【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及晶体管技术，尤其涉及一种共源极晶体管装置。
技术介绍
1、近年来，具有较高操作电压的高压集成电路的应用日益增加，因此高压晶体管以及具有较低操作电压的低压晶体管互相整合的装置也跟着出现。
2、在传统的设计中，共源极的高压晶体管以及低压晶体管是互相独立配置，再将源极电性耦接，以避免不同的操作电压造成影响。然而这样的配置方式不仅使元件的面积增大，在高压晶体管以及低压晶体管的元件数目较多时更往往造成高压晶体管一侧具有较高的温度，而使温度的分布不平均。
技术实现思路
1、鉴于现有技术的问题，本专利技术的一目的在于提供一种共源极晶体管装置，以改善现有技术。
2、本专利技术包含一种共源极晶体管装置，包含：共源极晶体管单元、隔离环以及基板环。共源极晶体管单元包含：扩散区、多个多晶硅栅极以及源基极环。扩散区包含互相交错设置的多个源基极区(source/bulk)以及多个漏极区(drain)。多晶硅栅极横跨设置于扩散区上且各设置于其中的一源基极区以及其中的一漏极区之间，包含：低压栅极部分、第一高压栅极部分以及第二高压栅极部分。低压栅极部分包含2n个相邻设置的低压多晶硅栅极。第一高压栅极部分以及第二高压栅极部分分别对应低压栅极部分的第一侧以及第二侧间隔其中的一源基极区设置，且分别包含n+1个相邻设置的高压多晶硅栅极。源基极环环绕扩散区以及多晶硅栅极设置，并电性耦接于源基极区以接收源基极电压。隔离环环绕共源极晶体管单元设置，以接收隔离电压。基板环环绕隔离环设置，以接收
3、有关本公开的特征、实作与技术效果，兹配合附图作优选实施例详细说明如下。
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1.一种共源极晶体管装置，包含：
2.如权利要求1所述的共源极晶体管装置，其中N为2，该低压栅极部分包含四个低压多晶硅栅极，该第一高压栅极部分包含三个第一高压多晶硅栅极，该第二高压栅极部分包含三个第二高压多晶硅栅极。
3.如权利要求1所述的共源极晶体管装置，其中该低压栅极部分与对应的所述多个源基极区以及所述多个漏极区形成一低压晶体管，该第一高压栅极部分以及该第二高压栅极部分与对应的所述多个源基极区以及所述多个漏极区形成一高压晶体管，且该低压晶体管以及该高压晶体管共享一源极。
4.如权利要求3所述的共源极晶体管装置，其中该源基极电压、该隔离电压以及该基板电压的大小对应于该高压晶体管的一操作电压。
5.如权利要求3所述的共源极晶体管装置，其中该低压晶体管以及该高压晶体管分别具有为5伏特以及20伏特的一操作电压。
6.如权利要求1所述的共源极晶体管装置，其中该扩散区形成于一井区上，该井区、该源基极环以及该隔离环形成于一基板上，该基板环设置于该基板外侧。
7.如权利要求6所述的共源极晶体管装置，其中该基板对应于一第一
8.如权利要求7所述的共源极晶体管装置，其中该源基极环、该隔离环以及该基板环分别包含一底部区域以及设置于该底部区域上的一布植区域，该源基极环以及该基板环的该底部区域以及该布植区域对应于该第二型掺杂物质，该隔离环的该底部区域以及该布植区域对应于该第一型掺杂物质。
9.如权利要求8所述的共源极晶体管装置，其中各该源基极环、该隔离环以及该基板环的该布植区域的两侧各设置有一隔离结构。
10.如权利要求1所述的共源极晶体管装置，其中该共源极晶体管装置包含多个排列为阵列的该共源极晶体管单元，以由该隔离环环绕。
...【技术特征摘要】
1.一种共源极晶体管装置，包含：
2.如权利要求1所述的共源极晶体管装置，其中n为2，该低压栅极部分包含四个低压多晶硅栅极，该第一高压栅极部分包含三个第一高压多晶硅栅极，该第二高压栅极部分包含三个第二高压多晶硅栅极。
3.如权利要求1所述的共源极晶体管装置，其中该低压栅极部分与对应的所述多个源基极区以及所述多个漏极区形成一低压晶体管，该第一高压栅极部分以及该第二高压栅极部分与对应的所述多个源基极区以及所述多个漏极区形成一高压晶体管，且该低压晶体管以及该高压晶体管共享一源极。
4.如权利要求3所述的共源极晶体管装置，其中该源基极电压、该隔离电压以及该基板电压的大小对应于该高压晶体管的一操作电压。
5.如权利要求3所述的共源极晶体管装置，其中该低压晶体管以及该高压晶体管分别具有为5伏特以及20伏特的一操作电压。
6.如权利要求1所述的共源极晶体管装置，其中该扩散区形成于一井区上，该井区、该源基极环以及该隔离环形成于一基板上，该基板环设置于该基板外侧...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄惠民，张介斌，朱立程，蔡春乾，陈力辅，
申请(专利权)人：瑞昱半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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