【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体设计领域，具体涉及一种功率mos。
技术介绍
1、mos管的英文全称叫mosfet(metal oxide semiconductor fieldeffect.transistor)，即金属氧化物半导体型场效应管，属于场效应晶体管中的绝缘栅型，其中经过部分特性强化用于功率控制电路的mosfet，被称为功率mos。在某些功率较大的开关电路中，需要使用mos管来进行电路的导通和关断控制，但是在实际实用过程中，可能发生由于某些原因而导致mos管被击穿失效的情况，此时mos管内部通常会出现短路状态，导致内部短路电流过大从而引起mos管内部持续剧烈发热而导致mos管烧毁，严重时甚至会出现明火而导致安全隐患，尤其是当mos管安装在相应的印制电路板中与其他零部件组成完整的电路系统时，mos管的燃烧将很有可能引起电路系统中其他零部件一起燃烧，造成整个电路系统瘫痪。
技术实现思路
1、为了解决相关技术mos管因晶圆失效而发生短路后导致出现明引起安全隐患的技术问题，本专利技术提供了一种功率mos,包括：mos内封装有n个并联设置的支路；所述n个支路的每一个都设置有一个晶圆和一个键合线，所述键合线包括主体部和熔断处，其中所述n≥2；当外部电路控制所述mos内的所述n个支路的mos本体导通状态改变为断开状态时，若所述n个支路中的第一支路因晶圆失效而不能正常断开时，剩余支路的电流集中流向所述第一支路，所述第一支路的电流瞬间增大使得所述熔断处发生熔断而使所述第一支路与外部电路断开。
...【技术保护点】
1.一种功率MOS，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的功率MOS，其特征在于，所述熔断处的直径小于所述主体部的直径。
3.如权利要求1所述的功率MOS，其特征在于，所述键合线最外层设置有镀层，所述镀层材料的熔点低于所述键合线内部主材料的熔点。
4.如权利要求3所述的功率MOS，其特征在于，所述镀层材料为锡。
5.如权利要求1所述的功率MOS，其特征在于，所述功率MOS内并联设置有4个。
6.如权利要求1所述的功率MOS，其特征在于，所述每个支路都分别包括源极，栅极和漏极，所述键合线与所述源极连接。
7.如权利要求1所述的功率MOS，其特征在于，所述功率MOS安装在陶瓷基板上并由陶瓷外壳封装。
8.如权利要求1所述的功率MOS，其特征在于，所述功率MOS采用引线键合封装工艺。
【技术特征摘要】
1.一种功率mos，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的功率mos，其特征在于，所述熔断处的直径小于所述主体部的直径。
3.如权利要求1所述的功率mos，其特征在于，所述键合线最外层设置有镀层，所述镀层材料的熔点低于所述键合线内部主材料的熔点。
4.如权利要求3所述的功率mos，其特征在于，所述镀层材料为锡。
5.如权利要求1所述的...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄文杰，李晖，赵威然，武文涛，
申请(专利权)人：江西赣锋锂电科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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