【技术实现步骤摘要】
本申请涉及相变存储领域，尤其涉及一种存储器及存储器系统。
技术介绍
1、相变存储器(phase change memory，pcm)可包含上中下三层电极、存储层和选通层。其中，存储层和选通层包含多种元素的合金材料，在制备和工作中其相态变化丰富，同时伴随着元素与介质层之间的扩散等，最终导致元素分布不均匀。这种扩散会导致严重的参数漂移甚至工作失效。
2、目前主流电极材料是碳(carbon)，电极的粗糙度较大，会导致存储层和选通层的粗糙度随之变大，电极、存储层和选通层的粗糙度变大都会降低存储层与选通层的电流面密度的均一性和热量传导的均一性。这会导致相变存储器中的存储层的各种电性参数的良率降低。
技术实现思路
1、本申请的目的在于提供一种存储器及存储器系统，旨在降低电极的粗糙度，以提高存储器的存储层与选通层的电流面密度的均一性和热量传导的均一性，进而提升存储器的存储层的各种电性参数的良率。
2、第一方面，本申请提供一种存储器，所述存储器包括：
3、第一电极，包括第一子电极层及第二子电极层；及
4、存储层，位于第一电极一侧；
5、其中，所述第一电极还包括第一缓冲层，所述第一缓冲层位于所述第一子电极层和第二子电极层之间。
6、在本申请一些实施例中，所述存储器还包括第二电极、第三电极及选通层，所述第一电极、所述第二电极和所述第三电极分别位于所述选通层和所述存储层之间、所述选通层远离所述存储层的一侧、所述存储层远离所述选通层的
7、在本申请一些实施例中，所述第二电极包括所述第三子电极层、第四子电极层及第二缓冲层；
8、所述第二缓冲层位于所述第三子电极层和所述第四子电极层之间。
9、在本申请一些实施例中，所述第三电极包括第五子电极层、第六子电极层及第三缓冲层；所述第三缓冲层还位于所述第五子电极层和所述第六子电极层之间。
10、在本申请一些实施例中，所述第一电极还包括第四缓冲层和第七子电极层；所述第七子电极层位于所述第二子电极层远离所述第一子电极层的一侧，所述第四缓冲层位于所述第七子电极层和所述第二子电极层之间。
11、在本申请一些实施例中，所述第一缓冲层及/或所述第四缓冲层的材质与所述第一电极的材质不同。
12、在本申请一些实施例中，所述第一缓冲层及/或所述第四缓冲层的材质为钨、钽、钛、氮化钨、氮化钽、氮化钛、硅化钨、氮硅化钨、铬镍合金、钼、铱、钌及碳中的至少一种；所述第一电极的材质为碳、钽、氮化钛、碳化钽、氮化钽、钴、钨、铂、金、钛、铝、银、铜和镍中的一种或多种。
13、在本申请一些实施例中，所述第一缓冲层或所述第二缓冲层在第一方向上的厚度小于或等于2nm，所述第一方向为所述第一电极、所述第二电极、所述第三电极、所述存储层及所述选通层的堆叠方向。
14、在本申请一些实施例中，所述第一子电极层及所述第二子电极层的其中一个在第一方向上的厚度小于所述第二电极或所述第三电极在所述第一方向上的厚度；所述第一方向为所述第一电极、所述第二电极、所述第三电极、所述存储层及所述选通层的堆叠方向。
15、本申请还提供一种存储器系统，所述存储器系统包括：如上所述的相变存储器；及控制器，与相变存储器耦接且被配置为控制所述相变存储器。
16、本申请提供一种存储器及存储器系统，在存储器的第一电极中增加第一缓冲层，以将所述第一电极在第一方向上分割成至少两部分(例如：第一子电极层和第二子电极层)。如此，在形成第一子电极层和第二子电极层的过程中，第一子电极层和第二子电极层的电极材料随机形成晶核，晶核逐渐长大，形成晶粒。如此，相比于原有的电极，由于分层后的第一子电极层和第二子电极层在所述第一方向上的厚度均减小，分层后的第一子电极层和第二子电极层的晶粒尺寸减小，晶粒与晶粒之间的间隙减小，如此，相邻两个晶粒之间的间隙所在的界面和晶粒中心位置之间的性能差异变小，分层后的子电极层的粗糙度降低，可以提高相变存储器的存储层的电流面密度的均一性和热量传导的均一性，进而提升存储器的存储层的各种电性参数的良率。
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1.一种存储器，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述存储器还包括第二电极、第三电极及选通层，所述第一电极、所述第二电极和所述第三电极分别位于所述选通层和所述存储层之间、所述选通层远离所述存储层的一侧、所述存储层远离所述选通层的一侧三个位置中的一个且位置互不相同。
3.如权利要求2所述的存储器，其特征在于，所述第二电极包括第三子电极层、第四子电极层及第二缓冲层；
4.如权利要求3所述的存储器，其特征在于，所述第三电极包括第五子电极层、第六子电极层及第三缓冲层；
5.如权利要求1至4任一所述的存储器，其特征在于，所述第一电极还包括第四缓冲层和第七子电极层；
6.如权利要求5所述的存储器，其特征在于，所述第一缓冲层及/或所述第四缓冲层的材质与所述第一电极的材质不同。
7.如权利要求6所述的存储器，其特征在于，所述第一缓冲层及/或所述第四缓冲层的材质为钨、钽、钛、氮化钨、氮化钽、氮化钛、硅化钨、氮硅化钨、铬镍合金、钼、铱、钌及碳中的至少一种；
8.如权利要求2所述的存储器，其
9.如权利要求2所述的存储器，其特征在于，所述第一子电极层、所述第二子电极层的其中一个在第一方向上的厚度小于所述第二电极或所述第三电极在所述第一方向上的厚度；
10.一种存储器系统，其特征在于，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种存储器，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述存储器还包括第二电极、第三电极及选通层，所述第一电极、所述第二电极和所述第三电极分别位于所述选通层和所述存储层之间、所述选通层远离所述存储层的一侧、所述存储层远离所述选通层的一侧三个位置中的一个且位置互不相同。
3.如权利要求2所述的存储器，其特征在于，所述第二电极包括第三子电极层、第四子电极层及第二缓冲层；
4.如权利要求3所述的存储器，其特征在于，所述第三电极包括第五子电极层、第六子电极层及第三缓冲层；
5.如权利要求1至4任一所述的存储器，其特征在于，所述第一电极还包括第四缓冲层和第七子电极层；
6.如权利要求5所述的存储器，其特征在于，所...
【专利技术属性】
技术研发人员：高国勤，明帆，戴威，韩亚朋，骆金龙，刘峻，
申请(专利权)人：新存科技武汉有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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