【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及高导热材料和高电绝缘材料领域，尤其涉及一种具有核壳结构导热填料的制备方法。
技术介绍
1、bn又称“白色石墨”，因其具有优异的电绝缘性能和高导热性，被广泛应用于导热电子封装系统、高压电绝缘设备和高介电电容器等领域。由于二维氮化硼粉体易团聚，在使用过程极难分散到有机树脂当中。高分子复合体系易发生氮化硼团聚而导致其材料的力学性能和导热性能大大地降低。针对这一缺点，设计一种核壳结构氮化硼粉体填料及制备方法是很有必要的。
2、专利zl202210546747.1中公开了一种核壳结构氮化硼材料制备方法，采用负电荷植酸，再加入带正电荷聚乙烯亚胺，这种是一种物理静电吸附的核壳结构，其壳层稳定性差，极易于被水或者有机溶剂洗脱掉。
技术实现思路
1、针对上述问题，本专利技术提供了一种具有核壳结构氮化硼@偏氟乙烯基聚合物的制备方法，采用相分离方法将偏氟乙烯基共聚物成功接枝在bn表面，以解决现有技术中高导热bn填料难分散的缺点，具体技术方案如下：
2、一种具有核壳结构氮化硼的制备方法，具体步骤如下：
3、步骤一：将bn二维片层材料超声波分散于n,n-二甲基甲酰胺或n,n-二甲基乙酰胺溶剂中；
4、步骤二：将偏氟乙烯基共聚物溶解在n,n-二甲基甲酰胺或n,n-二甲基乙酰胺溶剂中，50-70℃下搅拌5-7小时；
5、步骤三：将步骤一和步骤二中的溶液混合，并在60℃以下搅拌24小时；
6、步骤四：通过恒压分液漏斗将正辛醇缓慢
7、步骤五：将步骤四中的混合溶液通过蒸发的方式去除溶剂，得到核壳结构氮化硼填料；
8、步骤六：将步骤五所得的填料进行离心处理，并用乙醇或者甲醇或者丙醇清洗3-6次，将所得到的填料放置在100摄氏度的真空炉汇总干燥5-8小时，得到具有核壳结构氮化硼。
9、进一步的改进，其特征在于：所述步骤一和步骤二中的溶剂均为dmf溶剂。
10、进一步的改进，其特征在于：偏氟乙烯基共聚物为聚(偏氟乙烯-三氟乙烯-氯氟乙烯)、聚偏氟乙烯、聚(偏氟乙烯-三氟乙烯)、聚(偏氟乙烯-三氟氯乙烯)、聚(偏氟乙烯-六氟丙烯)。
11、进一步的改进，其特征在于：偏氟乙烯基共聚物为聚(偏氟乙烯-三氟乙烯-氯氟乙烯)。
12、进一步的改进，其特征在于：bn二维片层材料的质量与聚(偏氟乙烯-三氟乙烯-氯氟乙烯)的质量比为3:1～1:3，聚(偏氟乙烯-三氟乙烯-氯氟乙烯)所占质量越高，壳层厚度也随之增加。
13、进一步的改进，其特征在于：所述步骤一中bn二维片层材料的质量与溶剂dmf溶剂质量比为1:50-1:70。
14、进一步的改进，其特征在于：所述步骤四中的正辛醇的质量与bn二维片层材料的质量比为60:1～80:1。
15、进一步的改进，其特征在于：所述步骤三中的搅拌速度为400-900转。
16、本专利技术的有益效果：本专利技术提供了一种核壳结构氮化硼@偏氟乙烯基聚合物的制备方法，并成功表征其壳层结构。这种偏氟乙烯基共聚物壳层结构的成功修饰，改变bn表面与基体材料的结合能力，能够提高二维导热填料在高分子基体中的分散性；首次采用含氟聚合物，在高温下相分离结合化学键合方法接枝在bn的表面，所制得壳层具有较强稳定性，且在水溶液和有机溶剂中都不会脱落，大大提升bn二维片层材料在基体树脂当中的分散性和导热性。
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1.一种具有核壳结构氮化硼@偏氟乙烯基聚合物的制备方法，具体步骤如下：
2.根据权利要求1所述的一种具有核壳结构氮化硼@偏氟乙烯基聚合物的制备方法，其特征在于：所述步骤一和步骤二中的溶剂均为DMF溶剂。
3.根据权利要求1所述的一种具有核壳结构氮化硼@偏氟乙烯基聚合物的制备方法，其特征在于：偏氟乙烯基共聚物为聚(偏氟乙烯-三氟乙烯-氯氟乙烯)、聚偏氟乙烯、聚(偏氟乙烯-三氟乙烯)、聚(偏氟乙烯-三氟氯乙烯)、聚(偏氟乙烯-六氟丙烯)。
4.根据权利要求3所述的一种具有核壳结构氮化硼@偏氟乙烯基聚合物的制备方法，其特征在于：偏氟乙烯基共聚物为聚(偏氟乙烯-三氟乙烯-氯氟乙烯)。
5.根据权利要求4所述的一种具有核壳结构氮化硼@偏氟乙烯基聚合物的制备方法，其特征在于：BN二维片层材料的质量与聚(偏氟乙烯-三氟乙烯-氯氟乙烯)的质量比为3:1～1:3。
6.根据权利要求2所述的一种具有核壳结构氮化硼@偏氟乙烯基聚合物的制备方法，其特征在于：所述步骤一中BN二维片层材料的质量与溶剂DMF溶剂质量比为1:50-1:70。
<...【技术特征摘要】
1.一种具有核壳结构氮化硼@偏氟乙烯基聚合物的制备方法，具体步骤如下：
2.根据权利要求1所述的一种具有核壳结构氮化硼@偏氟乙烯基聚合物的制备方法，其特征在于：所述步骤一和步骤二中的溶剂均为dmf溶剂。
3.根据权利要求1所述的一种具有核壳结构氮化硼@偏氟乙烯基聚合物的制备方法，其特征在于：偏氟乙烯基共聚物为聚(偏氟乙烯-三氟乙烯-氯氟乙烯)、聚偏氟乙烯、聚(偏氟乙烯-三氟乙烯)、聚(偏氟乙烯-三氟氯乙烯)、聚(偏氟乙烯-六氟丙烯)。
4.根据权利要求3所述的一种具有核壳结构氮化硼@偏氟乙烯基聚合物的制备方法，其特征在于：偏氟乙烯基共聚物为聚(偏氟乙烯-三氟乙烯-氯氟乙烯)。
5.根据权利要求4所...
【专利技术属性】
技术研发人员：林建彰，李进，陈迎鑫，石培培，薛宜琛，
申请(专利权)人：昆山兴凯半导体材料有限公司，
类型：发明
国别省市：
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