【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体集成电路制造，具体涉及一种scr(siliconcontrolled rectifier，可控硅)架构的esd保护器件。
技术介绍
1、静电放电(esd)现象，一直是困扰集成电路设计与制造的一个难题。在整个集成电路的制造、封装、运输过程中都会产生静电，并对集成电路造成可能的损坏。随着mos晶体管尺寸的减小，集成电路整体的抗esd能力愈发下降，而esd应力本身并不会随着工艺尺寸的减小而减弱。另一方面，工作电压的降低。射频以及功率电路的特殊应用环境。
2、scr器件是一种由pnp和npn相互耦合形成的一种器件，作为一种esd防护器件，具有单位面积esd性能较高的高鲁棒性优点。
3、但是相关技术中的scr架构的esd保护器件其维持电压较低，通常小于vdd，容易导致闩锁效应，致使芯片烧毁的问题。
技术实现思路
1、本申请提供了一种scr架构的esd保护器件，可以解决相关技术scr架构的esd保护器件因维持电压较低导致出现闩锁效应的问题。
2、为了解决
技术介绍
中的技术问题，本申请提供一种scr架构的esd保护器件，所述scr架构的esd保护器件包括p型衬底，所述p型衬底的表层中间区域形成有第一n型掺杂区，所述第一n型掺杂区左、右两侧的p型衬底表层分别形成第一p型掺杂区和第二n型掺杂区，所述第一p型掺杂区与所述第一n型掺杂区之间连有第一浅沟槽隔离结构，所述第二n型掺杂区与所述第一n型掺杂区之间连有第二浅沟槽隔离结构；
3、所述p型
4、可选地，所述第二n型阱区向上连接所述第二浅沟槽隔离结构的底面。
5、可选地，所述第二n型阱区向上连接所述第二浅沟槽隔离结构的底面，且所述第二n型阱区与所述第一n型掺杂区的右侧部分重叠。
6、可选地，所述第二n型阱区与所述第一n型掺杂区的中间部分重叠，所述第一n型掺杂区的右侧部分位于所述p型衬底中。
7、可选地，所述第一n型掺杂区施加反向偏置电压，所述第一p型掺杂区施加正向偏压后，空穴从所述第一p型掺杂区经第一n型阱区从所述第一n型掺杂区的左侧流入所述第一n型掺杂区中，再从所述第一n型掺杂区的右侧流入p型衬底，绕过第二n型阱区流入所述第二n型掺杂区中。
8、可选地，所述第一n型掺杂区施加反向偏置电压，所述第一p型掺杂区施加正向偏压后，空穴从所述第一p型掺杂区经第一n型阱区从所述第一n型掺杂区的左侧流入所述第一n型掺杂区中，再从所述第一n型掺杂区的中间流入p型衬底，绕过第二n型阱区流入所述第二n型掺杂区中。
9、可选地，所述第一n型掺杂区施加反向偏置电压，所述第一p型掺杂区施加正向偏压后，空穴从所述第一p型掺杂区经第一n型阱区从所述第一n型掺杂区的左侧流入所述第一n型掺杂区中后形成两束空穴电流，一束空穴电流从所述第一n型掺杂区的右侧流入p型衬底后绕过所述第二浅沟槽隔离结构流入所述第二n型掺杂区中，另一束空穴电流从所述第一n型掺杂区的中间流入p型衬底后绕过所述第二n型阱区流入所述第二n型掺杂区中。
10、可选地，所述第一n型阱区的表面中还形成有第三n型掺杂区，所述第三n型掺杂区与所述第一p型掺杂区之间连有第三浅沟槽隔离结构。
11、可选地，所述第三n型掺杂区与所述第一p型掺杂区共同施加正向偏压。
12、可选地，所述第二n型掺杂区右侧的p型衬底中形成第三p型掺杂区，所述第三p型掺杂区与所述第二n型掺杂区之间连有第四浅沟槽隔离结构。
13、可选地，所述第三p型掺杂区与所述第二n型掺杂区共同施加反向偏压。
14、本申请技术方案，至少包括如下优点：通过在第一n型掺杂区与所述第二n型掺杂区之间的p型衬底中形成向下延伸的第二n型阱区，能够使得电流绕过该第二n型阱区后再流入第二n型掺杂区中，即电流在p型衬底中的路径增长，以提高由第一n型掺杂区、p型衬底和第二n型掺杂区之间形成的npn三极管基区的宽度，降低该npn三极管的共射极放大系数，从而抑制scr中pnp和npn的正反馈效应，提高维持电压。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种SCR架构的ESD保护器件，其特征在于，所述SCR架构的ESD保护器件包括P型衬底，所述P型衬底的表层中间区域形成有第一N型掺杂区，所述第一N型掺杂区左、右两侧的P型衬底表层分别形成第一P型掺杂区和第二N型掺杂区，所述第一P型掺杂区与所述第一N型掺杂区之间连有第一浅沟槽隔离结构，所述第二N型掺杂区与所述第一N型掺杂区之间连有第二浅沟槽隔离结构；
2.如权利要求1所述的SCR架构的ESD保护器件，其特征在于，所述第二N型阱区向上连接所述第二浅沟槽隔离结构的底面。
3.如权利要求1所述的SCR架构的ESD保护器件，其特征在于，所述第二N型阱区向上连接所述第二浅沟槽隔离结构的底面，且所述第二N型阱区与所述第一N型掺杂区的右侧部分重叠。
4.如权利要求1所述的SCR架构的ESD保护器件，其特征在于，所述第二N型阱区与所述第一N型掺杂区的中间部分重叠，所述第一N型掺杂区的右侧部分位于所述P型衬底中。
5.如权利要求2所述的SCR架构的ESD保护器件，其特征在于，所述第一N型掺杂区施加反向偏置电压，所述第一P型掺杂区施加正向偏压后，空穴
6.如权利要求3所述的SCR架构的ESD保护器件，其特征在于，所述第一N型掺杂区施加反向偏置电压，所述第一P型掺杂区施加正向偏压后，空穴从所述第一P型掺杂区经第一N型阱区从所述第一N型掺杂区的左侧流入所述第一N型掺杂区中，再从所述第一N型掺杂区的中间流入P型衬底，绕过第二N型阱区流入所述第二N型掺杂区中。
7.如权利要求4所述的SCR架构的ESD保护器件，其特征在于，所述第一N型掺杂区施加反向偏置电压，所述第一P型掺杂区施加正向偏压后，空穴从所述第一P型掺杂区经第一N型阱区从所述第一N型掺杂区的左侧流入所述第一N型掺杂区中后形成两束空穴电流，一束空穴电流从所述第一N型掺杂区的右侧流入P型衬底后绕过所述第二浅沟槽隔离结构流入所述第二N型掺杂区中，另一束空穴电流从所述第一N型掺杂区的中间流入P型衬底后绕过所述第二N型阱区流入所述第二N型掺杂区中。
8.如权利要求1所述的SCR架构的ESD保护器件，其特征在于，所述第一N型阱区的表面中还形成有第三N型掺杂区，所述第三N型掺杂区与所述第一P型掺杂区之间连有第三浅沟槽隔离结构。
9.如权利要求8所述的SCR架构的ESD保护器件，其特征在于，所述第三N型掺杂区与所述第一P型掺杂区共同施加正向偏压。
10.如权利要求1所述的SCR架构的ESD保护器件，其特征在于，所述第二N型掺杂区右侧的P型衬底中形成第三P型掺杂区，所述第三P型掺杂区与所述第二N型掺杂区之间连有第四浅沟槽隔离结构。
11.如权利要求8所述的SCR架构的ESD保护器件，其特征在于，所述第三P型掺杂区与所述第二N型掺杂区共同施加反向偏压。
...【技术特征摘要】
1.一种scr架构的esd保护器件，其特征在于，所述scr架构的esd保护器件包括p型衬底，所述p型衬底的表层中间区域形成有第一n型掺杂区，所述第一n型掺杂区左、右两侧的p型衬底表层分别形成第一p型掺杂区和第二n型掺杂区，所述第一p型掺杂区与所述第一n型掺杂区之间连有第一浅沟槽隔离结构，所述第二n型掺杂区与所述第一n型掺杂区之间连有第二浅沟槽隔离结构；
2.如权利要求1所述的scr架构的esd保护器件，其特征在于，所述第二n型阱区向上连接所述第二浅沟槽隔离结构的底面。
3.如权利要求1所述的scr架构的esd保护器件，其特征在于，所述第二n型阱区向上连接所述第二浅沟槽隔离结构的底面，且所述第二n型阱区与所述第一n型掺杂区的右侧部分重叠。
4.如权利要求1所述的scr架构的esd保护器件，其特征在于，所述第二n型阱区与所述第一n型掺杂区的中间部分重叠，所述第一n型掺杂区的右侧部分位于所述p型衬底中。
5.如权利要求2所述的scr架构的esd保护器件，其特征在于，所述第一n型掺杂区施加反向偏置电压，所述第一p型掺杂区施加正向偏压后，空穴从所述第一p型掺杂区经第一n型阱区从所述第一n型掺杂区的左侧流入所述第一n型掺杂区中，再从所述第一n型掺杂区的右侧流入p型衬底，绕过第二n型阱区流入所述第二n型掺杂区中。
6.如权利要求3所述的scr架构的esd保护器件，其特征在于，所述第一n型掺杂区施加反向偏置电压，所述第一p型掺杂区施加...
【专利技术属性】
技术研发人员：范炜盛，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：
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