【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及掩膜板制备，特别涉及一种不易脱膜的掩膜板制备方法。
技术介绍
1、掩膜板是一种在微电子制造过程中用于图形转移的母版工具，功能类似于传统照相机的“底片”，承载了电子电路的核心技术参数，掩膜板在光刻过程中起着至关重要的作用。光刻技术是半导体制造中的关键步骤，通过将设计图形从掩膜板转移到光刻胶上，进而通过刻蚀过程将这些图形转移到硅片上。掩膜板的性能直接影响到光刻工艺的质量。在投影式光刻机中，掩膜板位于会聚透镜与投影透镜之间，不与晶圆直接接触，其上的图形经过缩小后透射到晶圆表面。
2、目前，掩膜板存在以下不足：1、在掩膜板的应用中，虽然掩膜板本身具有耐高温性能，但是在掩膜板受到高温处理时，其本身的耐高温性能无法在生产过程中提供额外的安全保护；2、由于掩膜板通过光刻胶粘合，光刻胶本身对掩膜板的抗氧化性能较弱，导致掩膜板无法保证其在曝光和显影过程中的稳定性和耐用性；3、由于掩膜板在使用时，掩膜板表面会出现灰尘和脏污，掩膜板本身无法有效防止灰尘、脏污等污染，无法较好地保持掩膜板表面图形的清晰和准确，影响掩膜板使用效果。
3、因此，现提出一种不易脱膜的掩膜板制备方法解决上述问题。
技术实现思路
1、本专利技术的主要目的在于提供一种阻燃性强、抗氧化性能强以及耐久性强的不易脱膜的掩膜板制备方法的制备方法，应用于不易脱膜的掩膜板制备方法制备中。
2、为实现上述目的，本专利技术采取的技术方案为：一种不易脱膜的掩膜板制备方法，包括以下步骤：
3、
4、步骤二：在喷洒阻燃材料后的光阻膜上光刻掩膜图案，将光刻胶和维生素e混合，通过电子束技术光刻掩膜图案；
5、步骤三：制备光学膜贴附在掩膜图案表面，形成保护膜，制得不易脱膜的掩膜板。
6、所述步骤一中的阻燃材料包括六溴环十二烷、三氧化二锑、十溴二苯乙烷和emerald innovationtm3000中的一种或多种组合；
7、所述阻燃材料的多种组合方式为六溴环十二烷和emerald innovationtm3000组合、三氧化二锑和emerald innovationtm3000组合以及十溴二苯乙烷和emeraldinnovationtm3000中的一种，
8、通过上述技术方案，六溴环十二烷本身的阻燃特性可以在掩膜板生产过程中提供额外的安全保护，可以有效延缓材料的燃烧速度。
9、所述阻燃材料中的多种组合方式的摩尔比分别为2至5mol：1至3mol、1.2至3.5mol：0.5至1.2mol以及1至3mol：0.5至1.5mol，
10、通过上述技术方案，和emerald innovationtm3000组合，有助于实现阻燃剂在掩膜板材料中的均匀分散，从而提高掩膜板的整体性能。
11、所述步骤一中沉积半导体膜所采用的氧化物包括氧化钼、氧化钛、氧化铜、氧化锡、氧化铟、氧化镓、氧化铁、氧化锌、氧化铝以及氧化铬中的一种或多种组合和混合物，
12、通过上述技术方案，emerald innovationtm3000与三氧化二锑、十溴二苯乙烷组合后，同样对掩膜板提供有效的阻燃保护。
13、所述半导体膜的电阻率为1x10-3至100ω·m，
14、通过上述技术方案，保证掩膜板的制备稳定。
15、所述光刻胶包括正性光刻胶和负性光刻胶，
16、通过上述技术方案，正性光刻胶中的感光剂会分解，导致曝光区域的光刻胶在显影液中溶解，从而形成图案，光刻胶分辨率高，负性光刻胶在光照后会交联固化，使得曝光区域在显影过程中保留下来，而未曝光的部分则被溶解，具有较好的耐蚀性和附着力。
17、所述光刻胶和维生素e的质量比为50％至85％：15％至30％，
18、通过上述技术方案，维生素e在光刻胶中可以提供环保且有效的抗氧化保护，能够保证掩膜板在曝光和显影过程中的稳定性和耐用性。
19、所述光学膜是由抗反射涂层和耐摩擦涂层结合制得，
20、通过上述技术方案，使得掩膜板本身能够有效防止灰尘、脏污等污染，较好地保持掩膜板表面图形的清晰和准确。
21、所述保护膜是由光学膜添加二氧化硅、二氧化钛和氧化锆混合制得，保护膜的贴附方法是将制备的保护膜通过粘着剂贴附在掩膜板表面，
22、通过上述技术方案，二氧化硅、二氧化钛和氧化锆均匀分散在涂层中，能够有效抵抗外部应力和摩擦，减少划痕和磨损的发生。
23、所述掩膜板的厚度为0.3至30μm，
24、通过上述技术方案，提高掩膜板的使用效果。
25、本专利技术具有如下有益效果：
26、1.本专利技术中，通过将六溴环十二烷和emerald innovationtm3000组合，使得制备出的掩膜板，六溴环十二烷本身的阻燃特性可以在掩膜板生产过程中提供额外的安全保护，可以有效延缓材料的燃烧速度，提高整体的阻燃等级，同时将六溴环十二烷和emeraldinnovationtm3000组合，有助于实现阻燃剂在掩膜板材料中的均匀分散，从而提高掩膜板的整体性能，以及减少掩膜板对环境和生态系统的潜在危害。
27、2.本专利技术中，通过在光刻胶内加入维生素e，使得制备出的掩膜板，维生素e可以与其他抗氧化剂或光稳定剂结合使用，同时维生素e能够吸收自由基，保护光刻胶中的有机成分，维生素e在光刻胶中可以提供环保且有效的抗氧化保护，能够保证掩膜板在曝光和显影过程中的稳定性和耐用性。
28、3.本专利技术中，通过将抗反射涂层和耐摩擦涂层结合，并添加二氧化硅、二氧化钛和氧化锆混合制得的光学膜，形成的保护膜，使得制备出的掩膜板能够提高掩膜板表面涂层的硬度，二氧化硅、二氧化钛和氧化锆均匀分散在涂层中，能够有效抵抗外部应力和摩擦，使得掩膜板本身能够有效防止灰尘、脏污等污染，较好地保持掩膜板表面图形的清晰和准确，提高掩膜板的使用效果。
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1.一种不易脱膜的掩膜板制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的不易脱膜的掩膜板制备方法，其特征在于，所述步骤一中的阻燃材料包括六溴环十二烷、三氧化二锑、十溴二苯乙烷和Emerald InnovationTM3000中的一种或多种组合；
3.根据权利要求1所述的不易脱膜的掩膜板制备方法，其特征在于，所述阻燃材料中的多种组合方式的摩尔比分别为2至5MOL：1至3MOL、1.2至3.5MOL：0.5至1.2MOL以及1至3MOL：0.5至1.5MOL。
4.根据权利要求1所述的不易脱膜的掩膜板制备方法，其特征在于，所述步骤一中沉积半导体膜所采用的氧化物包括氧化钼、氧化钛、氧化铜、氧化锡、氧化铟、氧化镓、氧化铁、氧化锌、氧化铝以及氧化铬中的一种或多种组合和混合物。
5.根据权利要求1所述的不易脱膜的掩膜板制备方法，其特征在于，所述半导体膜的电阻率为1x10-3至100Ω·m。
6.根据权利要求1所述的不易脱膜的掩膜板制备方法，其特征在于，所述光刻胶包括正性光刻胶和负性光刻胶。
7.根据权利要求
8.根据权利要求1所述的不易脱膜的掩膜板制备方法，其特征在于，所述光学膜是由抗反射涂层和耐摩擦涂层结合，并添加二氧化硅、二氧化钛和氧化锆混合制得。
9.根据权利要求1所述的不易脱膜的掩膜板制备方法，其特征在于，所述保护膜是由光学膜添加二氧化硅、二氧化钛和氧化锆混合制得，保护膜的贴附方法是将制备的保护膜通过粘着剂贴附在掩膜板表面。
10.根据权利要求1所述的不易脱膜的掩膜板制备方法，其特征在于，所述掩膜板的厚度为0.3至30μm。
...【技术特征摘要】
1.一种不易脱膜的掩膜板制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的不易脱膜的掩膜板制备方法，其特征在于，所述步骤一中的阻燃材料包括六溴环十二烷、三氧化二锑、十溴二苯乙烷和emerald innovationtm3000中的一种或多种组合；
3.根据权利要求1所述的不易脱膜的掩膜板制备方法，其特征在于，所述阻燃材料中的多种组合方式的摩尔比分别为2至5mol：1至3mol、1.2至3.5mol：0.5至1.2mol以及1至3mol：0.5至1.5mol。
4.根据权利要求1所述的不易脱膜的掩膜板制备方法，其特征在于，所述步骤一中沉积半导体膜所采用的氧化物包括氧化钼、氧化钛、氧化铜、氧化锡、氧化铟、氧化镓、氧化铁、氧化锌、氧化铝以及氧化铬中的一种或多种组合和混合物。
5.根据权利要求1所述的不易脱膜的掩膜板制备方法...
【专利技术属性】
技术研发人员：彭源发，徐华伟，沈洵，王锦涛，
申请(专利权)人：浙江众凌科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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