【技术实现步骤摘要】
本公开的实施例是关于一种影像感测器，特别是关于一种包含在隔离结构的凹槽的侧壁之上的反射层的影像感测器及其形成方法。
技术介绍
1、影像感测器(例如，电荷耦合元件(charge-coupled device,ccd)影像感测器、互补式金属氧化物半导体(complementary metal-oxide semiconductor,cmos)影像感测器等)已经广泛使用于各种影像拍摄设备，例如数字静止影像相机、数字摄影机和类似的设备。影像感测器中的光感测部分可形成在多个像素中的每个像素处，并且可以根据在光感测部分中所接收的光量产生信号电荷。此外，可以传送和放大在光感测部分中产生的信号电荷，进而获得影像信号。
2、近来，为了增加每单位面积的像素数以提供更高解析度的影像，趋势是减小影像感测器(以cmos影像感测器为代表)的像素尺寸。然而，在像素尺寸不断减小的同时，影像感测器的设计和制造仍面临各种挑战。举例来说，现有的影像感测器很难吸收广角的入射光。此外，像素之间的光学串扰(optical cross-talk)对于较小的像素尺寸将是一个严重的问题，并且这可能对影像感测器的性能产生不利的影响。仍需要新的制造技术以进一步减小像素尺寸而不会导致像素之间严重的光学串扰。因此，需要通过改善影像感测器的设计和制造来解决这些及相关的问题。
技术实现思路
1、根据本公开，提出一种影像感测器，其包含位于隔离结构的凹槽的侧壁之上的反射层。广角的入射光可在凹槽中被阻挡而被传输到对应的像素中，并且可防止
2、根据本公开的一些实施例，提供一种影像感测器。影像感测器包含基板及隔离结构，隔离结构设置于基板的上方。隔离结构在剖面图中具有多个隔离区段且不导电，且隔离区段形成界定多个像素区的多个凹槽。影像感测器也包含多个底电极及多个反射层，底电极设置于凹槽的底部，而反射层设置于凹槽的侧壁之上。影像感测器更包含光电转换层及顶电极，光电转换层设置于隔离结构之上及凹槽内，而顶电极设置于光电转换层之上。此外，影像感测器包含封装层，封装层设置于顶电极之上。
3、在一些实施例中，反射层包含导电材料。
4、在一些实施例中，反射层包含与底电极相同的材料。
5、在一些实施例中，每个底电极与对应的反射层在剖面图中的夹角介于90°与135°之间。
6、在一些实施例中，每个反射层的厚度大于或等于20nm。
7、在一些实施例中，每个凹槽在剖面图中的最大宽度大于或等于100nm。
8、在一些实施例中，每个隔离区段在剖面图中的最大宽度大于或等于100nm。
9、在一些实施例中，每个隔离区段在剖面图中的高度大于或等于50nm。
10、在一些实施例中，底电极的部分延伸到隔离区段的底部。
11、在一些实施例中，每个反射层的顶面对齐于或低于对应的隔离区的最顶表面。
12、在一些实施例中，影像感测器更包含多个聚光结构，聚光结构设置于封装层的上方，且每个聚光结构对应于一个像素区。
13、在一些实施例中，影像感测器更包含彩色滤光层，彩色滤光层设置于封装层与聚光结构之间。
14、在一些实施例中，彩色滤光层在剖面图中具有多个彩色滤光区段，且彩色滤光区段对应于凹槽。
15、在一些实施例中，彩色滤光区段捕获不同的颜色信息。
16、在一些实施例中，影像感测器更包含电路层，电路层设置于基板与隔离结构之间，且底电极与电路层电性连接。
17、根据本公开的一些实施例，提供一种影像感测器的方法。影像感测器的方法包含以下步骤。在基板的上方形成隔离结构，其中隔离结构在一剖面图中具有多个隔离区段且不导电，并且隔离区段形成多个凹槽。在凹槽的底部形成多个底电极。在凹槽的侧壁形成多个反射层。在隔离结构之上和凹槽内形成光电转换层。在光电转换层之上形成顶电极。在顶电极之上形成封装层。
18、在一些实施例中，形成底电极与反射层包含以下步骤。在基板的上方形成第一导电层。将第一导电层图案化，以形成底电极及介于底电极之间的多个孔洞。从孔洞中形成隔离结构，以形成定义多个像素区的凹槽。
19、在一些实施例中，形成底电极与反射层更包含以下步骤。在隔离结构之上形成第二导电层。将第二导电层位于隔离结构的最顶表面的部分移除，以在凹槽的侧壁之上形成反射层。
20、在一些实施例中，形成底电极与反射层包含以下步骤。在隔离结构之上形成覆盖层，其中覆盖层设置于凹槽的底部和侧壁及隔离结构的最顶表面之上。将覆盖层位于隔离结构的最顶表面的部分移除，以在凹槽的底部形成底电极并在凹槽的侧壁形成反射层。
21、在一些实施例中，形成影像感测器的方法更包含在封装层的上方形成多个聚光结构，其中每个聚光结构对应于一个像素区。
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1.一种影像感测器，包括：
2.如权利要求1所述的影像感测器，其中所述多个反射层包括导电材料或者所述多个反射层包括与所述多个底电极相同的材料，且每该反射层的厚度大于或等于20nm。
3.如权利要求1所述的影像感测器，其中，每该底电极与所述多个反射层中对应的一个在该剖面图中的夹角介于90°与135°之间。
4.如权利要求1所述的影像感测器，其中每该凹槽在该剖面图中的最大宽度大于或等于100nm，每该隔离区段在该剖面图中的最大宽度大于或等于100nm，且每该隔离区段在该剖面图中的高度大于或等于50nm。
5.如权利要求1所述的影像感测器，其中底电极的部分延伸到所述多个隔离区段的底部，且每该反射层的顶面对齐于或低于所述多个隔离区段对应的一个的最顶表面。
6.如权利要求1所述的影像感测器，更包括：
7.如权利要求1所述的影像感测器，更包括：
8.一种形成影像感测器的方法，包括：
9.如权利要求8所述的形成影像感测器的方法，其中形成所述多个底电极与所述多个反射层的步骤包括：
10.如
11.如权利要求8所述的形成影像感测器的方法，其中形成所述多个底电极与所述多个反射层的步骤包括：
...【技术特征摘要】
1.一种影像感测器，包括：
2.如权利要求1所述的影像感测器，其中所述多个反射层包括导电材料或者所述多个反射层包括与所述多个底电极相同的材料，且每该反射层的厚度大于或等于20nm。
3.如权利要求1所述的影像感测器，其中，每该底电极与所述多个反射层中对应的一个在该剖面图中的夹角介于90°与135°之间。
4.如权利要求1所述的影像感测器，其中每该凹槽在该剖面图中的最大宽度大于或等于100nm，每该隔离区段在该剖面图中的最大宽度大于或等于100nm，且每该隔离区段在该剖面图中的高度大于或等于50nm。
5.如权利要求1所述的影像感测器，其中底电极...
【专利技术属性】
技术研发人员：蔡维隆，吴庆强，
申请(专利权)人：采钰科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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