System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 半导体衬底处理设备制造技术_技高网

半导体衬底处理设备制造技术

技术编号:42659453 阅读:20 留言:0更新日期:2024-09-10 12:18
本发明专利技术涉及半导体设备技术领域,具体而言,涉及一种半导体衬底处理设备;半导体衬底处理设备包括反应腔室、前级管线、远程等离子体源发生装置和冷却装置,前级管线与反应腔室连接;远程等离子体源发生装置与前级管线连接;冷却装置设置于前级管线,用于冷却前级管线。本发明专利技术的半导体衬底处理设备能够改善用远程等离子体源对前级管线进行清洗而导致前级管线升温的问题,以延长使用寿命。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体设备,具体而言,涉及一种半导体衬底处理设备


技术介绍

1、半导体衬底处理设备对于半导体衬底的处理通常包括蚀刻、物理气相沉积(pvd)、化学气相沉积(cvd)、等离子体增强化学气相沉积(pecvd)、原子层沉积(ald)、等离子体增强原子层沉积(peald)、脉冲沉积层(pdl)、等离子体增强脉冲沉积层(pepdl)和抗蚀剂去除等。

2、相关技术提供的半导体衬底处理设备的反应腔室会产生较多的颗粒、粉末或者其他非气态的副产物,这些非气态的副产物会通过抽气环进入到前级管线组件中,并且残留在前级管线组件中,尤其是各种阀体内部。其中过量的残留非气态的副产物残留在在总阀门(tv阀)中,会给总阀门带来很多的问题,严重地会使总阀门卡住,无法控压。

3、相关技术为了解决总阀门因残留物卡住的问题,只能将总阀门从前级管线上拆卸下来进行清洗,不仅耗时,且不便于操作;而且,频繁的拆卸总阀门还会降低整个半导体衬底处理设备的使用率。

4、为了改善上述问题,又有相关技术利用远程等离子体源对前级管线进行清洗,以去除残留在前级管线中的非气态副产物;但是,这种清洗方式会导致前级管线升温,缩短使用寿命。


技术实现思路

1、本专利技术的目的在于提供一种半导体衬底处理设备,其能够改善用远程等离子体源对前级管线进行清洗而导致前级管线升温的问题,以延长使用寿命。

2、本专利技术的实施例是这样实现的:

3、本专利技术提供一种半导体衬底处理设备,包括:

4、反应腔室;

5、前级管线,前级管线与反应腔室连接;

6、远程等离子体源发生装置,远程等离子体源发生装置与前级管线连接;以及,

7、冷却装置,冷却装置设置于前级管线,用于冷却前级管线。

8、在可选的实施方式中,半导体衬底处理设备还包括转接头,远程等离子体源发生装置通过转接头与前级管线连接;

9、冷却装置包括第一冷却水路,第一冷却水路设置于转接头,用于冷却转接头。

10、在可选的实施方式中,冷却装置包括冷却组件,冷却组件设置于前级管线,用于冷却前级管线,且冷却组件与第一冷却水路连接,或者,冷却组件与第一冷却水路被配置为能并联于冷却水源。

11、在可选的实施方式中,冷却组件包括两个冷却块,至少一个冷却块设置有第二冷却水路;两个冷却块夹持在前级管线的外侧,且至少一个冷却块的第二冷却水路与第一冷却水路连接。

12、在可选的实施方式中,冷却组件还包括第一水管,两个冷却块的第二冷却水路通过第一水管连通。

13、在可选的实施方式中,冷却装置包括多个冷却组件,多个冷却组件依次间隔地设置于前级管线。

14、在可选的实施方式中,冷却装置还包括第二水管,相邻的两个冷却组件通过第二水管连通;

15、或者,冷却装置包括多个第二水管,多个冷却组件与多个第二水管一一对应地连接,且第二水管用于连接冷却水源。

16、在可选的实施方式中,前级管线具有弯折部,冷却组件设置于弯折部。

17、在可选的实施方式中,前级管线包括第一管道、第二管道、第三管道和分气块,第二管道和第三管道通过分气块与第一管道的一端连接,第一管道的另一端与远程等离子体源发生装置连接。

18、在可选的实施方式中,冷却装置还包括设置于分气块的第三冷却水路。

19、在可选的实施方式中,第二管道和第三管道两者中的至少一者设置有总阀门。

20、在可选的实施方式中,半导体衬底处理设备还包括基架,反应腔室和前级管线均设置于基架;远程等离子体源发生装置可活动地设置于基架,远程等离子体源发生装置具有工作位置和维护位置;

21、当远程等离子体源发生装置位于工作位置时,远程等离子体源发生装置能向前级管线内输送清洁气体;

22、当远程等离子体源发生装置位于维护位置时,能露出反应腔室和前级管线两者中的至少一者。

23、本专利技术实施例的半导体衬底处理设备的有益效果包括:本专利技术实施例提供的半导体衬底处理设备包括反应腔室、前级管线、远程等离子体源发生装置和冷却装置,前级管线与反应腔室连接;远程等离子体源发生装置与前级管线连接;冷却装置设置于前级管线,用于冷却前级管线。远程等离子体源发生装置能够向前级管线提供远程等离子体,以对前级管线进行清洗,即可以利用远程等离子体蚀刻去除前级管线中的非气态副产物,而在前级管线设置冷却装置,以冷却前级管线,即可改善用远程等离子体源对前级管线进行清洗而导致前级管线升温的问题,以延长使用寿命。

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【技术保护点】

1.一种半导体衬底处理设备,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的半导体衬底处理设备,其特征在于,所述半导体衬底处理设备还包括转接头(210),所述远程等离子体源发生装置(200)通过所述转接头(210)与所述前级管线(100)连接;

3.根据权利要求2所述的半导体衬底处理设备,其特征在于,所述冷却装置(300)包括冷却组件(310),所述冷却组件(310)设置于所述前级管线(100),用于冷却所述前级管线(100),且所述冷却组件(310)与所述第一冷却水路(211)连接,或者,所述冷却组件(310)与所述第一冷却水路(211)被配置为能并联于冷却水源。

4.根据权利要求3所述的半导体衬底处理设备,其特征在于,所述冷却组件(310)包括两个冷却块(311),至少一个所述冷却块(311)设置有第二冷却水路;两个所述冷却块(311)夹持在所述前级管线(100)的外侧,且至少一个所述冷却块(311)的所述第二冷却水路与所述第一冷却水路(211)连接。

5.根据权利要求4所述的半导体衬底处理设备,其特征在于,所述冷却组件(310)还包括第一水管(312),两个所述冷却块(311)的所述第二冷却水路通过所述第一水管(312)连通。

6.根据权利要求3-5任一项所述的半导体衬底处理设备,其特征在于,所述冷却装置(300)包括多个所述冷却组件(310),多个所述冷却组件(310)依次间隔地设置于所述前级管线(100)。

7.根据权利要求6所述的半导体衬底处理设备,其特征在于,所述冷却装置(300)还包括第二水管(313),相邻的两个所述冷却组件(310)通过所述第二水管(313)连通;

8.根据权利要求3-5任一项所述的半导体衬底处理设备,其特征在于,所述前级管线(100)具有弯折部(101),所述冷却组件(310)设置于所述弯折部(101)。

9.根据权利要求1所述的半导体衬底处理设备,其特征在于,所述前级管线(100)包括第一管道(110)、第二管道(120)、第三管道(130)和分气块(140),所述第二管道(120)和所述第三管道(130)通过所述分气块(140)与所述第一管道(110)的一端连接,所述第一管道(110)的另一端与所述远程等离子体源发生装置(200)连接。

10.根据权利要求9所述的半导体衬底处理设备,其特征在于,所述冷却装置(300)还包括设置于所述分气块(140)的第三冷却水路。

11.根据权利要求9所述的半导体衬底处理设备,其特征在于,所述第二管道(120)和所述第三管道(130)两者中的至少一者设置有总阀门(150)。

12.根据权利要求1所述的半导体衬底处理设备,其特征在于,所述半导体衬底处理设备还包括基架,所述反应腔室和所述前级管线(100)均设置于所述基架;所述远程等离子体源发生装置(200)可活动地设置于所述基架,所述远程等离子体源发生装置(200)具有工作位置和维护位置;

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【技术特征摘要】

1.一种半导体衬底处理设备,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的半导体衬底处理设备,其特征在于,所述半导体衬底处理设备还包括转接头(210),所述远程等离子体源发生装置(200)通过所述转接头(210)与所述前级管线(100)连接;

3.根据权利要求2所述的半导体衬底处理设备,其特征在于,所述冷却装置(300)包括冷却组件(310),所述冷却组件(310)设置于所述前级管线(100),用于冷却所述前级管线(100),且所述冷却组件(310)与所述第一冷却水路(211)连接,或者,所述冷却组件(310)与所述第一冷却水路(211)被配置为能并联于冷却水源。

4.根据权利要求3所述的半导体衬底处理设备,其特征在于,所述冷却组件(310)包括两个冷却块(311),至少一个所述冷却块(311)设置有第二冷却水路;两个所述冷却块(311)夹持在所述前级管线(100)的外侧,且至少一个所述冷却块(311)的所述第二冷却水路与所述第一冷却水路(211)连接。

5.根据权利要求4所述的半导体衬底处理设备,其特征在于,所述冷却组件(310)还包括第一水管(312),两个所述冷却块(311)的所述第二冷却水路通过所述第一水管(312)连通。

6.根据权利要求3-5任一项所述的半导体衬底处理设备,其特征在于,所述冷却装置(300)包括多个所述冷却组件(310),多个所述冷却组件(310)依次间隔地设置于所述前级管线(100)。...

【专利技术属性】
技术研发人员:褚鑫辉陈新益杨雪王志刚汤剑王智凯
申请(专利权)人:拓荆创益沈阳半导体设备有限公司
类型:发明
国别省市:

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