【技术实现步骤摘要】
本申请涉及模拟集成电路设计的，具体涉及一种带有延时控制的复位电路。
技术介绍
1、电子系统电源上电时，如数字寄存器、模拟积分器等记忆元件均需要一个复位信号进行初始化。同时，电源遭遇大的噪声及负载电流时，电源往往会瞬态快速掉电导致记忆元件状态不定，也需要调电复位初始化信号。复位信号需要维持一定时延以便电源上电及电路状态初始化。
2、参照图1，示出了传统的复位电路的电路图，其中的复位延时单元直接利用无源rc电路产生复位延时维持时间，受工艺影响，复位延时维持时间分布较为广泛，为满足最低延时维持时间需要较大的无源器件面积，增加成本。此外，无源rc电路应用于甚长复位时间系统时，需要增加数倍的rc时间乘积，会再来显著的成本效益增加。并且，rc复位延时一般为固定时间，无法进行延迟时间编程控制调整与精度补偿设计。
技术实现思路
1、为了解决上述问题，本申请提供了一种带有延时控制的复位电路。
2、本申请提供的一种带有延时控制的复位电路，包括：上电检测模块、复位延时模块和掉电释放模块；
3、所述上电检测模块的输入端连接于电源，用于监测所述电源的工作状态，并生成第一控制信号；
4、所述复位延时模块包括有源调整管和延时mos管，所述有源调整管的栅极接收所述第一控制信号，源极连接至所述电源，漏极连接至所述延时mos管的栅极，所述延时mos管的源极和漏极共同接地；
5、所述掉电释放模块的输入端连接在所述有源调整管的漏极和所述延时mos管的栅极之间，用
6、在一些实施例中，所述复位延时模块包括并联的若干延时控制单元，每一所述延时控制单元中均设置有一个所述有源调整管；
7、对于第x延时控制单元，包括第x信号输入接口、x号pmos管、x号nmos管和第x有源调整管；
8、其中，所述x号pmos管和x号nmos管的栅极共同连接于所述第x信号输入接口，所述x号pmos管和x号nmos管的漏极共同连接于所述第x有源调整管的栅极，所述x号pmos管的源极连接于所述电源，所述第一控制信号输入所述x号nmos管的源极；所述第x有源调整管的源极连接至所述电源，漏极连接至所述延时mos管的栅极。
9、在一些实施例中，所述上电检测模块包括第一负载电阻、第二负载电阻、第一mos管、第二mos管、第一pmos管和第一nmos管；
10、所述第一mos管和第二mos管镜像设置，所述第一mos管的漏极通过所述第一负载电阻连接至电源和地线中的其中一个，源极连接至电源和地线中的另一个；所述第二mos管的漏极通过所述第二负载电阻连接至电源和地线中的其中一个，源极连接至电源和地线中的另一个；
11、所述第一nmos管的栅极连接在所述第二负载电阻和第二mos管之间，源极接地；
12、所述第一pmos管的源极连接于所述电源，栅极连接至所述有源调整管的栅极；
13、所述第一pmos管和第一nmos管的漏极相互连接后，作为所述上电检测模块的输出端连接至所述有源调整管的栅极。
14、在一些实施例中，还包括差分掉电监测模块，所述差分掉电监测模块的差分输入端连接于所述上电检测模块；
15、所述掉电释放模块包括下拉mos管，所述下拉mos管的栅极连接于所述差分掉电监测模块的输出端，源极连接于所述复位延时模块的输出端，漏极接地或电源。
16、在一些实施例中，所述差分掉电监测模块包括差分设置的两个监测mos管，两个所述监测mos管的漏极相互连接，其中一个所述监测mos管的栅极连接在所述第一mos管和第一负载电阻之间，用于接收第一监测电压，另一个所述监测mos管的栅极连接在所述第二mos管和第二负载电阻之间，用于接收第二监测电压；
17、所述第一监测电压和第二监测电压构成为差分输入信号；
18、所述下拉mos管的栅极连接在两个所述监测mos管的漏极之间。
19、在一些实施例中，所述第一mos管和第二mos管为n型管，所述第一mos管和第二mos管的源极均接地，漏极均连接至所述电源；
20、所述监测mos管包括第一监测mos管和第二监测mos管，所述第一监测mos管的源极接地，所述第二监测mos管的源极连接于电源；
21、所述第一监测mos管为n型管，所述第一监测mos管的栅极连接在所述第一mos管的漏极和第一负载电阻之间，用于接收所述第一监测电压；
22、所述第二监测mos管为p型管，所述第二监测mos管的栅极连接在所述第二mos管的漏极和第二负载电阻之间，用于接收所述第二监测电压。
23、所述下拉mos管为pmos管，其漏极接地。
24、在一些实施例中，所述第一mos管和第二mos管为p型管，所述第一mos管和第二mos管的源极均连接于所述电源，漏极均接地；
25、所述监测mos管包括第一监测mos管和第二监测mos管，所述第一监测mos管的源极接地，所述第二监测mos管的源极连接于电源；
26、所述第一监测mos管为n型管，所述第一监测mos管的栅极连接在所述第二mos管的漏极和第二负载电阻之间，用于接收所述第二监测电压；
27、所述第二监测mos管为p型管，所述第二监测mos管的栅极连接在所述第一mos管的漏极和第一负载电阻之间，用于接收所述第一监测电压。
28、所述下拉mos管为nmos管，其漏极接电源。
29、在一些实施例中，所述复位电路还包括整形输出模块，所述整形输出模块用于接收所述复位控制信号，对所述复位控制信号的波形进行整形，并输出整形后的复位控制信号。
30、在一些实施例中，所述整形输出模块包括第二反相器和第三反相器，所述第二反相器用于对所述复位控制信号进行反向处理，以输出所述复位控制信号的反向信号，所述第三反相器用于对所述复位控制信号的反向信号进行反向处理，以得到整形后的复位控制信号并输出。
31、本申请技术方案，至少包括如下优点：
32、1、通过设置包含有有源调整管的复位延时模块，并将上电检测电路输出的第一控制信号输入有源调整管的栅极，根据第一控制信号的变化，可以调节有源调整管的栅极偏置，进而调节有源调整管的有源阻值，在对第一控制信号进行延时处理的同时，还可以控制复位延时维持时间；
33、2、通过设置并联的若干延时控制单元，并对每个延时控制单元进行分别控制，可以改变复位延时模块中等效的总的有源调整管的工作尺寸，从而可以改变电流镜像比例，进一步调整复位延时持续时间；
34、3、通过差分掉电监测模块的设置，快速响应电源掉电并产生电平释放控制信号，可以消除阈值损失，使得复位电平电荷释放更快速彻底，有助于提升复位延时维持时间，提高复位电路的可靠性，进而降低成本。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种带有延时控制的复位电路，其特征在于，包括：上电检测模块、复位延时模块和掉电释放模块；
2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述复位延时模块包括并联的若干延时控制单元，每一所述延时控制单元中均设置有一个所述有源调整管；
3.根据权利要求1或2所述的电路，其特征在于，所述上电检测模块包括第一负载电阻、第二负载电阻、第一MOS管、第二MOS管、第一PMOS管和第一NMOS管；
4.根据权利要求3所述的电路，其特征在于，还包括差分掉电监测模块，所述差分掉电监测模块的差分输入端连接于所述上电检测模块；
5.根据权利要求4所述的电路，其特征在于，所述差分掉电监测模块包括差分设置的两个监测MOS管，两个所述监测MOS管的漏极相互连接，其中一个所述监测MOS管的栅极连接在所述第一MOS管和第一负载电阻之间，用于接收第一监测电压，另一个所述监测MOS管的栅极连接在所述第二MOS管和第二负载电阻之间，用于接收第二监测电压；
6.根据权利要求5所述的电路，其特征在于，所述第一MOS管和第二MOS管为N型管，所述第一MOS管和第二
7.根据权利要求5所述的电路，其特征在于，所述第一MOS管和第二MOS管为P型管，所述第一MOS管和第二MOS管的源极均连接于所述电源，漏极均接地；
8.根据权利要求1至7任一所述的电路，其特征在于，所述复位电路还包括整形输出模块，所述整形输出模块用于接收所述复位控制信号，对所述复位控制信号的波形进行整形，并输出整形后的复位控制信号。
9.根据权利要求8所述的电路，其特征在于，所述整形输出模块包括第二反相器和第三反相器，所述第二反相器用于对所述复位控制信号进行反向处理，以输出所述复位控制信号的反向信号，所述第三反相器用于对所述复位控制信号的反向信号进行反向处理，以得到整形后的复位控制信号并输出。
...【技术特征摘要】
1.一种带有延时控制的复位电路，其特征在于，包括：上电检测模块、复位延时模块和掉电释放模块；
2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述复位延时模块包括并联的若干延时控制单元，每一所述延时控制单元中均设置有一个所述有源调整管；
3.根据权利要求1或2所述的电路，其特征在于，所述上电检测模块包括第一负载电阻、第二负载电阻、第一mos管、第二mos管、第一pmos管和第一nmos管；
4.根据权利要求3所述的电路，其特征在于，还包括差分掉电监测模块，所述差分掉电监测模块的差分输入端连接于所述上电检测模块；
5.根据权利要求4所述的电路，其特征在于，所述差分掉电监测模块包括差分设置的两个监测mos管，两个所述监测mos管的漏极相互连接，其中一个所述监测mos管的栅极连接在所述第一mos管和第一负载电阻之间，用于接收第一监测电压，另一个所述监测mos管的栅极连接在所述第二mos管和第二...
【专利技术属性】
技术研发人员：戴若凡，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。