System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种用于有机绝缘膜的POSS基正性光刻胶组合物制造技术_技高网

一种用于有机绝缘膜的POSS基正性光刻胶组合物制造技术

技术编号:42644683 阅读:9 留言:0更新日期:2024-09-06 01:40
本发明专利技术属于光刻胶技术领域,具体涉及一种用于有机绝缘膜的POSS基正性光刻胶组合物,以质量份计,包括50‑100份POSS基聚合物、0.1‑5份感光剂、0.1‑10份酸生成剂或碱生成剂、0.001‑5份表面活性剂、0.001‑5份助粘剂和100‑2000份溶剂。本发明专利技术采用多官能团聚硅氧烷经自由基加成反应生成POSS基聚合物,该POSS基聚合物经过与溶剂、感光剂及其他助剂制备正性光刻胶组合物,经旋涂、前烘、曝光、显影和后烘后,形成有机绝缘膜,得到的有机绝缘膜与金属的粘合力、UV透射率、残膜率及图案稳定性优异。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种用于有机绝缘膜的poss基正性光刻胶组合物,属于光刻胶。


技术介绍

1、薄膜晶体管常用于薄膜晶体管液晶显示器(th i n fi lm trans i stor liquid crysta l d i sp l ay,简称tft-lcd)以改善液晶面板(lcd)影像的品质。为提高液晶显示器的亮度,在增加光源亮度的基础上,还必须提高液晶屏的透光率,其中除了需要提高所用光学部件、材料的透光率外,更要提高tft-lcd的开口率。开口率是指光线能透过的有效区域比例。tft-lcd常采用有机绝缘膜材料,在各布线之上布置像素电极,将像素电极与信号线构成在不同的层中,以提高开口率。

2、有机绝缘膜层对于降低像素电极和布线间寄生电容至关重要,其主体材料由聚(甲基)丙烯酸(酯)类、聚酰亚胺类粘合剂树脂的光刻胶组合物形成。常规的有机绝缘膜材料介电常数较高,而且与金属、玻璃和硅等基材的粘附性差,显影后的残留膜率低,导致图案的平坦性差。


技术实现思路

1、本专利技术针对现有技术的缺陷,提供一种用于有机绝缘膜的poss基正性光刻胶组合物。

2、本专利技术解决上述技术问题的技术方案如下:

3、一种用于有机绝缘膜的poss基正性光刻胶组合物,以质量份计,包括50-100份poss基聚合物、0.1-5份感光剂、0.1-10份酸生成剂或碱生成剂、0.001-5份表面活性剂、0.001-5份助粘剂和100-2000份溶剂。

4、在上述技术方案的基础上,本专利技术还可以做出如下的改进:

5、进一步,所述poss基聚合物具有以下通式i i所示结构:

6、

7、其中,n≥1;

8、a为1~40的正整数;

9、b为1~40的正整数;

10、c为1~40的正整数;

11、x为o、nh或s中的任一种;

12、r中含有1~30个-ch2基团,或者r为芳香性基团及其衍生物,其中,r的端基含有反应活性官能团,所述反应活性官能团为羟基、羧基、环氧基、氨基的任意一种或两种及以上;

13、r1为-or’,-nr’2,-sr’2中的任一种,其中,r’为h、碳原子数为1~15的烷基或者羟基烷基、带有环氧基团的烷基链、或者芳香基衍生物的任意一种,或者,r’为下列结构及其衍生结构中的任意一种:

14、

15、

16、其中m≥1;r4是氢或甲基;

17、r2为氢、甲基、羧基或者二氧六环基的任意一种;

18、r3为酯基、苯基及其衍生物、吡啶基及其衍生物、环己基及其衍生物、吡唑基及其衍生物、咪唑基及其衍生物、三嗪基及其衍生物或者三唑基及其衍生物中的任意一种,或者r3为下列结构中的一种或几种:

19、

20、其中,m≥1,r4是氢或甲基。

21、进一步,所述poss基聚合物的合成原料包括多官能团聚硅氧烷、(甲基)丙烯酸及其酯类单体、具有乙烯不饱和键的单体。

22、进一步,所述多官能团聚硅氧烷具有以下通式ⅰ所示结构:

23、

24、其中,p≥1;

25、x为o、nh或s中的任一种;

26、r0中含有1~30个-ch2基团,或者r0为芳香性基团及其衍生物,或者r0为聚醚、聚酰胺、聚酰胺-胺中的一种或两种以上,其中,r0的端基含有反应活性官能团,所述反应活性官能团为羟基、羧基、环氧基、氨基的任意一种或两种及以上;

27、r5为氢、甲基、羧基或者二氧六环基的任意一种。

28、进一步,所述(甲基)丙烯酸及其酯类单体为(甲基)丙烯酸、(甲基)丙烯酸-2-羟乙酯、(甲基)丙烯酸环己酯、(甲基)丙烯酸二甘醇单乙醚酯、(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚乙二醇(甲基)丙烯酸酯、三甲基丙烷二(甲基)丙烯酸酯、三甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、(甲基)戊二烯醇酸酯、(甲基)丙烯酸戊四醇四酯、二苯二甲酸乙二醇(甲基)丙烯酸酯、二苯二甲酸乙二醇(甲基)丙烯酸酯、α、β-不饱和(甲基)丙烯酸酯、双酚a二丙二醇醚(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸β-羟基乙基酯等任意一种或两种以上。

29、进一步,所述具有乙烯不饱和键的单体为(甲基)丙烯酸酯类及其衍生物、马来酸及其衍生物、降冰片烯及其衍生物、苯乙烯、苯丙烯及其衍生物、苯乙烯肉桂酸衍生物等中的一种或两种以上。

30、进一步,合成所述poss基聚合物采用的引发剂为偶氮类光引发剂或者苯乙酮类化合物。

31、进一步,所述偶氮类光引发剂为2,2’-偶氮双(2,4-二甲基戊腈)、2,2’-偶氮双(2-甲基丁腈)、2,2’-偶氮异丁腈、2,2'-偶氮双(4-甲氧基-2,4-二甲基戊腈)、2,2'-偶氮双[n-(2-丙烯基)-2-甲基丙酰胺]、2,2'-偶氮双(2-甲基丁腈)、2,2'-偶氮双[2-(2-咪唑并啉-2-基)丙烷]、1,1,1-三(对羟基苯基)乙烷和1,2-萘醌二叠氮-5-磺酰氯缩合物中的任意一种,所述偶氮类光引发剂的分子量为300~1500。

32、进一步,所述苯乙酮类化合物为氨基酮类化合物或者羟基酮类化合物;所述氨基酮类化合物为2-苄基-2-二甲氨基-1-(4-吗啉苯基)-丁烷-1-酮、2-二甲氨基-2-(4-甲基苄基)-1-(4-吗啉-4-基苯基)-丁烷-1-酮或者2-甲基-1-(4-甲硫基苯基)-2-吗啉基丙烷-1-酮的任意一种或两种及以上;所述羟基酮化合物为1-苯基-2-羟基-2-甲基丙烷-1-酮、1-(4-二丙基苯基)-2-羟基-2-甲基丙烷-1-酮、4-(2-羟基乙氧基)苯基-(2-羟基-2-丙基)酮或者1-羟基环己基苯基酮的任意一种或两种及以上。

33、进一步,合成所述poss基聚合物采用的链转移剂包括硫醇化合物。

34、进一步,所述硫醇化合物为芳香族硫醇化合物或者脂肪族硫醇化合物;所述芳香族硫醇化合物为2-巯基苯并噻唑、2-巯基苯并恶唑或者2-巯基-5-甲氧基苯并噻唑的任意一种或两种及以上;所述脂肪族硫醇化合物为3-巯基丙酸、3-巯基丙酸甲酯、季戊四醇四(巯基乙酸酯)或者季戊四醇四(3-巯基丙酸酯)的任意一种或两种及以上。

35、进一步,所述poss基聚合物的合成温度为15~140℃,优选25~130℃,更优选40~120℃;合成时间为1~28h,优选2~20h,更优选3~10h。

36、进一步,本专利技术通式i i所示的poss基聚合物,使用gpc(凝胶透析色谱),以四氢呋喃为流动相测试其分子量,其平均分子量(以聚苯乙烯为基准物质)测试值在2000~40000,分散度为1.0~4.5,酸值为70~140mgkoh/g。

37、进一步,合成所述poss基聚合物所用的溶剂采用醇类等质子有机溶剂或者非质子型有机溶剂;所述非质子有机溶剂为n,n-二甲基甲酰胺(dmf)、n,n本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种用于有机绝缘膜的POSS基正性光刻胶组合物,其特征在于,以质量份计,包括50-100份POSS基聚合物、0.1-5份感光剂、0.1-10份酸生成剂或碱生成剂、0.001-5份表面活性剂、0.001-5份助粘剂和100-2000份溶剂。

2.根据权利要求1所述的用于有机绝缘膜的POSS基正性光刻胶组合物,其特征在于,所述POSS基聚合物具有以下通式I I所示结构:

3.根据权利要求1或2所述的用于有机绝缘膜的POSS基正性光刻胶组合物,其特征在于,所述POSS基聚合物的合成原料包括多官能团聚硅氧烷、(甲基)丙烯酸及其酯类单体、具有乙烯不饱和键的单体。

4.根据权利要求3所述的用于有机绝缘膜的POSS基正性光刻胶组合物,其特征在于,所述多官能团聚硅氧烷具有以下通式Ⅰ所示结构:

5.根据权利要求3所述的用于有机绝缘膜的POSS基正性光刻胶组合物,其特征在于,所述(甲基)丙烯酸及其酯类单体为(甲基)丙烯酸、(甲基)丙烯酸环己酯、(甲基)丙烯酸-2-羟乙酯、(甲基)丙烯酸二甘醇单乙醚酯、(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚乙二醇(甲基)丙烯酸酯、三甲基丙烷二(甲基)丙烯酸酯、三甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、(甲基)戊二烯醇酸酯、(甲基)丙烯酸戊四醇四酯、二苯二甲酸乙二醇(甲基)丙烯酸酯、二苯二甲酸乙二醇(甲基)丙烯酸酯、α、β-不饱和(甲基)丙烯酸酯、双酚A二丙二醇醚(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸β-羟基乙基酯的任意一种或两种以上。

6.根据权利要求3所述的用于有机绝缘膜的POSS基正性光刻胶组合物,其特征在于,所述具有乙烯不饱和键的单体为(甲基)丙烯酸及其酯类衍生物、马来酸及其衍生物、降冰片烯及其衍生物、苯乙烯、苯丙烯及其衍生物、苯乙烯肉桂酸衍生物中的一种或两种以上。

7.根据权利要求3所述的用于有机绝缘膜的POSS基正性光刻胶组合物,其特征在于,合成所述POSS基聚合物采用的引发剂为偶氮类光引发剂或者苯乙酮类化合物。

8.根据权利要求3所述的用于有机绝缘膜的POSS基正性光刻胶组合物,其特征在于,合成所述POSS基聚合物采用的链转移剂包括硫醇化合物。

9.根据权利要求3所述的用于有机绝缘膜的POSS基正性光刻胶组合物,其特征在于,所述POSS基聚合物的合成温度为15~140℃,合成时间为1~28h。

10.根据权利要求1所述的用于有机绝缘膜的POSS基正性光刻胶组合物,其特征在于,还包括抗氧化剂、稳定剂、自由基清除剂的任意一种或者两种及以上。

...

【技术特征摘要】

1.一种用于有机绝缘膜的poss基正性光刻胶组合物,其特征在于,以质量份计,包括50-100份poss基聚合物、0.1-5份感光剂、0.1-10份酸生成剂或碱生成剂、0.001-5份表面活性剂、0.001-5份助粘剂和100-2000份溶剂。

2.根据权利要求1所述的用于有机绝缘膜的poss基正性光刻胶组合物,其特征在于,所述poss基聚合物具有以下通式i i所示结构:

3.根据权利要求1或2所述的用于有机绝缘膜的poss基正性光刻胶组合物,其特征在于,所述poss基聚合物的合成原料包括多官能团聚硅氧烷、(甲基)丙烯酸及其酯类单体、具有乙烯不饱和键的单体。

4.根据权利要求3所述的用于有机绝缘膜的poss基正性光刻胶组合物,其特征在于,所述多官能团聚硅氧烷具有以下通式ⅰ所示结构:

5.根据权利要求3所述的用于有机绝缘膜的poss基正性光刻胶组合物,其特征在于,所述(甲基)丙烯酸及其酯类单体为(甲基)丙烯酸、(甲基)丙烯酸环己酯、(甲基)丙烯酸-2-羟乙酯、(甲基)丙烯酸二甘醇单乙醚酯、(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚乙二醇(甲基)丙烯酸酯、三甲基丙烷二(甲基)丙烯酸酯、三甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、(...

【专利技术属性】
技术研发人员:毕研刚崔淑英徐晶傅天林赵增武豆帆颜俊雄朱洪维
申请(专利权)人:烟台希尔德材料科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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