一种半导体封装结构制造技术

本申请的一些实施例提供了一种半导体封装结构，包括：面板，面板包括：第一表面，具有设置在第一表面上的有效电路；以及第二表面，与第一表面相对，并且第二表面具有设置在第二表面上的背面防火墙图案。本申请的半导体封装结构的背面防火墙图案可以有效改善有效电路的电镀厚度均匀性。

【技术实现步骤摘要】

本申请的实施例涉及一种半导体封装结构。

技术介绍

1、面板级扇出封装有着成本上的显著优势，诸如具有大型面制造的成本优势，因此厂商纷纷投入这项技术的研发。然而，因面积较大，这类大型面的电镀均匀性受到诸多条件影响，在电镀制程中容易受到电流均匀性的影响而造成电镀结果不均匀的现象，这是因为电镀制程中因机台搅动方式以及面板接触电流的位置，会造成面板周围电镀厚度较厚的现象，进而影响电镀均匀性，造成制程质量等问题，主要表现为面板周围电流较大造成边缘的镀层较厚，诸如面板周围电流较大或机台搅动镀液方式造成面板边缘较厚等现象。如上所述，电镀厚镀不均会造成制程质量上的种种问题，常见的改善边缘镀层较厚的方法为使用硬设备进行遮挡，或是在面板上使用防火墙分散多余电流。但在电镀制程中，现行使用的硬件机构遮挡电流或面板本身分善电流的结构设置，其降低电镀边缘厚度的成效有限，具体为：

2、1.电镀制程中一般使用机台硬设备进行电流遮挡的方式，但改善效果有限；以及

3、2.在面板上一般会使用现行的防火墙(dummy pattern)进行多余电流的分散，但因防火墙面积有限，边缘厚度异常的改善效果有限。

4、可见，参见图1a至图1b，图1a示出了面板级扇出封装件10的截面图，诸如沿着图1b中的线l-l的截面图，并且图1b示出了图1a的面板级扇出封装件10的区域a的俯视图。虽然过去在面板级扇出封装件10的面板11的表面11a中，在边缘无效区d域设置防火墙13吸引部分电流，避免电流过于集中在临近板边缘的设置有有效电路12的有效区t，但因边缘无效区d的面积有限，使得防火墙13本身设置面积受限，导致改善面板11周围电镀厚度成效有限。可见，在现有技术中，面板11周围的防火墙13用途是用来分散过多的电流，以降低面板11周围电镀厚度，然而其设置位置有限导致其分散电流降低厚度的效果没有优化。此外，在一些实施例中，在邻近防火墙13的无效区d中，存在空白区14，该空白区14不进行导电连接，仅可以使用夹具用于进行固定等。之后，参见图1c至图1d，图1c示出了面板级扇出封装结构10中的各个区域的电镀厚度分布图(其中，横纵坐标表示相应的区域，并且其中，图中的数值表示各个区域的电镀厚度，单位为μm)，图1d示出了图1c的区域a的电镀厚度分布的柱形图(其中，横坐标表示厚度(单位为μm)，纵坐标表示相应厚度的分布)，并且下表1示出了图1d所示的区域a中的相应电镀厚度分布的统计数据(其中，quartile表示四分位数，median表示中位数，maximum表示最大值，minimum表示最小值，mean表示平均值，upper95％mean表示95％较大值的平均值，以及lower95％mean表示95％较小值的平均值)，如下表1所示：

5、表1

6、

7、从图1c中可以看出，在面板级封装结构100中，在边缘无效区域设置防火墙的情况下，各个区域的电镀厚度的厚度差较大。根据图1d和上表1的电镀厚度量测数据显示，周围最厚区域(maximum(最大值)，10.695μm)和最薄区域(minimum(最小值)，8.912μm)之间隙(gap)>1.7μm(为1.783μm)，整体电镀均匀度为9.09％，其中，电镀均匀度为(最大值-最小值)/两倍的平均值，并且整体厚度分布不具趋势性。

8、综上，使用现行防火墙改善面板电镀厚度周围较厚的方式，因防火墙设置位置有限，致使防火墙本身设置面积受限，导致改善面板周围电镀厚度成效有限，并且防火墙位于面板正面导至可利用面积减少，因此，急需提供一种新的半导体封装结构来改善上述问题。

技术实现思路

1、为了解决上述问题，本申请通过扩大无效区，并且在扩大的无效区范围设置防火墙来解决已知的无效区面积有限而造成的防火墙设置面积受限的问题。此外，本申请将无效区扩大至封装结构的背面，通过将防火墙移至背面可以使得吸引电流效果更佳，并且还可以增加正面有效区面积。

2、本申请的一些实施例提供了一种半导体封装结构，包括：面板，所述面板包括：第一表面，具有设置在所述第一表面上的有效电路；以及第二表面，与所述第一表面相对，并且所述第二表面具有设置在所述第二表面上的背面防火墙图案。

3、在一些实施例中，所述背面防火墙图案设置在所述第二表面的邻近所述面板的第一边缘的位置处。

4、在一些实施例中，所述背面防火墙图案设置在所述第二表面的进一步邻近所述面板的第二边缘的位置处。

5、在一些实施例中，所述第二边缘邻接所述第一边缘。

6、在一些实施例中，所述面板还包括：侧面，连接所述第一表面和所述第二表面，其中，所述侧面由导电层覆盖。

7、在一些实施例中，所述导电层电连接所述背面防火墙图案。

8、在一些实施例中，所述导电层电连接所述有效电路。

9、在一些实施例中，半导体封装结构还包括：正面防火墙图案，设置在所述第一表面上并且邻近所述有效电路。

10、在一些实施例中，在垂直于所述面板的所述第一表面和所述第二表面的方向上，所述正面防火墙图案的覆盖区与所述背面防火墙图案的覆盖区大致重叠。

11、在一些实施例中，所述背面防火墙图案是连续的图案。

12、在一些实施例中，所述背面防火墙图案的覆盖区从四侧围绕所述有效电路的覆盖区。

13、在一些实施例中，所述背面防火墙图案是断开的图案。

14、在一些实施例中，所述正面防火墙图案与所述背面防火墙图案的图案相同或不同。

15、在一些实施例中，所述正面防火墙图案从四侧围绕所述有效电路。

16、在一些实施例中，所述正面防火墙图案是连续的图案。

17、在一些实施例中，所述正面防火墙图案是断开的图案。

18、在一些实施例中，所述导电层是晶种层。

19、本申请的另一些实施例提供了一种半导体封装结构，包括：面板，所述面板具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；有效电路，设置在所述面板的第一表面上；以及第一防火墙图案，设置在所述面板的第二表面上，其中，在垂直于所述面板的所述第一表面和所述第二表面的方向上，所述第一防火墙图案的覆盖区围绕所述有效电路的覆盖区。

20、在一些实施例中，半导体封装结构还包括：第二防火墙图案，设置在所述第一表面上并且围绕所述有效电路。

21、在一些实施例中，在垂直于所述面板的所述第一表面和所述第二表面的方向上，所述第一防火墙图案的覆盖区与所述第二防火墙图案的覆盖区大致重叠。

22、本申请在面板背面(即，第二表面)设置防火墙装置，因背面有较大的区域可以设置密度更大的防火墙来达到较佳的分散电流效果，并且同时可以提升正面(即，第一表面)的利用程度。

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【技术保护点】

1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述背面防火墙图案设置在所述第二表面的邻近所述面板的第一边缘的位置处。

3.根据权利要求2所述的半导体封装结构，其特征在于，所述背面防火墙图案设置在所述第二表面的进一步邻近所述面板的第二边缘的位置处。

4.根据权利要求3所述的半导体封装结构，其特征在于，所述第二边缘邻接所述第一边缘。

5.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述面板还包括：

6.根据权利要求5所述的半导体封装结构，其特征在于，所述导电层电连接所述背面防火墙图案。

7.根据权利要求6所述的半导体封装结构，其特征在于，所述导电层电连接所述有效电路。

8.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括：

9.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：

10.根据权利要求9所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括：

【技术特征摘要】

1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述背面防火墙图案设置在所述第二表面的邻近所述面板的第一边缘的位置处。

3.根据权利要求2所述的半导体封装结构，其特征在于，所述背面防火墙图案设置在所述第二表面的进一步邻近所述面板的第二边缘的位置处。

4.根据权利要求3所述的半导体封装结构，其特征在于，所述第二边缘邻接所述第一边缘。

5.根据权利要求1所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：张龄元，王仕宇，吴伯音，郭明苍，廖晋廷，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：新型
国别省市：