边缘部分区域不完全曝光从而使用边缘部分区域pr厚度降低；

4、3.在黄光阶段通过新mask设计对相关位置进行pr减薄形成top与s都有图形的地方pr厚，只有s的地方pr薄。

5、当前工艺采用三部法对top与s进行刻蚀：1)步骤过多影响产能；2)工艺步骤过多引入更多不良，影响良率。

6、cn108010959a-一种凹槽阳极肖特基二极管及其制备方法，公开了一种凹槽阳极肖特基二极管及其制备方法，该凹槽阳极肖特基二极管，包含衬底，形成于衬底上的外延层，形成于外延层表面阳极区域的阳极凹槽，以及形成于外延层上的阳极和阴极，其中：阳极形成于外延层表面阳极区域的阳极凹槽上，也无法解决上述技术问题。

技术实现思路

1、本专利技术所要解决的技术问题是提供一种光刻法辅助光电二极管阳极图形化的刻蚀方法，

2、为了解决上述技术问题，本专利技术所采用的技术方案是：一种光刻法辅助光电二极管阳极图形化的刻蚀方法，包括如下步骤：

3、1)成膜，在已有膜层、基板的基础上进行s层的成膜；2)曝光，在成膜

4、上述第1)步中，s层膜厚0.5～2.5um；s层成膜条件：压力:2400mtorr，功率:1500w，sih4:800sccm，n2/h2:2400sccm。s层成膜后，连续进行top层成膜，膜厚0.01～0.1um，top层成膜条件：0.4pa、5.5kw、ito600a。

5、上述第2)步中，使用增加曝光机极限间隙的掩膜版进行曝光，pr胶厚度1.5～3.5um；曝光后的pr胶为梯形。

6、上述第3)步中，进行第一湿刻，将top层刻蚀成s层所需形状，第一湿刻条件：药液浸泡55s+55s。

7、上述第4)步中，第二干刻包括两个阶段：第一阶段，s层部分刻蚀，减薄后的pr胶在干刻条件下完全损失，露出需要刻蚀的top层；第二阶段，将剩余的s层刻蚀完成，同步裸露的top层电极被同步刻蚀去除。干刻条件三步法：source/bias：1000w/3000w；sf6/cl2：30/300；温度：60/30/60℃；压力0.6pa。

8、掩膜板线宽a＝0.5～2.0um，位于曝光机解像力以下；掩膜板线缝b＝0.5～2.0um，位于解像力解像力以下；第一刻蚀减薄边界宽度c＝0～3um，满足双层异层间距及包边需求；第一刻蚀减薄位置厚度d＝0.5～2.0um，并且和第一阶段干刻百分比e值配合；第一阶段干刻百分比e＝50～90％。

9、s层厚度＝0.5～2.5um，top层厚度＝0.01～0.1um，pr胶厚度＝1.5～3.5um。

10、上述技术方案中的一个技术方案具有如下优点或有益效果，去除了二次湿刻的制程，包括传动等工序均可省略，简化了流程。

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【技术保护点】

1.一种光刻法辅助光电二极管阳极图形化的刻蚀方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.如权利要求1所述的光刻法辅助光电二极管阳极图形化的刻蚀方法，其特征在于，上述第1)步中，S层膜厚0.5～2.5um；S层成膜条件：压力:2400mtorr，功率:1500w，SiH4:800sccm，N2/H2:2400sccm。

3.如权利要求2所述的光刻法辅助光电二极管阳极图形化的刻蚀方法，其特征在于，上述第2)步中，使用增加曝光机极限间隙的掩膜版进行曝光，PR胶厚度1.5～3.5um；曝光后的PR胶为梯形。

4.如权利要求3所述的光刻法辅助光电二极管阳极图形化的刻蚀方法，其特征在于，上述第3)步中，进行第一湿刻，将top层刻蚀成S层所需形状，第一湿刻条件：药液浸泡55s+55s。

5.如权利要求4所述的光刻法辅助光电二极管阳极图形化的刻蚀方法，其特征在于，上述第4)步中，第二干刻包括两个阶段：第一阶段，S层部分刻蚀，减薄后的PR胶在干刻条件下完全损失，露出需要刻蚀的top层；第二阶段，将剩余的S层刻蚀完成，同步裸露的top层电极被同步刻蚀去除。</p>

6.如权利要求5所述的光刻法辅助光电二极管阳极图形化的刻蚀方法，其特征在于，上述第1)步中，S层成膜后，连续进行top层成膜，膜厚0.01～0.1um，top层成膜条件：0.4Pa、5.5kW、ITO600A。

7.如权利要求6所述的光刻法辅助光电二极管阳极图形化的刻蚀方法，其特征在于，上述第4)步中，干刻条件三步法：Source/Bias：1000w/3000w；SF6/CL2：30/300；温度：60/30/60℃；压力0.6Pa。

8.如权利要求7所述的光刻法辅助光电二极管阳极图形化的刻蚀方法，其特征在于，掩膜板线宽a＝0.5～2.0um，位于曝光机解像力以下；掩膜板线缝b＝0.5～2.0um，位于解像力解像力以下；第一刻蚀减薄边界宽度c＝0～3um，满足双层异层间距及包边需求；第一刻蚀减薄位置厚度d＝0.5～2.0um，并且和第一阶段干刻百分比e值配合；第一阶段干刻百分比e＝50～90％。

9.如权利要求8所述的光刻法辅助光电二极管阳极图形化的刻蚀方法，其特征在于，S层厚度＝0.5～2.5um，top层厚度＝0.01～0.1um，PR胶厚度＝1.5～3.5um。

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【技术特征摘要】

1.一种光刻法辅助光电二极管阳极图形化的刻蚀方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.如权利要求1所述的光刻法辅助光电二极管阳极图形化的刻蚀方法，其特征在于，上述第1)步中，s层膜厚0.5～2.5um；s层成膜条件：压力:2400mtorr，功率:1500w，sih4:800sccm，n2/h2:2400sccm。

3.如权利要求2所述的光刻法辅助光电二极管阳极图形化的刻蚀方法，其特征在于，上述第2)步中，使用增加曝光机极限间隙的掩膜版进行曝光，pr胶厚度1.5～3.5um；曝光后的pr胶为梯形。

4.如权利要求3所述的光刻法辅助光电二极管阳极图形化的刻蚀方法，其特征在于，上述第3)步中，进行第一湿刻，将top层刻蚀成s层所需形状，第一湿刻条件：药液浸泡55s+55s。

5.如权利要求4所述的光刻法辅助光电二极管阳极图形化的刻蚀方法，其特征在于，上述第4)步中，第二干刻包括两个阶段：第一阶段，s层部分刻蚀，减薄后的pr胶在干刻条件下完全损失，露出需要刻蚀的top层；第二阶段，将剩余的s层刻蚀完成，同步裸露的top层电极被同步刻蚀去除。

6.如权...

【专利技术属性】
技术研发人员：李俊杰，赵学虎，
申请(专利权)人：芜湖迪钛飞光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：

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