【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体产品制作，尤其涉及一种增强spv信号的装置及方法。
技术介绍
1、随着ic工业的发展，对硅材料的质量提出了越来越高的要求。硅单晶中的非平衡少数载流子寿命(少子寿命)是一个被关注的表征材抖性能的重要物理参数。影响少子寿命的主要因素之一是金属沾污。因为金属杂质可以通过热过程从硅片的表面扩散进内部，并成为非常有效的复合中心，大大促进载流子的复合，降低硅片寿命，进而影响器件的性能和可靠性。
2、在集成电路芯片的制造过程中硅片需通过多道工序处理，每道工序前、后需对该工艺可能产生变化的硅片的重要参数进行测试。在热处理、外延以及cvd等工艺等过程中对金属沾污需要严格控制。用来衡量硅片的金属沾污程度的主要参数有表面金属浓度和体铁浓度。目前高精度测试硅片体铁浓度的主要方法是表面光电压法(spv)法，表面光电压法(spv)法是一种非破坏性的、可全面扫描测量硅抛光片少数载流子扩散长度及体内铁杂质含量的测试方法。这是一种稳态方法，与时间过程无关，从而避免了非稳态测试中表面复合对结果的影响，测试结果更能体现材料体的质量。semilab pv2000设备利用表面光电压测试原理测量硅片的扩散长度从而达到表征硅片质量的目的。在利用semilab pv2000设备测量硅片扩散长度过程中，硅片表面势垒、spv信号强度、线性比(lr)都会影响测试结果，而利用氢氧化钠或氢原酸水溶液浸泡等普通方法处理后的硅片其表面势垒、spv信号、线性比(lr)增强有限，很难达到设备测试要求，测试精度较差，结果不可信。
技术实
1、为了解决上述技术问题，本专利技术提供一种增强spv信号的装置及方法，解决spv信号增强有限，导致测试精度低的问题。
2、为了达到上述目的，本专利技术实施例采用的技术方案是：一种增强spv信号的方法，包括：
3、向硅片发射紫外光；
4、获取硅片上经过紫外光照射过的区域的spv信号强度。
5、可选的，增强spv信号的方法应用于增强spv信号的装置，所述增强spv信号的装置包括用于发出紫外光的光源组件，所述增强spv信号的方法还包括：
6、控制所述光源组件和/或所述硅片移动，以使得所述光源组件发出的紫外光照射所述硅片的所有区域。
7、可选的，所述“获取硅片上经过紫外光照射过的区域的spv信号强度”，具体包括：实时获取经过紫外光照射的硅片区域的表面光电压；
8、根据所述表面光电压，获取spv信号值。
9、可选的，所述“向硅片发射紫外光”，具体包括，向硅片发出紫外光，使得所述硅片的表面形成微纳米结构，所述微纳米结构为包括多个沟槽的网格状结构。
10、可选的，所述沟槽的宽度为10-100nm。
11、可选的，增强spv信号的方法应用于增强spv信号的装置，所述增强spv信号的装置包括用于发出紫外光的光源组件，所述光源组件包括紫外发生器和准直结构，所述增强spv信号的方法，所述“向硅片发射紫外光”，具体包括：
12、发出紫外光；
13、对所述紫外光进行准直，以发出准直光束。
14、本专利技术实施例还提供一种增强spv信号的装置，用于上述的增强spv信号的方法，包括：
15、硅片承载台，用于承载待处理的硅片；
16、光源组件，用于向硅片发射紫外光；
17、spv信号处理结构，用于获取硅片上经过紫外光照射过的区域的spv信号强度。
18、可选的，所述光源组件包括紫外光发生器和准直结构，所述准直结构用于对所述光源发出的紫外光进行准直。
19、可选的，所述光源组件还包括位于所述准直结构和所述光源之间的透镜组，所述透镜组用于对所述光源发出的紫外光进行收敛，以使得所述光源发出的紫外光全部进入到所述准直结构内进行准直。
20、可选的，spv信号处理结构包括：
21、spv信号传感器，用于实时获取经过紫外光照射的硅片区域的表面光电压；
22、处理单元，用于根据所述spv信号传感器传输的所述表面光电压，获取spv信号值。
23、可选的，还包括移动控制结构，用于控制所述光源组件和/或所述硅片移动，以使得所述光源组件发出的紫外光照射所述硅片的所有区域。
24、可选的，所述移动控制结构包括：
25、移动部，包括沿第一方向延伸设置的导轨，所述硅片承载台可移动的设置于所述导轨上，所述第一方向与所述光源组件的出光方向相垂直；
26、旋转部，用于控制所述硅片承载台在第一平面内旋转，所述第一平面与所述第一方向相平行。
27、可选的，所述硅片承载台上设置有真空吸附孔，所述真空吸附孔与真空设备连通，以用于吸附硅片。
28、本专利技术的有益效果是：本申请所提供的增强spv信号的装置及方法，通过紫外光对硅片表面进行预处理，使得硅片表面形成纳米结构，当光线照射到硅片表面的微纳米结构时，会发生多次散射和反射，使得光在硅片内部的路径变长，增加了光与硅片的相互作用概率，从而提高了光捕获效率。这种增强的光捕获可以导致更多的光子被吸收，产生更多的电荷载流子，进而提高spv信号。
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1.一种增强SPV信号的方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的增强SPV信号的方法，其特征在于，增强SPV信号的方法应用于增强SPV信号的装置，所述增强SPV信号的装置包括用于发出紫外光的光源组件，所述增强SPV信号的方法还包括：
3.根据权利要求1所述的增强SPV信号的方法，其特征在于，所述“获取硅片上经过紫外光照射过的区域的SPV信号强度”，具体包括：实时获取经过紫外光照射的硅片区域的表面光电压；
4.根据权利要求1所述的增强SPV信号的方法，其特征在于，所述“向硅片发射紫外光”，具体包括，向硅片发出紫外光，使得所述硅片的表面形成微纳米结构，所述微纳米结构为包括多个沟槽的网格状结构。
5.根据权利要求4所述的增强SPV信号的方法，其特征在于，所述沟槽的宽度为10-100nm。
6.根据权利要求1所述的增强SPV信号的方法，其特征在于，增强SPV信号的方法应用于增强SPV信号的装置，所述增强SPV信号的装置包括用于发出紫外光的光源组件，所述光源组件包括紫外发生器和准直结构，所述增强SPV信号的方法，所述“向
7.一种增强SPV信号的装置，用于实现权利要求1-6任一项所述的增强SPV信号的方法，其特征在于，包括：
8.根据权利要求7所述的增强SPV信号的装置，其特征在于，所述光源组件包括紫外光发生器和准直结构，所述准直结构用于对所述光源发出的紫外光进行准直。
9.根据权利要求8所述的增强SPV信号的装置，其特征在于，所述光源组件还包括位于所述准直结构和所述光源之间的透镜组，所述透镜组用于对所述光源发出的紫外光进行收敛，以使得所述光源发出的紫外光全部进入到所述准直结构内进行准直。
10.根据权利要求7所述的增强SPV信号的装置，其特征在于，SPV信号处理结构包括：
11.根据权利要求7所述的增强SPV信号的装置，其特征在于，还包括移动控制结构，用于控制所述光源组件和/或所述硅片移动，以使得所述光源组件发出的紫外光照射所述硅片的所有区域。
12.根据权利要求11所述的增强SPV信号的装置，其特征在于，所述移动控制结构包括：
13.根据权利要求7所述的增强SPV信号的装置，其特征在于，所述硅片承载台上设置有真空吸附孔，所述真空吸附孔与真空设备连通，以用于吸附硅片。
...【技术特征摘要】
1.一种增强spv信号的方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的增强spv信号的方法，其特征在于，增强spv信号的方法应用于增强spv信号的装置，所述增强spv信号的装置包括用于发出紫外光的光源组件，所述增强spv信号的方法还包括：
3.根据权利要求1所述的增强spv信号的方法，其特征在于，所述“获取硅片上经过紫外光照射过的区域的spv信号强度”，具体包括：实时获取经过紫外光照射的硅片区域的表面光电压；
4.根据权利要求1所述的增强spv信号的方法，其特征在于，所述“向硅片发射紫外光”，具体包括，向硅片发出紫外光，使得所述硅片的表面形成微纳米结构，所述微纳米结构为包括多个沟槽的网格状结构。
5.根据权利要求4所述的增强spv信号的方法，其特征在于，所述沟槽的宽度为10-100nm。
6.根据权利要求1所述的增强spv信号的方法，其特征在于，增强spv信号的方法应用于增强spv信号的装置，所述增强spv信号的装置包括用于发出紫外光的光源组件，所述光源组件包括紫外发生器和准直结构，所述增强spv信号的方法，所述“向硅片发射紫外光”，具体包括：
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【专利技术属性】
技术研发人员：齐凌博，
申请(专利权)人：西安奕斯伟材料科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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