一种倒装式并联双向开关功率模块，涉及半导体器件领域。包括塑封体，所述塑封体内设框架，所述框架的两侧伸出塑封体的两侧边缘；所述框架包括一对基岛，一对基岛的左右两侧设有栅极平台；一对基岛上分别设有功率芯片，所述功率芯片通过焊接或粘结与基岛相连，功率芯片的栅极通过焊接或粘结与栅极平台相连；设置在不同基岛上的功率芯片之间通过功率连接部连接。所述功率芯片为MOS芯片时，基岛为源极基岛，所述MOS芯片上的源极通过焊接或粘结与源极基岛相连，设置在不同源极基岛上的MOS芯片的漏极通过功率连接部连接。本发明专利技术由于不需要打线也减少了框架镀银，降低了成本。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体器件领域，尤其涉及一种倒装式并联双向开关功率模块。
技术介绍
1、mos管（mosfet简称，中文全称金属-氧化物半导体场效应晶体管）通过控制栅极电压可以实现控制单方向的开启和关断，对于需要控制双向开关的应用场景通常将两个mos管共源极串联接入电路中。通过电路上的控制芯片对两侧mos管栅极电压控制来控制两个方向的开启和关断。在需要控制大功率电流的场景下，通常将多组mos并联使用，这导致该区域产生大量热量，过高的温度会损坏mos管，另外多个mos管会导致印制电路板上布线困难。
技术实现思路
1、本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。
2、本专利技术的技术方案为：一种倒装式并联双向开关功率模块，包括塑封体，所述塑封体内设框架，所述框架的两侧伸出塑封体的两侧边缘；
3、所述框架包括一对基岛，一对基岛的左右两侧设有栅极平台；
4、一对基岛上分别设有功率芯片，所述功率芯片通过焊接或粘结与基岛相连，功率芯片的栅极通过焊接或粘结与栅极平台相连；
5、设置在不同基岛上的功率芯片之间通过功率连接部连接。
6、所述功率芯片为mos芯片时，基岛为源极基岛，所述mos芯片上的源极通过焊接或粘结与源极基岛相连，
7、设置在不同源极基岛上的mos芯片的漏极通过功率连接部连接。
8、所述功率芯片为igbt芯片时，基岛为发射极基岛，所述igbt芯片上的发射极通过焊接或粘结与发射极基岛相连，
9、设置在不同发射极基岛上的igbt芯片的集电极通过功率连接部连接。
10、所述源极基岛的顶部和栅极平台的顶部位于同一平面，所述源极基岛以及栅极平台的底部与塑封体的底部处于同一平面；
11、一对源极基岛左右两侧的栅极平台均包括多个块状板体；
12、一对源极基岛以及栅极平台伸出塑封体的外端分别设有引脚孔。
13、还包括源极平台和转接平台，所述源极平台和转接平台依次设在一对源极基岛的后方，
14、所述源极平台的一端源极引脚伸出塑封体，
15、所述转接平台的两端转接引脚分别伸出塑封体，
16、所述源极平台的顶部和转接平台的顶部位于同一平面，所述源极平台和转接平台均位于源极基岛上方，所述源极基岛的底部与塑封体的底部处于同一平面；
17、所述源极平台通过源极信号连接部连接源极基岛，
18、一对源极基岛左右两侧的栅极平台均包括条状板体，所述条状板体的外侧具有伸出塑封体多个栅极引脚,内侧设有与相邻源极基岛上mos芯片连接的连接部；
19、所述转接平台通过漏极信号连接部连接位于左侧的栅极平台。
20、还包括一对平行设置的电阻放置平台一，
21、所述源极基岛的顶部和电阻放置平台一的顶部位于同一平面，所述源极基岛以及栅极平台的底部与电阻放置平台一的底部处于同一平面；
22、一对电阻放置平台一位于一对源极基岛的前方；
23、一对电阻放置平台一上连接贴片式热敏电阻；
24、所述电阻放置平台一两侧的温度检测引脚伸出塑封体。
25、还包括一对平行设置的电阻放置平台二，
26、所述源极平台的顶部和电阻放置平台二的顶部位于同一平面，所述电阻放置平台二位于源极基岛上方，
27、一对电阻放置平台二位于一对源极基岛的前方；
28、一对电阻放置平台二上连接贴片式热敏电阻；
29、所述电阻放置平台二两侧的温度检测引脚伸出塑封体。
30、所述功率连接部包括焊桥，所述焊桥包括位于两端的焊接部以及中间向上凸起的桥连接部，
31、所述桥连接部的上、下表面分别设有应力释放槽，所述桥连接部的中间设有锁胶孔，
32、所述焊接部上设有爬胶孔。
33、所述源极基岛的正面两端设有锁胶凹槽；
34、所述源极基岛上设有基岛锁胶孔，所述基岛锁胶孔为上小下大的孔。
35、还包括陶瓷片，所述陶瓷片通过绝缘导热胶连接源极基岛和电阻放置平台一的顶部。
36、还包括包封台阶，所述包封台阶位于源极基岛背面四周。
37、所述源极基岛的背面四周分别压边。
38、本专利技术具有以下优点：
39、1、电阻降低。封装电阻极大地降低，由于减少了外部电路分离器件之间的功率连接和其它布线，印制电路板上的线路电阻也会有明显地下降。电阻的减少会带来整个系统发热损耗的降低，提高了电能的利用效率，减轻了系统散热设计的压力。
40、2、热性能提升。集成后的模块芯片到pcb板的散热能力增强，且区别于传统的芯片漏极连接基岛，芯片源极部分直接连接在框架上使得热量可以通过信号引脚散热，增加了散热路径，也增加了热容在应对大电流脉冲时可以分担热量，避免温度过高损坏器件。
41、3、便于印制电路板布局，减小器件占用面积。
42、4、降低了寄生参数。源极信号和栅极信号接口都通过框架直接与芯片连接到处，传输路径极短且过流截面很大使得寄生参数极大降低，模块自身受到的影响小也降低了对电路中其它器件电磁干扰。
43、5、便于控制ic控制栅极电压。信号连接在模块中实现，且信号端子在模块同一侧，控制ic不需通过印制电路板下层走线即可直接连接模块的几个信号端子实现整个模块通断控制。
44、6、温度检测灵敏度更高。将分立方案中放置在印制电路板中的热敏电阻封装到了模块内，模块内热量传递更加迅速，热敏电阻可以更加准确地反馈系统的高温区域温度情况。
45、7、不需要打线连接，消除了打线相关的异常提高了产品良率也减少了工序降低成本，另外芯片栅极直接连接到框架上降低了电路中的栅极电阻。同时，由于不需要打线也减少了框架镀银，降低了成本。
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【技术保护点】
1.一种倒装式并联双向开关功率模块，包括塑封体，所述塑封体内设框架，所述框架的两侧伸出塑封体的两侧边缘；
2.根据权利要求1所述的一种倒装式并联双向开关功率模块，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的一种倒装式并联双向开关功率模块，其特征在于，
4.根据权利要求2所述的一种倒装式并联双向开关功率模块，其特征在于，
5.根据权利要求2所述的一种倒装式并联双向开关功率模块，其特征在于，
6.根据权利要求4所述的一种倒装式并联双向开关功率模块，其特征在于，
7.根据权利要求5所述的一种倒装式并联双向开关功率模块，其特征在于，
8.根据权利要求4-7中任一所述的一种倒装式并联双向开关功率模块，其特征在于，
9.根据权利要求8所述的一种倒装式并联双向开关功率模块，其特征在于，
10.根据权利要求6所述的一种倒装式并联双向开关功率模块，其特征在于，还包括陶瓷片，所述陶瓷片通过绝缘导热胶连接源极基岛和电阻放置平台一的顶部。
11.根据权利要求4所述的一种倒装式并联双向开关功率模块，其特征在于，还包括包封台阶，所述包封台阶位于源极基岛背面四周。
12.根据权利要求5所述的一种倒装式并联双向开关功率模块，其特征在于，
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【技术特征摘要】
1.一种倒装式并联双向开关功率模块，包括塑封体，所述塑封体内设框架，所述框架的两侧伸出塑封体的两侧边缘；
2.根据权利要求1所述的一种倒装式并联双向开关功率模块，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的一种倒装式并联双向开关功率模块，其特征在于，
4.根据权利要求2所述的一种倒装式并联双向开关功率模块，其特征在于，
5.根据权利要求2所述的一种倒装式并联双向开关功率模块，其特征在于，
6.根据权利要求4所述的一种倒装式并联双向开关功率模块，其特征在于，
7.根据权利要求5所述的一种倒装式并联双向开关...
【专利技术属性】
技术研发人员：金晓行，牛利刚，陈睿韬，王毅，
申请(专利权)人：扬州扬杰电子科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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